公开(公告)号：US08586290B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US12622230

申请日：2009-11-19

申请人： Chien-Wei Wang ,  Ching-Yu Chang

发明人： Chien-Wei Wang ,  Ching-Yu Chang

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38

CPC分类号： G03F7/095 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/30 ,  G03F7/322 ,  G03F7/38

摘要： A lithography method includes forming a photosensitive layer on a substrate, exposing the photosensitive layer, baking the photosensitive layer, and developing the exposed photosensitive layer. The photosensitive layer includes a polymer that turns soluble to a base solution in response to reaction with acid, a plurality of photo-acid generators (PAGs) that decompose to form acid in response to radiation energy, and a plurality of quenchers having boiling points distributed between about 200 C and about 350 C. The quenchers also have molecular weights distributed between 300 Dalton and about 20000 Dalton, and are vertically distributed in the photosensitive layer such that a first concentration C1 at a top portion of the photosensitive layer is greater than a second concentration C2 at a bottom portion of the photosensitive layer.

摘要翻译： 光刻方法包括在基板上形成感光层，曝光感光层，烘烤感光层，以及显影曝光的感光层。 感光层包括响应于与酸的反应而变成可溶于碱溶液的聚合物，响应于辐射能而分解形成酸的多个光酸发生剂（PAG），和多个具有沸点分布的猝灭剂 约200℃至约350℃。猝灭剂还具有分布在300道尔顿和约20000道尔顿之间的分子量，并且垂直分布在感光层中，使得感光层顶部的第一浓度C1大于 在感光层的底部具有第二浓度C2。

公开(公告)号：US20120264057A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：US13534961

申请日：2012-06-27

申请人： Chien-Wei Wang ,  Ching-Yu Chang ,  Tsai-Sheng Gau ,  Burn Jen Lin

发明人： Chien-Wei Wang ,  Ching-Yu Chang ,  Tsai-Sheng Gau ,  Burn Jen Lin

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/027

CPC分类号： G03F7/0045 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/128

摘要： A resist material and methods using the resist material are disclosed herein. An exemplary method includes forming a resist layer over a substrate, wherein the resist layer includes a polymer, a photoacid generator, an electron acceptor, and a photodegradable base; performing an exposure process that exposes portions of the resist layer with radiation, wherein the photodegradable base is depleted in the exposed portions of the resist layer during the exposure process; and performing an developing process on the resist layer.

摘要翻译： 本文公开了抗蚀剂材料和使用抗蚀剂材料的方法。 一种示例性方法包括在衬底上形成抗蚀剂层，其中抗蚀剂层包括聚合物，光致酸产生剂，电子受体和可光降解的碱; 执行曝光处理，其用辐射曝光抗蚀剂层的一部分，其中光可降解碱在曝光过程中耗尽抗蚀剂层的曝光部分; 并对抗蚀剂层进行显影处理。

公开(公告)号：US20100099267A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：US12254658

申请日：2008-10-20

申请人： Chien-Wei Wang ,  David Ding-Chung Lu ,  Ching-Yu Chang

发明人： Chien-Wei Wang ,  David Ding-Chung Lu ,  Ching-Yu Chang

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/0273 ,  B05D1/60 ,  B05D3/02 ,  G03F7/167 ,  H01L21/0276

摘要： Provided is a method and system for vapor deposition of a coating material onto a semiconductor substrate. In an embodiment, photoresist is deposited. An in-situ baking process may be performed with the vapor deposition. In an embodiment, a ratio of chemical components of a material to be deposited onto the substrate is changed during the deposition. Therefore, a layer having a gradient chemical component distribution may be provided. In an embodiment, a BARC layer may be provided which includes a gradient chemical component distribution providing an n,k distribution through the layer. Other materials that may be vapor deposited include pattern freezing material.

摘要翻译： 提供了一种用于将涂料气相沉积到半导体衬底上的方法和系统。 在一个实施例中，沉积光致抗蚀剂。 可以通过气相沉积来进行原位烘烤工艺。 在一个实施例中，在沉积期间改变待沉积到衬底上的材料的化学成分的比例。 因此，可以提供具有梯度化学成分分布的层。 在一个实施例中，可以提供BARC层，其包括提供通过该层的n，k分布的梯度化学分量分布。 可能蒸气沉积的其他材料包括图案冷冻材料。

公开(公告)号：US08956806B2

公开(公告)日：2015-02-17

申请号：US12562761

申请日：2009-09-18

申请人： Chien-Wei Wang ,  Ching-Yu Chang ,  Burn Jeng Lin

发明人： Chien-Wei Wang ,  Ching-Yu Chang ,  Burn Jeng Lin

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11

摘要： A method and material layer for forming a pattern are disclosed. The method includes providing a substrate; forming a first material layer over the substrate; forming a second material layer over the first material layer, wherein the second material layer comprises a photoacid generator and a photobase generator; and exposing one or more portions of the second material layer.

摘要翻译： 公开了用于形成图案的方法和材料层。 该方法包括提供基板; 在所述衬底上形成第一材料层; 在所述第一材料层上形成第二材料层，其中所述第二材料层包括光酸产生剂和光碱产生剂; 以及暴露所述第二材料层的一个或多个部分。

公开(公告)号：US08216767B2

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：US12555145

申请日：2009-09-08

申请人： Chien-Wei Wang ,  Ching-Yu Chang ,  Tsai-Sheng Gau ,  Burn Jeng Lin

发明人： Chien-Wei Wang ,  Ching-Yu Chang ,  Tsai-Sheng Gau ,  Burn Jeng Lin

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/40 ,  G03F7/028

CPC分类号： G03F7/0045 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/128

摘要： A method for fabricating an integrated circuit device is disclosed. The method includes providing a substrate; forming a first material layer over the substrate; forming a second material layer over the first material layer, wherein the second material layer comprises a photodegradable base material; and exposing at least a portion of the second material layer.

摘要翻译： 公开了一种用于制造集成电路器件的方法。 该方法包括提供基板; 在所述衬底上形成第一材料层; 在所述第一材料层上形成第二材料层，其中所述第二材料层包含可光降解的基材; 并暴露第二材料层的至少一部分。

公开(公告)号：US20110097670A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：US12622230

申请日：2009-11-19

申请人： Chien-Wei Wang ,  Ching-Yu Chang

发明人： Chien-Wei Wang ,  Ching-Yu Chang

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03C1/00

CPC分类号： G03F7/095 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/30 ,  G03F7/322 ,  G03F7/38

摘要： A lithography method includes forming a photosensitive layer on a substrate, exposing the photosensitive layer, baking the photosensitive layer, and developing the exposed photosensitive layer. The photosensitive layer includes a polymer that turns soluble to a base solution in response to reaction with acid, a plurality of photo-acid generators (PAGs) that decompose to form acid in response to radiation energy, and a plurality of quenchers having boiling points distributed between about 200 C and about 350 C. The quenchers also have molecular weights distributed between 300 Dalton and about 20000 Dalton, and are vertically distributed in the photosensitive layer such that a first concentration C1 at a top portion of the photosensitive layer is greater than a second concentration C2 at a bottom portion of the photosensitive layer.

摘要翻译： 光刻方法包括在基板上形成感光层，曝光感光层，烘烤感光层，以及显影曝光的感光层。 感光层包括响应于与酸的反应而变成可溶于碱溶液的聚合物，响应于辐射能而分解形成酸的多个光酸发生剂（PAG），和多个具有沸点分布的猝灭剂 约200℃至约350℃。猝灭剂还具有分布在300道尔顿和约20000道尔顿之间的分子量，并且垂直分布在感光层中，使得感光层顶部的第一浓度C1大于 在感光层的底部具有第二浓度C2。

公开(公告)号：US20110076624A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：US12566762

申请日：2009-09-25

申请人： Chien-Wei Wang ,  Ching-Yu Chang

发明人： Chien-Wei Wang ,  Ching-Yu Chang

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/42

CPC分类号： G03F7/425 ,  H01L21/31133

摘要： A method for fabricating an integrated circuit device is disclosed. The method may include providing a substrate; forming a first material layer over the substrate; forming a patterned second material layer over the substrate; and removing the patterned second material layer with a fluid comprising a steric hindered organic base and organic solvent.

摘要翻译： 公开了一种用于制造集成电路器件的方法。 该方法可以包括提供基底; 在所述衬底上形成第一材料层; 在所述衬底上形成图案化的第二材料层; 以及用包含空间位阻有机碱和有机溶剂的流体除去图案化的第二材料层。

公开(公告)号：US20100273321A1

公开(公告)日：2010-10-28

申请号：US12430614

申请日：2009-04-27

申请人： Chien-Wei Wang ,  Ching-Yu Chang

发明人： Chien-Wei Wang ,  Ching-Yu Chang

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/31 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/266 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/095 ,  H01L21/0332

摘要： A system to form a wet soluble lithography layer on a semiconductor substrate includes providing the substrate, depositing a first layer comprising a first material on the substrate, and depositing a second layer comprising a second material on the substrate. In an embodiment, the first material comprises a different composition than the second material and one of the first layer and the second layer includes silicon.

摘要翻译： 在半导体衬底上形成湿溶性光刻层的系统包括提供衬底，在衬底上沉积包括第一材料的第一层，以及在衬底上沉积包含第二材料的第二层。 在一个实施例中，第一材料包括与第二材料不同的组成，第一层和第二层之一包括硅。

公开(公告)号：US20110059396A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：US12555145

申请日：2009-09-08

申请人： Chien-Wei Wang ,  Ching-Yu Chang ,  Tsai-Sheng Gau ,  Burn Jeng Lin

发明人： Chien-Wei Wang ,  Ching-Yu Chang ,  Tsai-Sheng Gau ,  Burn Jeng Lin

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0045 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/128

摘要： A method for fabricating an integrated circuit device is disclosed. The method includes providing a substrate; forming a first material layer over the substrate; forming a second material layer over the first material layer, wherein the second material layer comprises a photodegradable base material; and exposing at least a portion of the second material layer.

摘要翻译： 公开了一种用于制造集成电路器件的方法。 该方法包括提供基板; 在所述衬底上形成第一材料层; 在所述第一材料层上形成第二材料层，其中所述第二材料层包含可光降解的基材; 并暴露第二材料层的至少一部分。

公开(公告)号：US20100285410A1

公开(公告)日：2010-11-11

申请号：US12463501

申请日：2009-05-11

申请人： Chien-Wei Wang ,  Ching-Yu Chang

发明人： Chien-Wei Wang ,  Ching-Yu Chang

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/266 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138

摘要： The present disclosure provides a method for manufacturing a semiconductor device. The method includes coating a photoresist on a substrate. The photoresist is exposed to radiation. The radiation exposed photoresist is baked. The radiation exposed and baked photoresist is developed to create an image pattern. The image pattern is treated with a treating material. An ion implantation process is performed to the substrate and the treated image pattern. The image pattern is stripped from the substrate. A carbon atom ratio of the treating material is less than a carbon atom ratio of the photoresist.

摘要翻译： 本公开提供了一种用于制造半导体器件的方法。 该方法包括在基底上涂覆光致抗蚀剂。 光致抗蚀剂暴露于辐射。 辐射曝光的光致抗蚀剂被烘烤。 辐射曝光和烘烤的光致抗蚀剂被开发以产生图像图案。 用处理材料处理图像图案。 对基板和经处理的图像图案执行离子注入工艺。 图案图案从基板剥离。 处理材料的碳原子比小于光致抗蚀剂的碳原子比。