公开(公告)号：US08239056B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US12616681

申请日：2009-11-11

申请人： Chih-Wei Hsu ,  Yu-Jen Cheng ,  Wen-Pin Liu ,  Shun-Ping Wang ,  Shin-Rung Lu ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Andy Tsen ,  Chun-Hsien Lin

发明人： Chih-Wei Hsu ,  Yu-Jen Cheng ,  Wen-Pin Liu ,  Shun-Ping Wang ,  Shin-Rung Lu ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Andy Tsen ,  Chun-Hsien Lin

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： H01L21/67253 ,  G05B19/41865 ,  H01L21/67276 ,  Y02P90/20

摘要： The present disclosure provides a semiconductor manufacturing method. The method includes providing product data of a product, the product data including a sensitive product parameter; searching existing products according to the sensitive product parameter to identify a relevant product from the existing products; determining an initial value of a processing model parameter to the product using corresponding data of the relevant product; assigning the initial value of the processing model parameter to a processing model associated with a manufacturing process; thereafter, tuning a processing recipe using the processing model; and performing the manufacturing process to a semiconductor wafer using the processing recipe.

摘要翻译： 本发明提供一种半导体制造方法。 该方法包括提供产品的产品数据，产品数据包括敏感产品参数; 根据敏感产品参数搜索现有产品，从现有产品中识别相关产品; 使用相关产品的相应数据确定产品的处理模型参数的初始值; 将处理模型参数的初始值分配给与制造过程相关联的处理模型; 此后，使用该处理模型调整处理配方; 以及使用所述处理配方对所述半导体晶片进行制造处理。

公开(公告)号：US20110112678A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12616681

申请日：2009-11-11

申请人： Chih-Wei Hsu ,  Yu-Jen Cheng ,  Wen-Pin Liu ,  Shun-Ping Wang ,  Shin-Rung Lu ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Andy Tsen ,  Chun-Hsien Lin

发明人： Chih-Wei Hsu ,  Yu-Jen Cheng ,  Wen-Pin Liu ,  Shun-Ping Wang ,  Shin-Rung Lu ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Andy Tsen ,  Chun-Hsien Lin

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： H01L21/67253 ,  G05B19/41865 ,  H01L21/67276 ,  Y02P90/20

摘要： The present disclosure provides a semiconductor manufacturing method. The method includes providing product data of a product, the product data including a sensitive product parameter; searching existing products according to the sensitive product parameter to identify a relevant product from the existing products; determining an initial value of a processing model parameter to the product using corresponding data of the relevant product; assigning the initial value of the processing model parameter to a processing model associated with a manufacturing process; thereafter, tuning a processing recipe using the processing model; and performing the manufacturing process to a semiconductor wafer using the processing recipe.

摘要翻译： 本发明提供一种半导体制造方法。 该方法包括提供产品的产品数据，产品数据包括敏感产品参数; 根据敏感产品参数搜索现有产品，从现有产品中识别相关产品; 使用相关产品的相应数据确定产品的处理模型参数的初始值; 将处理模型参数的初始值分配给与制造过程相关联的处理模型; 此后，使用该处理模型调整处理配方; 以及使用所述处理配方对所述半导体晶片进行制造处理。

公开(公告)号：US08396583B2

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：US12731407

申请日：2010-03-25

申请人： Po-Feng Tsai ,  Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou

发明人： Po-Feng Tsai ,  Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： H01L22/20

摘要： The present disclosure provides a method of fabricating a semiconductor device. The method includes collecting a plurality of manufacturing data sets from a plurality of semiconductor processes, respectively. The method includes normalizing each of the manufacturing data sets in a manner so that statistical differences among the manufacturing data sets are reduced. The method includes establishing a database that includes the normalized manufacturing data sets. The method includes normalizing the database in a manner so that the manufacturing data sets in the normalized database are statistically compatible with a selected one of the manufacturing data sets. The method includes predicting performance of a selected one of the semiconductor processes by using the normalized database. The selected semiconductor process corresponds to the selected manufacturing data set. The method includes controlling a semiconductor processing machine in response to the predicted performance.

摘要翻译： 本公开提供了制造半导体器件的方法。 该方法包括分别从多个半导体处理中收集多个制造数据集。 该方法包括以制造数据组之间的统计差异减小的方式标准化每个制造数据组。 该方法包括建立包括标准化制造数据集的数据库。 该方法包括以使得归一化数据库中的制造数据集统统地与选定的一个制造数据集统计地兼容的方式对数据库进行归一化。 该方法包括通过使用归一化数据库来预测所选择的一个半导体处理的性能。 所选择的半导体工艺对应于所选择的制造数据集。 该方法包括响应于预测的性能来控制半导体处理机。

公开(公告)号：US08108060B2

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：US12465064

申请日：2009-05-13

申请人： Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Po-Feng Tsai ,  Ming-Yu Fan ,  Jill Wang ,  Jong-I Mou ,  Sunny Wu

发明人： Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Po-Feng Tsai ,  Ming-Yu Fan ,  Jill Wang ,  Jong-I Mou ,  Sunny Wu

IPC分类号： G06F19/00 ,  G06F17/18 ,  G06F11/30 ,  G01N37/00

CPC分类号： G05B13/048 ,  G05B19/41875 ,  Y02P90/22 ,  Y02P90/86

摘要： System and method for implementing wafer acceptance test (“WAT”) advanced process control (“APC”) are described. In one embodiment, the method comprises performing a key process on a sample number of wafers of a lot of wafers; performing a key inline measurement related to the key process to produce metrology data for the wafers; predicting WAT data from the metrology data using an inline-to-WAT model; and using the predicted WAT data to tune a WAT APC process for controlling a tuning process or a process APC process.

摘要翻译： 描述了实现晶片验收测试（“WAT”）高级过程控制（“APC”）的系统和方法。 在一个实施例中，该方法包括对大量晶片的晶片的样本数进行密钥处理; 执行关键过程的关键在线测量以产生晶片的测量数据; 使用直线到WAT模型预测来自计量数据的WAT数据; 并且使用预测的WAT数据来调整用于控制调谐过程或过程APC过程的WAT APC过程。

公开(公告)号：US08041451B2

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US12427154

申请日：2009-04-21

申请人： Sunny Wu ,  Chih-Sheng Shih ,  Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Hsin Kuan

发明人： Sunny Wu ,  Chih-Sheng Shih ,  Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Hsin Kuan

IPC分类号： G06F7/00 ,  G06F19/00 ,  G06F17/00 ,  G06Q10/00

CPC分类号： G05B19/41865 ,  G05B2219/32097 ,  G05B2219/32256 ,  G05B2219/32324 ,  G05B2219/45031 ,  G06Q10/087 ,  Y02P90/14 ,  Y02P90/20

摘要： A method for providing bin-based control when manufacturing integrated circuit devices is disclosed. The method comprises performing a plurality of processes on a plurality of wafer lots; determining a required bin quantity, an actual bin quantity, and a projected bin quantity; comparing the determined required bin quantity with the determined actual bin quantity and determined projected bin quantity; and modifying at least one of the plurality of processes on the plurality of wafer lots if the determined actual bin quantity and determined projected bin quantity fail to satisfy the determined required bin quantity.

摘要翻译： 公开了一种在制造集成电路器件时提供基于bin的控制的方法。 该方法包括在多个晶片批次上执行多个处理; 确定所需的仓数量，实际箱数量和投影箱数量; 将确定的所需仓量与确定的实际箱数量和确定的预计仓量进行比较; 以及如果所确定的实际仓量和确定的投影箱数量不能满足所确定的所需仓量，则修改多个晶片批次上的多个处理中的至少一个。

公开(公告)号：US20110238198A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US12731407

申请日：2010-03-25

申请人： Po-Feng Tsai ,  Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou

发明人： Po-Feng Tsai ,  Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou

IPC分类号： G05B13/04 ,  G06F15/18

CPC分类号： H01L22/20

摘要： The present disclosure provides a method of fabricating a semiconductor device. The method includes collecting a plurality of manufacturing data sets from a plurality of semiconductor processes, respectively. The method includes normalizing each of the manufacturing data sets in a manner so that statistical differences among the manufacturing data sets are reduced. The method includes establishing a database that includes the normalized manufacturing data sets. The method includes normalizing the database in a manner so that the manufacturing data sets in the normalized database are statistically compatible with a selected one of the manufacturing data sets. The method includes predicting performance of a selected one of the semiconductor processes by using the normalized database. The selected semiconductor process corresponds to the selected manufacturing data set. The method includes controlling a semiconductor processing machine in response to the predicted performance.

摘要翻译： 本公开提供了制造半导体器件的方法。 该方法包括分别从多个半导体处理中收集多个制造数据集。 该方法包括以制造数据组之间的统计差异减小的方式标准化每个制造数据组。 该方法包括建立包括标准化制造数据集的数据库。 该方法包括以使得归一化数据库中的制造数据集统统地与选定的一个制造数据集统计地兼容的方式对数据库进行归一化。 该方法包括通过使用归一化数据库来预测所选择的一个半导体处理的性能。 所选择的半导体工艺对应于所选择的制造数据集。 该方法包括响应于预测的性能来控制半导体处理机。

公开(公告)号：US20100268367A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：US12427154

申请日：2009-04-21

申请人： Sunny Wu ,  Chih-Sheng Shih ,  Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Hsin Kuan

发明人： Sunny Wu ,  Chih-Sheng Shih ,  Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Hsin Kuan

IPC分类号： G06F17/00

CPC分类号： G05B19/41865 ,  G05B2219/32097 ,  G05B2219/32256 ,  G05B2219/32324 ,  G05B2219/45031 ,  G06Q10/087 ,  Y02P90/14 ,  Y02P90/20

摘要： A method for providing bin-based control when manufacturing integrated circuit devices is disclosed. The method comprises performing a plurality of processes on a plurality of wafer lots; determining a required bin quantity, an actual bin quantity, and a projected bin quantity; comparing the determined required bin quantity with the determined actual bin quantity and determined projected bin quantity; and modifying at least one of the plurality of processes on the plurality of wafer lots if the determined actual bin quantity and determined projected bin quantity fail to satisfy the determined required bin quantity.

摘要翻译： 公开了一种在制造集成电路器件时提供基于bin的控制的方法。 该方法包括在多个晶片批次上执行多个处理; 确定所需的仓数量，实际箱数量和投影箱数量; 将确定的所需仓量与确定的实际箱数量和确定的预计仓量进行比较; 以及如果所确定的实际仓量和确定的投影箱数量不能满足所确定的所需仓量，则修改多个晶片批次上的多个处理中的至少一个。

公开(公告)号：US20120239178A1

公开(公告)日：2012-09-20

申请号：US13048282

申请日：2011-03-15

申请人： Sunny Wu ,  Chun-Hsien Lin ,  Kun-Ming Chen ,  Dung-Yian Hsieh ,  Hui-Ru Lin ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  I-Ching Chu

发明人： Sunny Wu ,  Chun-Hsien Lin ,  Kun-Ming Chen ,  Dung-Yian Hsieh ,  Hui-Ru Lin ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  I-Ching Chu

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： H01L22/20 ,  G01R31/2894 ,  H01L22/14

摘要： A method comprises computing respective regression models for each of a plurality of failure bins based on a plurality of failures identified during wafer electrical tests. Each regression model outputs a wafer yield measure as a function of a plurality of device performance variables. For each failure bin, sensitivity of the wafer yield measure to each of the plurality of device performance variables is determined, and the device performance variables are ranked with respect to sensitivity of the wafer yield measure. A subset of the device performance variables which have highest rankings and which have less than a threshold correlation with each other are selected. The wafer yield measures for each failure bin corresponding to one of the selected subset of device performance variables are combined, to provide a combined wafer yield measure. At least one new process parameter value is selected to effect a change in the one device performance variable, based on the combined wafer yield measure. The at least one new process parameter value is to be used to process at least one additional wafer.

摘要翻译： 一种方法包括基于在晶片电测试期间识别的多个故障来计算多个故障仓中的每一个的相应回归模型。 每个回归模型输出作为多个设备性能变量的函数的晶片产量测量。 对于每个故障仓，确定晶片产量测量对多个器件性能变量中的每一个的灵敏度，并且相对于晶片产量测量的灵敏度对器件性能变量进行排序。 选择具有最高排名并且彼此具有小于阈值相关性的设备性能变量的子集。 组合对应于所选择的设备性能变量子集之一的每个故障仓的晶片产量测量，以提供组合晶片产量测量。 选择至少一个新的过程参数值，以基于组合的晶片产量测量来实现一个器件性能变量的变化。 至少一个新的过程参数值将用于处理至少一个附加晶片。

公开(公告)号：US20100292824A1

公开(公告)日：2010-11-18

申请号：US12465064

申请日：2009-05-13

申请人： Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Po-Feng Tsai ,  Ming-Yu Fan ,  Jill Wang ,  Jong-I Mou ,  Sunny Wu

发明人： Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Po-Feng Tsai ,  Ming-Yu Fan ,  Jill Wang ,  Jong-I Mou ,  Sunny Wu

IPC分类号： G05B13/04

CPC分类号： G05B13/048 ,  G05B19/41875 ,  Y02P90/22 ,  Y02P90/86

摘要： System and method for implementing wafer acceptance test (“WAT”) advanced process control (“APC”) are described. In one embodiment, the method comprises performing a key process on a sample number of wafers of a lot of wafers; performing a key inline measurement related to the key process to produce metrology data for the wafers; predicting WAT data from the metrology data using an inline-to-WAT model; and using the predicted WAT data to tune a WAT APC process for controlling a tuning process or a process APC process.

摘要翻译： 描述了实现晶片验收测试（“WAT”）高级过程控制（“APC”）的系统和方法。 在一个实施例中，该方法包括对大量晶片的晶片的样本数进行密钥处理; 执行关键过程的关键在线测量以产生晶片的测量数据; 使用直线到WAT模型预测来自计量数据的WAT数据; 并且使用预测的WAT数据来调整用于控制调谐过程或过程APC过程的WAT APC过程。

公开(公告)号：US08452439B2

公开(公告)日：2013-05-28

申请号：US13048282

申请日：2011-03-15

申请人： Sunny Wu ,  Chun-Hsien Lin ,  Kun-Ming Chen ,  Dung-Yian Hsieh ,  Hui-Ru Lin ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  I-Ching Chu

发明人： Sunny Wu ,  Chun-Hsien Lin ,  Kun-Ming Chen ,  Dung-Yian Hsieh ,  Hui-Ru Lin ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  I-Ching Chu

IPC分类号： G06F19/00 ,  G01N37/00 ,  G06F11/30 ,  G21C17/00

CPC分类号： H01L22/20 ,  G01R31/2894 ,  H01L22/14

摘要： A method comprises computing respective regression models for each of a plurality of failure bins based on a plurality of failures identified during wafer electrical tests. Each regression model outputs a wafer yield measure as a function of a plurality of device performance variables. For each failure bin, sensitivity of the wafer yield measure to each of the plurality of device performance variables is determined, and the device performance variables are ranked with respect to sensitivity of the wafer yield measure. A subset of the device performance variables which have highest rankings and which have less than a threshold correlation with each other are selected. The wafer yield measures for each failure bin corresponding to one of the selected subset of device performance variables are combined, to provide a combined wafer yield measure. At least one new process parameter value is selected to effect a change in the one device performance variable, based on the combined wafer yield measure. The at least one new process parameter value is to be used to process at least one additional wafer.

摘要翻译： 一种方法包括基于在晶片电测试期间识别的多个故障来计算多个故障仓中的每一个的相应回归模型。 每个回归模型输出作为多个设备性能变量的函数的晶片产量测量。 对于每个故障仓，确定晶片产量测量对多个器件性能变量中的每一个的灵敏度，并且相对于晶片产量测量的灵敏度对器件性能变量进行排序。 选择具有最高排名并且彼此具有小于阈值相关性的设备性能变量的子集。 组合对应于所选择的设备性能变量子集之一的每个故障仓的晶片产量测量，以提供组合晶片产量测量。 选择至少一个新的过程参数值，以基于组合的晶片产量测量来实现一个器件性能变量的变化。 至少一个新的过程参数值将用于处理至少一个附加晶片。