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    Method for bin-based control
    1.
    发明授权
    Method for bin-based control 有权
    基于bin的控制方法

    公开(公告)号：US08041451B2

    公开(公告)日：2011-10-18

    申请号：US12427154

    申请日：2009-04-21

    申请人： Sunny Wu ,  Chih-Sheng Shih ,  Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Hsin Kuan

    发明人： Sunny Wu ,  Chih-Sheng Shih ,  Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Hsin Kuan

    IPC分类号： G06F7/00 ,  G06F19/00 ,  G06F17/00 ,  G06Q10/00

    CPC分类号： G05B19/41865 ,  G05B2219/32097 ,  G05B2219/32256 ,  G05B2219/32324 ,  G05B2219/45031 ,  G06Q10/087 ,  Y02P90/14 ,  Y02P90/20

    摘要： A method for providing bin-based control when manufacturing integrated circuit devices is disclosed. The method comprises performing a plurality of processes on a plurality of wafer lots; determining a required bin quantity, an actual bin quantity, and a projected bin quantity; comparing the determined required bin quantity with the determined actual bin quantity and determined projected bin quantity; and modifying at least one of the plurality of processes on the plurality of wafer lots if the determined actual bin quantity and determined projected bin quantity fail to satisfy the determined required bin quantity.

    摘要翻译： 公开了一种在制造集成电路器件时提供基于bin的控制的方法。 该方法包括在多个晶片批次上执行多个处理; 确定所需的仓数量，实际箱数量和投影箱数量; 将确定的所需仓量与确定的实际箱数量和确定的预计仓量进行比较; 以及如果所确定的实际仓量和确定的投影箱数量不能满足所确定的所需仓量，则修改多个晶片批次上的多个处理中的至少一个。

    METHOD FOR BIN-BASED CONTROL
    2.
    发明申请
    METHOD FOR BIN-BASED CONTROL 有权
    基于BIN的控制方法

    公开(公告)号：US20100268367A1

    公开(公告)日：2010-10-21

    申请号：US12427154

    申请日：2009-04-21

    申请人： Sunny Wu ,  Chih-Sheng Shih ,  Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Hsin Kuan

    发明人： Sunny Wu ,  Chih-Sheng Shih ,  Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Hsin Kuan

    IPC分类号： G06F17/00

    CPC分类号： G05B19/41865 ,  G05B2219/32097 ,  G05B2219/32256 ,  G05B2219/32324 ,  G05B2219/45031 ,  G06Q10/087 ,  Y02P90/14 ,  Y02P90/20

    摘要： A method for providing bin-based control when manufacturing integrated circuit devices is disclosed. The method comprises performing a plurality of processes on a plurality of wafer lots; determining a required bin quantity, an actual bin quantity, and a projected bin quantity; comparing the determined required bin quantity with the determined actual bin quantity and determined projected bin quantity; and modifying at least one of the plurality of processes on the plurality of wafer lots if the determined actual bin quantity and determined projected bin quantity fail to satisfy the determined required bin quantity.

    摘要翻译： 公开了一种在制造集成电路器件时提供基于bin的控制的方法。 该方法包括在多个晶片批次上执行多个处理; 确定所需的仓数量，实际箱数量和投影箱数量; 将确定的所需仓量与确定的实际箱数量和确定的预计仓量进行比较; 以及如果所确定的实际仓量和确定的投影箱数量不能满足所确定的所需仓量，则修改多个晶片批次上的多个处理中的至少一个。

    Method and system for implementing virtual metrology in semiconductor fabrication
    5.
    发明授权
    Method and system for implementing virtual metrology in semiconductor fabrication 有权
    在半导体制造中实现虚拟计量的方法和系统

    公开(公告)号：US08396583B2

    公开(公告)日：2013-03-12

    申请号：US12731407

    申请日：2010-03-25

    申请人： Po-Feng Tsai ,  Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou

    发明人： Po-Feng Tsai ,  Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou

    IPC分类号： G06F19/00

    CPC分类号： H01L22/20

    摘要： The present disclosure provides a method of fabricating a semiconductor device. The method includes collecting a plurality of manufacturing data sets from a plurality of semiconductor processes, respectively. The method includes normalizing each of the manufacturing data sets in a manner so that statistical differences among the manufacturing data sets are reduced. The method includes establishing a database that includes the normalized manufacturing data sets. The method includes normalizing the database in a manner so that the manufacturing data sets in the normalized database are statistically compatible with a selected one of the manufacturing data sets. The method includes predicting performance of a selected one of the semiconductor processes by using the normalized database. The selected semiconductor process corresponds to the selected manufacturing data set. The method includes controlling a semiconductor processing machine in response to the predicted performance.

    摘要翻译： 本公开提供了制造半导体器件的方法。 该方法包括分别从多个半导体处理中收集多个制造数据集。 该方法包括以制造数据组之间的统计差异减小的方式标准化每个制造数据组。 该方法包括建立包括标准化制造数据集的数据库。 该方法包括以使得归一化数据库中的制造数据集统统地与选定的一个制造数据集统计地兼容的方式对数据库进行归一化。 该方法包括通过使用归一化数据库来预测所选择的一个半导体处理的性能。 所选择的半导体工艺对应于所选择的制造数据集。 该方法包括响应于预测的性能来控制半导体处理机。

    ADVANCED PROCESS CONTROL FOR NEW TAPEOUT PRODUCT
    6.
    发明申请
    ADVANCED PROCESS CONTROL FOR NEW TAPEOUT PRODUCT 有权
    新型贴片产品的先进工艺控制

    公开(公告)号：US20110112678A1

    公开(公告)日：2011-05-12

    申请号：US12616681

    申请日：2009-11-11

    申请人： Chih-Wei Hsu ,  Yu-Jen Cheng ,  Wen-Pin Liu ,  Shun-Ping Wang ,  Shin-Rung Lu ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Andy Tsen ,  Chun-Hsien Lin

    发明人： Chih-Wei Hsu ,  Yu-Jen Cheng ,  Wen-Pin Liu ,  Shun-Ping Wang ,  Shin-Rung Lu ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Andy Tsen ,  Chun-Hsien Lin

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： H01L21/67253 ,  G05B19/41865 ,  H01L21/67276 ,  Y02P90/20

    摘要： The present disclosure provides a semiconductor manufacturing method. The method includes providing product data of a product, the product data including a sensitive product parameter; searching existing products according to the sensitive product parameter to identify a relevant product from the existing products; determining an initial value of a processing model parameter to the product using corresponding data of the relevant product; assigning the initial value of the processing model parameter to a processing model associated with a manufacturing process; thereafter, tuning a processing recipe using the processing model; and performing the manufacturing process to a semiconductor wafer using the processing recipe.

    摘要翻译： 本发明提供一种半导体制造方法。 该方法包括提供产品的产品数据，产品数据包括敏感产品参数; 根据敏感产品参数搜索现有产品，从现有产品中识别相关产品; 使用相关产品的相应数据确定产品的处理模型参数的初始值; 将处理模型参数的初始值分配给与制造过程相关联的处理模型; 此后，使用该处理模型调整处理配方; 以及使用所述处理配方对所述半导体晶片进行制造处理。

    Advanced process control for new tapeout product
    7.
    发明授权
    Advanced process control for new tapeout product 有权
    新的流片产品的高级过程控制

    公开(公告)号：US08239056B2

    公开(公告)日：2012-08-07

    申请号：US12616681

    申请日：2009-11-11

    申请人： Chih-Wei Hsu ,  Yu-Jen Cheng ,  Wen-Pin Liu ,  Shun-Ping Wang ,  Shin-Rung Lu ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Andy Tsen ,  Chun-Hsien Lin

    发明人： Chih-Wei Hsu ,  Yu-Jen Cheng ,  Wen-Pin Liu ,  Shun-Ping Wang ,  Shin-Rung Lu ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou ,  Andy Tsen ,  Chun-Hsien Lin

    IPC分类号： G06F19/00

    CPC分类号： H01L21/67253 ,  G05B19/41865 ,  H01L21/67276 ,  Y02P90/20

    摘要： The present disclosure provides a semiconductor manufacturing method. The method includes providing product data of a product, the product data including a sensitive product parameter; searching existing products according to the sensitive product parameter to identify a relevant product from the existing products; determining an initial value of a processing model parameter to the product using corresponding data of the relevant product; assigning the initial value of the processing model parameter to a processing model associated with a manufacturing process; thereafter, tuning a processing recipe using the processing model; and performing the manufacturing process to a semiconductor wafer using the processing recipe.

    摘要翻译： 本发明提供一种半导体制造方法。 该方法包括提供产品的产品数据，产品数据包括敏感产品参数; 根据敏感产品参数搜索现有产品，从现有产品中识别相关产品; 使用相关产品的相应数据确定产品的处理模型参数的初始值; 将处理模型参数的初始值分配给与制造过程相关联的处理模型; 此后，使用该处理模型调整处理配方; 以及使用所述处理配方对所述半导体晶片进行制造处理。

    METHOD AND SYSTEM FOR IMPLEMENTING VIRTUAL METROLOGY IN SEMICONDUCTOR FABRICATION
    8.
    发明申请
    METHOD AND SYSTEM FOR IMPLEMENTING VIRTUAL METROLOGY IN SEMICONDUCTOR FABRICATION 有权
    在半导体制造中实现虚拟计量的方法和系统

    公开(公告)号：US20110238198A1

    公开(公告)日：2011-09-29

    申请号：US12731407

    申请日：2010-03-25

    申请人： Po-Feng Tsai ,  Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou

    发明人： Po-Feng Tsai ,  Andy Tsen ,  Jo Fei Wang ,  Jong-I Mou

    IPC分类号： G05B13/04 ,  G06F15/18

    CPC分类号： H01L22/20

    摘要： The present disclosure provides a method of fabricating a semiconductor device. The method includes collecting a plurality of manufacturing data sets from a plurality of semiconductor processes, respectively. The method includes normalizing each of the manufacturing data sets in a manner so that statistical differences among the manufacturing data sets are reduced. The method includes establishing a database that includes the normalized manufacturing data sets. The method includes normalizing the database in a manner so that the manufacturing data sets in the normalized database are statistically compatible with a selected one of the manufacturing data sets. The method includes predicting performance of a selected one of the semiconductor processes by using the normalized database. The selected semiconductor process corresponds to the selected manufacturing data set. The method includes controlling a semiconductor processing machine in response to the predicted performance.

    摘要翻译： 本公开提供了制造半导体器件的方法。 该方法包括分别从多个半导体处理中收集多个制造数据集。 该方法包括以制造数据组之间的统计差异减小的方式标准化每个制造数据组。 该方法包括建立包括标准化制造数据集的数据库。 该方法包括以使得归一化数据库中的制造数据集统统地与选定的一个制造数据集统计地兼容的方式对数据库进行归一化。 该方法包括通过使用归一化数据库来预测所选择的一个半导体处理的性能。 所选择的半导体工艺对应于所选择的制造数据集。 该方法包括响应于预测的性能来控制半导体处理机。

    METHOD FOR A BIN RATIO FORECAST AT NEW TAPE OUT STAGE
    9.
    发明申请
    METHOD FOR A BIN RATIO FORECAST AT NEW TAPE OUT STAGE 有权
    新带前端的比率预测方法

    公开(公告)号：US20110010215A1

    公开(公告)日：2011-01-13

    申请号：US12499345

    申请日：2009-07-08

    申请人： Chun-Hsien Lin ,  Andy Tsen ,  Jui-Long Chen ,  Sunny Wu ,  Jong-I Mou ,  Chia-Hung Huang

    发明人： Chun-Hsien Lin ,  Andy Tsen ,  Jui-Long Chen ,  Sunny Wu ,  Jong-I Mou ,  Chia-Hung Huang

    IPC分类号： G06Q10/00 ,  G06F17/18

    CPC分类号： G06Q10/06 ,  G06Q30/0202

    摘要： A method for providing a bin ratio forecast at an early stage of integrated circuit device manufacturing processes is disclosed. The method comprises collecting historical data from one or more processed wafer lots; collect measurement data from one or more skew wafer lots; generating an estimated baseline distribution from the collected historical data and collected measurement data; generating an estimated performance distribution based on one or more specified parameters and the generated estimated baseline distribution; determining a bin ratio forecast by applying a bin definition and a yield degradation factor estimation to the generated estimated performance distribution; determining one or more production targets based on the bin ratio forecast; and processing one or more wafers based on the one or more determined production targets.

    摘要翻译： 公开了一种用于在集成电路器件制造工艺的早期阶段提供容量比预测的方法。 该方法包括从一个或多个处理的晶片批次收集历史数据; 从一个或多个偏斜晶片批量收集测量数据; 从收集的历史数据和收集的测量数据生成估计的基线分布; 基于一个或多个指定参数和所生成的估计基线分布产生估计的性能分布; 通过对所生成的估计性能分布应用仓定义和产量退化因子估计来确定仓比预测; 根据仓比预测确定一个或多个生产目标; 以及基于所述一个或多个确定的生产目标来处理一个或多个晶圆。

    System and method for implementing wafer acceptance test (“WAT”) advanced process control (“APC”) with routing model
    10.
    发明授权
    System and method for implementing wafer acceptance test (“WAT”) advanced process control (“APC”) with routing model 有权
    使用路由模型实现晶片验收测试（“WAT”）高级过程控制（“APC”）的系统和方法

    公开(公告)号：US08219341B2

    公开(公告)日：2012-07-10

    申请号：US12411680

    申请日：2009-03-26

    申请人： Andy Tsen ,  Sunny Wu ,  Wang Jo Fei ,  Jong-I Mou

    发明人： Andy Tsen ,  Sunny Wu ,  Wang Jo Fei ,  Jong-I Mou

    IPC分类号： G06F19/00

    CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L22/14

    摘要： System and method for implementing wafer acceptance test (“WAT”) advanced process control (“APC”) are described. In one embodiment, the method comprises performing an inter-metal (“IM”) WAT on a plurality of processed wafer lots; selecting a subset of the plurality of wafer lots using a lot sampling process; and selecting a sample wafer group using the wafer lot subset, wherein IM WAT is performed on wafers of the sample wafer group to obtain IM WAT data therefore. The method further comprises estimating final WAT data for all wafers in the processed wafer lots from IM WAT data obtained for the sample wafer group and providing the estimated final WAT data to a WAT APC process for controlling processes.

    摘要翻译： 描述了实现晶片验收测试（“WAT”）高级过程控制（“APC”）的系统和方法。 在一个实施例中，该方法包括在多个经处理的晶片批次上执行金属间（“IM”）WAT; 使用批次采样处理来选择所述多个晶片批次的子集; 以及使用晶片批次子集选择样品晶片组，因此在样品晶片组的晶片上执行IM WAT以获得IM WAT数据。 该方法还包括从针对样品晶片组获得的IM WAT数据估计经处理的晶片批次中的所有晶片的最终WAT数据，并将估计的最终WAT数据提供给用于控制过程的WAT APC过程。