公开(公告)号：US06994757B2

公开(公告)日：2006-02-07

申请号：US10873523

申请日：2004-06-21

申请人： Craig S. Allen ,  John Schemenaur ,  David D. Senk ,  Marc Langlois ,  Xiaodong Hu ,  Jan Tzyy-Jiuan Hwang ,  Jud Ready ,  Trifon Tomov

发明人： Craig S. Allen ,  John Schemenaur ,  David D. Senk ,  Marc Langlois ,  Xiaodong Hu ,  Jan Tzyy-Jiuan Hwang ,  Jud Ready ,  Trifon Tomov

IPC分类号： C22C5/00

CPC分类号： H05K1/167 ,  H01C7/006 ,  H01C7/06 ,  H01C17/08 ,  H05K2201/0317 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/0361 ,  Y10T428/261 ,  Y10T428/31678

摘要： Electrically resistive material including platinum and from about 5 and about 70 molar percent of iridium, ruthenium or mixtures thereof, calculated based on platinum as 100%, are disclosed.

公开(公告)号：US06846370B2

公开(公告)日：2005-01-25

申请号：US10190292

申请日：2002-07-03

申请人： Craig S. Allen ,  John Schemenaur ,  David D. Senk ,  Marc Langlois ,  Xiaodong Hu ,  Jan Tzyy-Jiuan Hwang ,  Jud Ready ,  Trifon Tomov

发明人： Craig S. Allen ,  John Schemenaur ,  David D. Senk ,  Marc Langlois ,  Xiaodong Hu ,  Jan Tzyy-Jiuan Hwang ,  Jud Ready ,  Trifon Tomov

IPC分类号： H01C7/00 ,  H01C7/06 ,  H01C17/08 ,  H05K1/16 ,  C22C5/00

CPC分类号： H05K1/167 ,  H01C7/006 ,  H01C7/06 ,  H01C17/08 ,  H05K2201/0317 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/0361 ,  Y10T428/261 ,  Y10T428/31678

摘要： Electrically resistive material including platinum and from about 5 and about 70 molar percent or iridium, ruthenium or mixtures thereof, calculated based on platinum as 100%, are disclosed.

摘要翻译： 公开了基于铂为100％计算的包括铂和约5至约70摩尔％的电阻材料或铱，钌或其混合物。

公开(公告)号：US06781506B2

公开(公告)日：2004-08-24

申请号：US10340992

申请日：2003-01-13

申请人： John Schemenaur ,  Rajan Hariharan ,  Marc Langlois ,  Craig S. Allen

发明人： John Schemenaur ,  Rajan Hariharan ,  Marc Langlois ,  Craig S. Allen

IPC分类号： H01C1012

CPC分类号： H05K1/167 ,  H01C7/006 ,  H01C17/075 ,  H05K3/382 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/0307 ,  H05K2203/0338 ,  H05K2203/0361 ,  H05K2203/0723 ,  Y10T428/12431 ,  Y10T428/12438

摘要： Disclosed is a resistor structure for embedding in a dielectric material including a thin film resistive material disposed on a surface of a conductive layer wherein the surface has an isotropic surface roughness having a Rz (din) value of 3 to 10 &mgr;m and a peak-to-peak wavelength of 2 to 20 &mgr;m.

摘要翻译： 公开了一种用于嵌入电介质材料的电阻器结构，该电介质材料包括布置在导电层表面上的薄膜电阻材料，其中该表面具有Rz（din）值为3-10μm的各向同性表面粗糙度，并且峰 - 峰值波长为2〜20um。

公开(公告)号：US20060079050A1

公开(公告)日：2006-04-13

申请号：US11243890

申请日：2005-10-05

申请人： John Cahalen ,  Maria Rzeznik ,  John Schemenaur ,  Rajan Hariharan

发明人： John Cahalen ,  Maria Rzeznik ,  John Schemenaur ,  Rajan Hariharan

IPC分类号： H01L21/8242

CPC分类号： H05K1/162 ,  H01G4/005 ,  H01L28/75 ,  H05K3/384 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2203/0723

摘要： Structures including a capacitor dielectric material disposed on the surface of an electrode suitable for use in forming capacitors are disclosed. Methods of forming such structures are also disclosed.

摘要翻译： 公开了包括设置在适合用于形成电容器的电极的表面上的电容器电介质材料的结构。 还公开了形成这种结构的方法。

公开(公告)号：US6117250A

公开(公告)日：2000-09-12

申请号：US257332

申请日：1999-02-25

申请人： John Schemenaur ,  Lee Ellershaw ,  Todd Johnson ,  Michael Marsaglia

发明人： John Schemenaur ,  Lee Ellershaw ,  Todd Johnson ,  Michael Marsaglia

IPC分类号： C23F1/10 ,  C23F1/18 ,  C23F11/00 ,  H05K3/38 ,  H05K3/46 ,  C23C22/02

CPC分类号： H05K3/383 ,  C23F1/18 ,  H05K2203/0796 ,  H05K2203/124 ,  H05K2203/125 ,  H05K3/4611

摘要： Metal surfaces, particularly copper surfaces, which are oxidatively micro-etched to increase surface area, are provided acid-resistance by exposure to a thiazole compound and/or a thiocarbamide compound. The thiazole compound and/or thiocarbamide compound may be provided either in the oxidative micro-etching solution or provided in a post-micro-etching solution.

摘要翻译： 经氧化微蚀刻以增加表面积的金属表面，特别是铜表面通过暴露于噻唑化合物和/或硫代氨基甲酸酯化合物而具有耐酸性。 噻唑化合物和/或硫代氨基甲酸酯化合物可以在氧化微蚀刻溶液中提供或提供在后微蚀刻溶液中。

公开(公告)号：US06444140B2

公开(公告)日：2002-09-03

申请号：US09270690

申请日：1999-03-17

申请人： John Schemenaur ,  Todd Johnson ,  Michael Marsaglia

发明人： John Schemenaur ,  Todd Johnson ,  Michael Marsaglia

IPC分类号： B44C122

CPC分类号： C23C22/52 ,  C23F1/18 ,  H05K3/383 ,  H05K3/4611 ,  H05K2203/0796 ,  H05K2203/124

摘要： Metal surfaces, particularly copper surfaces, which are oxidatively micro-etched to increase surface area through the use of molybdenum. The micro-etch solutions contain a proton source, e.g., a mineral acid, an oxidizer agent, e.g., hydrogen peroxide, an azole compound, and a molybdenum source. These micro-etched surfaces can further be rendered acid-resistant by exposure to a thiazole compound and/or a thiocarbamide compound. The thiazole compound and/or thiocarbamide compound may be provided either in the oxidative micro-etching solution or provided in a post-micro-etching solution.

摘要翻译： 金属表面，特别是铜表面，其被氧化微蚀刻以通过使用钼来增加表面积。 微蚀刻溶液含有质子源，例如无机酸，氧化剂，例如过氧化氢，唑类化合物和钼源。这些微蚀刻表面可以进一步通过暴露于 噻唑化合物和/或硫代氨基甲酸酯化合物。 噻唑化合物和/或硫代氨基甲酸酯化合物可以在氧化微蚀刻溶液中提供或提供在后微蚀刻溶液中。