公开(公告)号：US06400015B1

公开(公告)日：2002-06-04

申请号：US09540072

申请日：2000-03-31

Applicant: David Fraser ,  Brian Doyle

Inventor： David Fraser ,  Brian Doyle

IPC: H01L2304

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/5225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: An apparatus on a wafer, comprising; a first metal layer of a wall, a second metal layer of the wall, a third metal layer of the wall comprising; one or more base frames, a fourth metal layer of the wall comprising; one or more vertical frame pairs each on top of the one or more base frames and having a pass-thru therein, a fifth metal layer of the wall comprising; one or more top frames each over the pass-thru; and a metal lid.

Abstract translation: 一种晶片上的装置，包括： 壁的第一金属层，壁的第二金属层，壁的第三金属层，包括： 一个或多个基架，所述壁的第四金属层包括： 一个或多个垂直框架对，每个在所述一个或多个基架的顶部上并且具有穿过其中的第五金属层，所述第五金属层包括： 一个或多个顶部框架，每个超过通过; 和金属盖。

公开(公告)号：US06949476B2

公开(公告)日：2005-09-27

申请号：US10637240

申请日：2003-08-07

Applicant: David Fraser ,  Brian Doyle

Inventor： David Fraser ,  Brian Doyle

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/5225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: An apparatus on a wafer, comprising: a first metal layer of a wall, a second metal layer of the wall, a third metal layer of the wall comprising: one or more base frames, a fourth metal layer of the wall comprising: one or more vertical frame pairs each on top of the one or more base frames and having a pass-thru therein, a fifth metal layer of the wall comprising: one or more top frames each over the pass-thru; and a metal lid.

Abstract translation: 一种晶片上的装置，包括：壁的第一金属层，所述壁的第二金属层，所述壁的第三金属层，所述第三金属层包括：一个或多个基架，所述壁的第四金属层包括：一个或 更多的垂直框架对，每个在一个或多个基架的顶部上并且具有穿过其中的第五金属层，所述第五金属层包括：穿过所述穿过的一个或多个顶部框架; 和金属盖。

公开(公告)号：US07759774B2

公开(公告)日：2010-07-20

申请号：US11206435

申请日：2005-08-17

Applicant: David Fraser ,  Brian Doyle

Inventor： David Fraser ,  Brian Doyle

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/02 ,  G21F3/00

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/5225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: An apparatus on a wafer, comprising; a first metal layer of a wall, a second metal layer of the wall, a third metal layer of the wall comprising; one or more base frames, a fourth metal layer of the wall comprising; one or more vertical frame pairs each on top of the one or more base frames and having a pass-thru therein, a fifth metal layer of the wall comprising; one or more top frames each over the pass-thru; and a metal lid.

Abstract translation: 一种晶片上的装置，包括： 壁的第一金属层，壁的第二金属层，壁的第三金属层，包括： 一个或多个基架，所述壁的第四金属层包括： 一个或多个垂直框架对，每个在所述一个或多个基架的顶部上并且具有穿过其中的第五金属层，所述第五金属层包括： 一个或多个顶部框架，每个超过通过; 和金属盖。

公开(公告)号：US20060033204A1

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：US11206435

申请日：2005-08-17

Applicant: David Fraser ,  Brian Doyle

Inventor： David Fraser ,  Brian Doyle

IPC: H01L21/44 ,  H01L23/043 ,  B65D85/00 ,  H01L23/34

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/5225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: An apparatus on a wafer, comprising; a first metal layer of a wall, a second metal layer of the wall, a third metal layer of the wall comprising; one or more base frames, a fourth metal layer of the wall comprising; one or more vertical frame pairs each on top of the one or more base frames and having a pass-thru therein, a fifth metal layer of the wall comprising; one or more top frames each over the pass-thru; and a metal lid.

公开(公告)号：US20050087820A1

公开(公告)日：2005-04-28

申请号：US10646034

申请日：2003-08-22

Applicant: Gang Bai ,  David Fraser ,  Brian Doyle ,  Peng Cheng ,  Chunlin Liang

Inventor： Gang Bai ,  David Fraser ,  Brian Doyle ,  Peng Cheng ,  Chunlin Liang

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/76

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28229 ,  H01L29/517

Abstract: A method of forming a dielectric layer suitable for use as the gate dielectric layer of a metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) includes oxidizing the surface of a silicon substrate, forming a metal layer over the oxidized surface, and reacting the metal with the oxidized surface to form a substantially intrinsic layer of silicon superjacent the substrate, wherein at least a portion of the silicon layer may be an epitaxial silicon layer, and a metal oxide layer superjacent the silicon layer. In a further aspect of the present invention, an integrated circuit includes a plurality of MOSFETs, wherein various ones of the plurality of transistors have metal oxide gate dielectric layers and substantially intrinsic silicon layers subjacent the metal oxide dielectric layers.

Abstract translation: 形成适合用作金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的栅极电介质层的电介质层的方法包括氧化硅衬底的表面，在氧化表面上形成金属层，并使金属 与氧化表面形成超过衬底的基本上本征的硅层，其中硅层的至少一部分可以是外延硅层，以及位于硅层之上的金属氧化物层。 在本发明的另一方面，集成电路包括多个MOSFET，其中多个晶体管中的各个晶体管具有金属氧化物栅极电介质层和位于金属氧化物电介质层之下的基本上本征的硅层。

公开(公告)号：US06696369B2

公开(公告)日：2004-02-24

申请号：US09821323

申请日：2001-03-28

Applicant: David Fraser ,  Brian Doyle

Inventor： David Fraser ,  Brian Doyle

IPC: H01L2131

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/5225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: An apparatus on a wafer, including; a first metal layer of a wall, a second metal layer of the wall, a third metal layer of the wall including; one or more base frames, a fourth metal layer of the wall including; one or more vertical frame pairs each on top of the one or more base frames and having a pass-thru therein, a fifth metal layer of the wall including; one or more top frames each over the pass-thru; and a metal lid.

Abstract translation: 一种晶片上的装置，包括： 壁的第一金属层，壁的第二金属层，壁的第三金属层，包括： 一个或多个基架，所述壁的第四金属层包括： 一个或多个垂直框架对，每个在一个或多个基架的顶部上并且具有穿过其中的第五金属层; 一个或多个顶部框架，每个超过通过; 和金属盖。

公开(公告)号：US08554830B2

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：US12240920

申请日：2008-09-29

Applicant: Simon Wynn ,  David Fraser

Inventor： Simon Wynn ,  David Fraser

IPC: G06F15/16 ,  G06F15/173

CPC classification number: H04W12/06 ,  H04L63/0428 ,  H04L63/08 ,  H04W84/12

Abstract: Systems and methods for selecting a wireless network are disclosed. In some embodiments, a method comprises receiving a first network device identifier for a first network device and a second network device identifier for a second network device, obtaining a first network profile comprising a first attribute, the first network profile based on the first network device identifier, obtaining a second network profile comprising a second attribute, the second network profile based on the second network device identifier, and selecting either the first network device identifier or the second network device identifier based on an attribute analysis of the first attribute and the second attribute.

Abstract translation: 公开了用于选择无线网络的系统和方法。 在一些实施例中，一种方法包括：接收用于第一网络设备的第一网络设备标识符和用于第二网络设备的第二网络设备标识符，获得包括第一属性的第一网络配置文件，所述第一网络配置文件基于所述第一网络设备 标识符，获得包括第二属性的第二网络配置文件，基于第二网络设备标识符的第二网络配置文件，以及基于第一属性和第二网络设备标识符的属性分析来选择第一网络设备标识符或第二网络设备标识符 属性。

公开(公告)号：US20090024550A1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：US12240920

申请日：2008-09-29

Applicant: Simon Wynn ,  David Fraser

Inventor： Simon Wynn ,  David Fraser

IPC: G06N5/02 ,  H04L9/32 ,  G06F7/06 ,  G06F15/16 ,  G06F17/30

CPC classification number: H04W12/06 ,  H04L63/0428 ,  H04L63/08 ,  H04W84/12

Abstract: Systems and methods for selecting a wireless network are disclosed. In some embodiments, a method comprises receiving a first network device identifier for a first network device and a second network device identifier for a second network device, obtaining a first network profile comprising a first attribute, the first network profile based on the first network device identifier, obtaining a second network profile comprising a second attribute, the second network profile based on the second network device identifier, and selecting either the first network device identifier or the second network device identifier based on an attribute analysis of the first attribute and the second attribute.

Abstract translation: 公开了用于选择无线网络的系统和方法。 在一些实施例中，一种方法包括：接收用于第一网络设备的第一网络设备标识符和用于第二网络设备的第二网络设备标识符，获得包括第一属性的第一网络配置文件，所述第一网络配置文件基于所述第一网络设备 标识符，获得包括第二属性的第二网络配置文件，基于第二网络设备标识符的第二网络配置文件，以及基于第一属性和第二网络设备标识符的属性分析来选择第一网络设备标识符或第二网络设备标识符 属性。

公开(公告)号：US20090020550A1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：US11778726

申请日：2007-07-17

Applicant: Rick Fincher ,  David Fraser ,  Gary Norton

Inventor： Rick Fincher ,  David Fraser ,  Gary Norton

IPC: A47F1/08

CPC classification number: A47F1/12

Abstract: A rack includes a loading chute into which products are loaded in a generally horizontal face-down orientation, and a dispensing chute defining a dispensing aperture at the front side of the rack. A cam is disposed at the rear end of the loading chute to tilt a product into an upright orientation and to position the upright product with the front face facing forward. The cam also slopes downwardly in a lateral direction so as to move the upright product onto the rear end of the dispensing ramp with the front face still facing forward. The product slides down the dispensing ramp and is stopped by a stop positioned adjacent the dispensing aperture. By virtue of the rack's design, facilitated by the specially designed cam, the upright product is positioned with its front face facing forward such that a consumer can view any indica thereon.

Abstract translation: 产品包括加载斜槽，产品以大致水平的面朝下方向装载在该装载槽中，以及分配槽，其在机架的前侧限定分配孔。 凸轮设置在装载滑槽的后端，以将产品倾斜成垂直的方向，并且将正面朝向前方定位。 凸轮还在横向方向上向下倾斜，以将直立产品移动到分配斜面的后端，而前面仍面向前方。 产品沿着分配斜坡滑下，并通过邻近分配孔定位的止动件停止。 凭借由专门设计的凸轮促进的机架设计，直立产品的前表面朝前，使得消费者可以看到其上的任何烙印。

公开(公告)号：US20130345269A1

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：US13883405

申请日：2011-11-03

Applicant: Ragnar Hovland ,  Tore Skjæret ,  David Fraser

Inventor： Ragnar Hovland ,  Tore Skjæret ,  David Fraser

IPC: C07C69/734 ,  C07D263/26 ,  C07C59/60

CPC classification number: C07C69/734 ,  A61K31/19 ,  A61K31/355 ,  C07C59/60 ,  C07D263/26 ,  A61K2300/00

Abstract: Methods are disclosed to treat or prevent at least one disease or condition in a subject in need thereof comprising administering a compound of Formula (I): or a pharmaceutically acceptable salt, or ester thereof, wherein R1 and R2 are independently chosen from a hydrogen atom or linear, branched, and/or cyclic C1-C6 alkyl groups, with the proviso that R1 and R2 are not both hydrogen or a pharmaceutically acceptable salt or ester thereof. Such diseases or conditions may relate to coronary heart disease (CHD), for example atherosclerosis; metabolic syndrome/insulin resistance; and/or a dyslipidemic condition such as hypertriglyceridemia (HTG), elevated LDL-cholesterol, elevated total-cholesterol, elevated Apo B and low HDL-cholesterol. The present disclosure further provides for a method of reducing atherosclerosis development. Pharmaceutical compositions comprising a compound of Formula (I) are also disclosed.

Abstract translation: 公开了治疗或预防有需要的受试者中的至少一种疾病或病症的方法，包括施用式（I）化合物或其药学上可接受的盐或酯，其中R 1和R 2独立地选自氢原子 或直链，支链和/或环状C 1 -C 6烷基，条件是R 1和R 2不同时为氢或其药学上可接受的盐或酯。 这些疾病或病症可能涉及冠心病（CHD），例如动脉粥样硬化; 代谢综合征/胰岛素抵抗; 和/或血脂异常状况如高甘油三酯血症（HTG），升高的LDL-胆固醇，升高的总胆固醇，升高的Apo B和低HDL-胆固醇。 本公开进一步提供了减少动脉粥样硬化发展的方法。 还公开了包含式（I）化合物的药物组合物。