公开(公告)号：US07759774B2

公开(公告)日：2010-07-20

申请号：US11206435

申请日：2005-08-17

Applicant: David Fraser ,  Brian Doyle

Inventor： David Fraser ,  Brian Doyle

IPC: H01L23/28 ,  H01L23/02 ,  G21F3/00

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/5225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: An apparatus on a wafer, comprising; a first metal layer of a wall, a second metal layer of the wall, a third metal layer of the wall comprising; one or more base frames, a fourth metal layer of the wall comprising; one or more vertical frame pairs each on top of the one or more base frames and having a pass-thru therein, a fifth metal layer of the wall comprising; one or more top frames each over the pass-thru; and a metal lid.

Abstract translation: 一种晶片上的装置，包括： 壁的第一金属层，壁的第二金属层，壁的第三金属层，包括： 一个或多个基架，所述壁的第四金属层包括： 一个或多个垂直框架对，每个在所述一个或多个基架的顶部上并且具有穿过其中的第五金属层，所述第五金属层包括： 一个或多个顶部框架，每个超过通过; 和金属盖。

公开(公告)号：US20060033204A1

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：US11206435

申请日：2005-08-17

Applicant: David Fraser ,  Brian Doyle

Inventor： David Fraser ,  Brian Doyle

IPC: H01L21/44 ,  H01L23/043 ,  B65D85/00 ,  H01L23/34

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/5225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: An apparatus on a wafer, comprising; a first metal layer of a wall, a second metal layer of the wall, a third metal layer of the wall comprising; one or more base frames, a fourth metal layer of the wall comprising; one or more vertical frame pairs each on top of the one or more base frames and having a pass-thru therein, a fifth metal layer of the wall comprising; one or more top frames each over the pass-thru; and a metal lid.

公开(公告)号：US20050087820A1

公开(公告)日：2005-04-28

申请号：US10646034

申请日：2003-08-22

Applicant: Gang Bai ,  David Fraser ,  Brian Doyle ,  Peng Cheng ,  Chunlin Liang

Inventor： Gang Bai ,  David Fraser ,  Brian Doyle ,  Peng Cheng ,  Chunlin Liang

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/76

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/28229 ,  H01L29/517

Abstract: A method of forming a dielectric layer suitable for use as the gate dielectric layer of a metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) includes oxidizing the surface of a silicon substrate, forming a metal layer over the oxidized surface, and reacting the metal with the oxidized surface to form a substantially intrinsic layer of silicon superjacent the substrate, wherein at least a portion of the silicon layer may be an epitaxial silicon layer, and a metal oxide layer superjacent the silicon layer. In a further aspect of the present invention, an integrated circuit includes a plurality of MOSFETs, wherein various ones of the plurality of transistors have metal oxide gate dielectric layers and substantially intrinsic silicon layers subjacent the metal oxide dielectric layers.

Abstract translation: 形成适合用作金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的栅极电介质层的电介质层的方法包括氧化硅衬底的表面，在氧化表面上形成金属层，并使金属 与氧化表面形成超过衬底的基本上本征的硅层，其中硅层的至少一部分可以是外延硅层，以及位于硅层之上的金属氧化物层。 在本发明的另一方面，集成电路包括多个MOSFET，其中多个晶体管中的各个晶体管具有金属氧化物栅极电介质层和位于金属氧化物电介质层之下的基本上本征的硅层。

公开(公告)号：US06696369B2

公开(公告)日：2004-02-24

申请号：US09821323

申请日：2001-03-28

Applicant: David Fraser ,  Brian Doyle

Inventor： David Fraser ,  Brian Doyle

IPC: H01L2131

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/5225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: An apparatus on a wafer, including; a first metal layer of a wall, a second metal layer of the wall, a third metal layer of the wall including; one or more base frames, a fourth metal layer of the wall including; one or more vertical frame pairs each on top of the one or more base frames and having a pass-thru therein, a fifth metal layer of the wall including; one or more top frames each over the pass-thru; and a metal lid.

Abstract translation: 一种晶片上的装置，包括： 壁的第一金属层，壁的第二金属层，壁的第三金属层，包括： 一个或多个基架，所述壁的第四金属层包括： 一个或多个垂直框架对，每个在一个或多个基架的顶部上并且具有穿过其中的第五金属层; 一个或多个顶部框架，每个超过通过; 和金属盖。

公开(公告)号：US06949476B2

公开(公告)日：2005-09-27

申请号：US10637240

申请日：2003-08-07

Applicant: David Fraser ,  Brian Doyle

Inventor： David Fraser ,  Brian Doyle

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/5225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: An apparatus on a wafer, comprising: a first metal layer of a wall, a second metal layer of the wall, a third metal layer of the wall comprising: one or more base frames, a fourth metal layer of the wall comprising: one or more vertical frame pairs each on top of the one or more base frames and having a pass-thru therein, a fifth metal layer of the wall comprising: one or more top frames each over the pass-thru; and a metal lid.

Abstract translation: 一种晶片上的装置，包括：壁的第一金属层，所述壁的第二金属层，所述壁的第三金属层，所述第三金属层包括：一个或多个基架，所述壁的第四金属层包括：一个或 更多的垂直框架对，每个在一个或多个基架的顶部上并且具有穿过其中的第五金属层，所述第五金属层包括：穿过所述穿过的一个或多个顶部框架; 和金属盖。

公开(公告)号：US06400015B1

公开(公告)日：2002-06-04

申请号：US09540072

申请日：2000-03-31

Applicant: David Fraser ,  Brian Doyle

Inventor： David Fraser ,  Brian Doyle

IPC: H01L2304

CPC classification number: H01L23/552 ,  H01L23/5225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: An apparatus on a wafer, comprising; a first metal layer of a wall, a second metal layer of the wall, a third metal layer of the wall comprising; one or more base frames, a fourth metal layer of the wall comprising; one or more vertical frame pairs each on top of the one or more base frames and having a pass-thru therein, a fifth metal layer of the wall comprising; one or more top frames each over the pass-thru; and a metal lid.

Abstract translation: 一种晶片上的装置，包括： 壁的第一金属层，壁的第二金属层，壁的第三金属层，包括： 一个或多个基架，所述壁的第四金属层包括： 一个或多个垂直框架对，每个在所述一个或多个基架的顶部上并且具有穿过其中的第五金属层，所述第五金属层包括： 一个或多个顶部框架，每个超过通过; 和金属盖。

公开(公告)号：US09455011B2

公开(公告)日：2016-09-27

申请号：US14350997

申请日：2012-03-25

Applicant: Arijit Raychowdhury ,  David Kencke ,  Brian Doyle ,  Charles Kuo ,  James Tschanz ,  Fatih Hamzaoglu ,  Yih Wang ,  Roksana Golizadeh Mojarad

Inventor： Arijit Raychowdhury ,  David Kencke ,  Brian Doyle ,  Charles Kuo ,  James Tschanz ,  Fatih Hamzaoglu ,  Yih Wang ,  Roksana Golizadeh Mojarad

IPC: G11C11/00 ,  G11C11/16 ,  G11C5/12 ,  G11C13/00

CPC classification number: G11C11/165 ,  G11C5/12 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1693 ,  G11C2013/0052 ,  G11C2013/0071

Abstract: Methods and systems to read a logic value stored in a magnetic tunnel junction (MTJ)-based memory cell based on a pulsed read current, with time between pulses to permit the MTJ to relax towards the magnetization orientation between the pulses, which may reduce build-up of momentum within the MTJ, and which may reduce and/or eliminate inadvertent re-alignment of a magnetization orientation. A sequence of symmetric and/or non-symmetric pulses may be applied to a wordline (WL) to cause a pre-charged bit line (BL) capacitance to discharge a pulsed read current through the MTJ, resulting in a corresponding sequence of voltage changes on the BL. The BL voltage changes may be integrated over the sequence of read current pulses, and a stored logic value may be determined based on the integrated voltage changes. The pre-charged BL capacitance may also serve as the voltage integrator.

Abstract translation: 基于脉冲读取电流读取存储在基于磁隧道结（MTJ）的存储单元中的逻辑值的方法和系统，脉冲之间的时间允许MTJ朝向脉冲之间的磁化取向松弛，这可以减少构建 - MTJ内的动量，并且其可以减少和/或消除磁化取向的无意重新对准。 对称和/或非对称脉冲的序列可以被施加到字线（WL），以使预充电位线（BL）电容放电通过MTJ的脉冲读取电流，从而产生相应的电压变化序列 在BL上。 可以在读取电流脉冲的序列上积分BL电压变化，并且可以基于积分的电压变化来确定存储的逻辑值。 预充电的BL电容也可以用作电压积分器。

公开(公告)号：US08980650B2

公开(公告)日：2015-03-17

申请号：US14454682

申请日：2014-08-07

Applicant: Kaan Oguz ,  Mark L. Doczy ,  Brian Doyle ,  Uday Shah ,  David L. Kencke ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Robert S. Chau

Inventor： Kaan Oguz ,  Mark L. Doczy ,  Brian Doyle ,  Uday Shah ,  David L. Kencke ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Robert S. Chau

IPC: H01L21/00 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L29/82 ,  H01L27/22 ,  H01L43/10 ,  H01F10/32 ,  H01F10/193 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/18 ,  H01F10/1933 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/325 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: Magnetic tunnel junctions (MTJ) suitable for spin transfer torque memory (STTM) devices, include perpendicular magnetic layers and one or more anisotropy enhancing layer(s) separated from a free magnetic layer by a crystallization barrier layer. In embodiments, an anisotropy enhancing layer improves perpendicular orientation of the free magnetic layer while the crystallization barrier improves tunnel magnetoresistance (TMR) ratio with better alignment of crystalline texture of the free magnetic layer with that of a tunneling layer.

Abstract translation: 适用于自旋转移转矩存储器（STTM）器件的磁隧道结（MTJ）包括垂直磁性层和通过结晶阻挡层与自由磁性层分离的一个或多个各向异性增强层。 在实施方案中，各向异性增强层改善了自由磁性层的垂直取向，而结晶势垒改善了隧道磁阻（TMR）比，同时自由磁层的晶体结构与隧穿层的结构更好地对准。

公开(公告)号：US08836056B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US13627968

申请日：2012-09-26

Applicant: Kaan Oguz ,  Mark L. Doczy ,  Brian Doyle ,  Uday Shah ,  David L. Kencke ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Robert S. Chau

Inventor： Kaan Oguz ,  Mark L. Doczy ,  Brian Doyle ,  Uday Shah ,  David L. Kencke ,  Roksana Golizadeh Mojarad ,  Robert S. Chau

IPC: H01L29/32 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/18 ,  H01F10/1933 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/325 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: Magnetic tunnel junctions (MTJ) suitable for spin transfer torque memory (STTM) devices, include perpendicular magnetic layers and one or more anisotropy enhancing layer(s) separated from a free magnetic layer by a crystallization barrier layer. In embodiments, an anisotropy enhancing layer improves perpendicular orientation of the free magnetic layer while the crystallization barrier improves tunnel magnetoresistance (TMR) ratio with better alignment of crystalline texture of the free magnetic layer with that of a tunneling layer.

Abstract translation: 适用于自旋转移转矩存储器（STTM）器件的磁隧道结（MTJ）包括垂直磁性层和通过结晶阻挡层与自由磁性层分离的一个或多个各向异性增强层。 在实施方案中，各向异性增强层改善了自由磁性层的垂直取向，而结晶势垒改善了隧道磁阻（TMR）比，同时自由磁层的晶体结构与隧穿层的结构更好地对准。

公开(公告)号：US20140095598A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：US13630035

申请日：2012-09-28

Applicant: JILL SCHORNACK ,  Eric Iverson ,  Brian Doyle ,  Aaron Hareid

Inventor： JILL SCHORNACK ,  Eric Iverson ,  Brian Doyle ,  Aaron Hareid

IPC: H04L29/08

CPC classification number: H04L67/10 ,  G06Q10/06 ,  G06Q10/101 ,  G06Q50/01

Abstract: A method for evaluating an online entity presence includes receiving a set of social media information for at least one entity and calculating a social media measurement where the social media measurement is associated with the set of social media information. The method further includes receiving a set of online profile information for the at least one entity, the set of online profile information being associated with one or more non-social media online profiles, and calculating an online profile measurement wherein the online profile measurement is associated with the set of online profile information. The method further includes calculating a reach value, the reach value being associated with the social media measurement and the online profile measurement and providing a reach score to a user where the reach score associated with the reach value.

Abstract translation: 一种用于评估在线实体存在的方法包括：接收用于至少一个实体的一组社交媒体信息，并且计算社交媒体测量与所述一组社交媒体信息相关联的社交媒体测量。 该方法还包括接收用于至少一个实体的一组在线简档信息，所述在线简档信息的集合与一个或多个非社交媒体在线简档相关联，以及计算在线简档测量，其中在线简档测量相关联 与一组在线个人资料信息。 该方法还包括计算一个达到值，该达到值与该社交媒体测量相关联，以及在线个人资料测量，并向该用户提供一个达到分数，该达成分与该达到值相关联。