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    NON-VOLATILE STORAGE WITH METAL OXIDE SWITCHING ELEMENT AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME
    1.
    发明申请
    NON-VOLATILE STORAGE WITH METAL OXIDE SWITCHING ELEMENT AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME 有权
    具有金属氧化物切换元件的非挥发性储存及其制造方法

    公开(公告)号：US20110227026A1

    公开(公告)日：2011-09-22

    申请号：US12942575

    申请日：2010-11-09

    申请人： Deepak C. Sekar ,  Franz Kreupl ,  Raghuveer Makala ,  Peter Rabkin ,  Chu-Chen Fu ,  Tong Zhang

    发明人： Deepak C. Sekar ,  Franz Kreupl ,  Raghuveer Makala ,  Peter Rabkin ,  Chu-Chen Fu ,  Tong Zhang

    IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/00

    CPC分类号： H01L45/146 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675

    摘要： Non-volatile storage elements having a reversible resistivity-switching element and techniques for fabricating the same are disclosed herein. The reversible resistivity-switching element may be formed by depositing an oxygen diffusion resistant material (e.g., heavily doped Si, W, WN) over the top electrode. A trap passivation material (e.g., fluorine, nitrogen, hydrogen, deuterium) may be incorporated into one or more of the bottom electrode, a metal oxide region, or the top electrode of the reversible resistivity-switching element. One embodiment includes a reversible resistivity-switching element having a bi-layer capping layer between the metal oxide and the top electrode. Fabricating the device may include depositing (un-reacted) titanium and depositing titanium oxide in situ without air brake. One embodiment includes incorporating titanium into the metal oxide of the reversible resistivity-switching element. The titanium might be implanted into the metal oxide while depositing the metal oxide, or after deposition of the metal oxide. Sub-plantation may be used to create a titanium region between two metal oxide regions.

    摘要翻译： 本文公开了具有可逆电阻率开关元件的非易失性存储元件及其制造技术。 可逆电阻率开关元件可以通过在顶部电极上沉​​积防氧扩散材料（例如，重掺杂的Si，W，WN）来形成。 可以将陷阱钝化材料（例如，氟，氮，氢，氘）并入到可逆电阻率切换元件的底部电极，金属氧化物区域或顶部电极中的一个或多个中。 一个实施例包括在金属氧化物和顶部​​电极之间具有双层覆盖层的可逆电阻率开关元件。 制造该器件可以包括沉积（未反应的）钛并原位沉积二氧化钛而不用空气制动。 一个实施例包括将钛结合到可逆电阻率开关元件的金属氧化物中。 可以在沉积金属氧化物的同时或在沉积金属氧化物之后将钛注入金属氧化物中。 亚种植园可用于在两个金属氧化物区域之间产生钛区域。

    MIIM diodes having stacked structure
    3.
    发明授权
    MIIM diodes having stacked structure 有权
    具有堆叠结构的MIIM二极管

    公开(公告)号：US07969011B2

    公开(公告)日：2011-06-28

    申请号：US12240785

    申请日：2008-09-29

    申请人： Deepak C. Sekar ,  Tanmay Kumar ,  Peter Rabkin ,  Er-Xuan Ping ,  Xiying Chen

    发明人： Deepak C. Sekar ,  Tanmay Kumar ,  Peter Rabkin ,  Er-Xuan Ping ,  Xiying Chen

    IPC分类号： H01L23/48

    CPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/149

    摘要： A metal-insulator diode is disclosed. In one aspect, the metal-insulator diode comprises first and second electrode and first and second insulators arraigned as follows. An insulating region has a trench formed therein. The trench has a bottom and side walls. The first electrode, which comprises a first metal, is on the side walls and over the bottom of the trench. A first insulator has a first interface with the first electrode. At least a portion of the first insulator is within the trench. A second insulator has a second interface with the first insulator. At least a portion of the second insulator is within the trench. The second electrode, which comprises a second metal, is in contact with the second insulator. The second electrode at least partially fills the trench.

    摘要翻译： 公开了一种金属绝缘体二极管。 在一个方面，金属绝缘体二极管包括第一和第二电极以及第一和第二绝缘体，如下所述。 绝缘区域中形成有沟槽。 沟槽有一个底部和侧壁。 第一电极包括第一金属，位于沟槽的侧壁和底部的上方。 第一绝缘体具有与第一电极的第一界面。 第一绝缘体的至少一部分在沟槽内。 第二绝缘体具有与第一绝缘体的第二接口。 第二绝缘体的至少一部分在沟槽内。 包括第二金属的第二电极与第二绝缘体接触。 第二电极至少部分地填充沟槽。

    MIIM DIODES HAVING STACKED STRUCTURE
    4.
    发明申请
    MIIM DIODES HAVING STACKED STRUCTURE 有权
    具有堆叠结构的MIIM二极管

    公开(公告)号：US20100078759A1

    公开(公告)日：2010-04-01

    申请号：US12240785

    申请日：2008-09-29

    申请人： Deepak C. Sekar ,  Tanmay Kumar ,  Peter Rabkin ,  Er-Xuan Ping ,  Xiying Chen

    发明人： Deepak C. Sekar ,  Tanmay Kumar ,  Peter Rabkin ,  Er-Xuan Ping ,  Xiying Chen

    IPC分类号： H01L23/525 ,  H01L21/44

    CPC分类号： H01L45/00 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/149

    摘要： A metal-insulator diode is disclosed. In one aspect, the metal-insulator diode comprises first and second electrode and first and second insulators arraigned as follows. An insulating region has a trench formed therein. The trench has a bottom and side walls. The first electrode, which comprises a first metal, is on the side walls and over the bottom of the trench. A first insulator has a first interface with the first electrode. At least a portion of the first insulator is within the trench. A second insulator has a second interface with the first insulator. At least a portion of the second insulator is within the trench. The second electrode, which comprises a second metal, is in contact with the second insulator. The second electrode at least partially fills the trench.

    摘要翻译： 公开了一种金属绝缘体二极管。 在一个方面，金属绝缘体二极管包括第一和第二电极以及第一和第二绝缘体，如下所述。 绝缘区域中形成有沟槽。 沟槽有一个底部和侧壁。 第一电极包括第一金属，位于沟槽的侧壁和底部的上方。 第一绝缘体具有与第一电极的第一界面。 第一绝缘体的至少一部分在沟槽内。 第二绝缘体具有与第一绝缘体的第二接口。 第二绝缘体的至少一部分在沟槽内。 包括第二金属的第二电极与第二绝缘体接触。 第二电极至少部分地填充沟槽。

    MIIM DIODES
    5.
    发明申请
    MIIM DIODES 审中-公开
    MIIM二极管

    公开(公告)号：US20100078758A1

    公开(公告)日：2010-04-01

    申请号：US12240766

    申请日：2008-09-29

    申请人： Deepak C. Sekar ,  Tanmay Kumar ,  Peter Rabkin ,  Xiying Chen

    发明人： Deepak C. Sekar ,  Tanmay Kumar ,  Peter Rabkin ,  Xiying Chen

    IPC分类号： H01L29/861 ,  G11C11/50 ,  H01L21/44

    CPC分类号： H01L45/145 ,  H01L27/2418 ,  H01L45/00 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/149

    摘要： A metal-insulator diode is disclosed. In one aspect, the metal-insulator diode comprises a first electrode comprising a first metal, a first region comprising a first insulating material, a second region comprising a second insulating material, and a second electrode comprising a second metal. The first region and the second region reside between the first electrode and the second electrode. The second insulating material is doped with nitrogen. Note that the second insulating material may have an interface with either the first electrode or the second electrode.

    摘要翻译： 公开了一种金属绝缘体二极管。 在一个方面，金属绝缘体二极管包括第一电极，第一电极包括第一金属，第一区域包括第一绝缘材料，第二区域包括第二绝缘材料，第二电极包括第二金属。 第一区域和第二区域位于第一电极和第二电极之间。 第二绝缘材料掺杂有氮。 注意，第二绝缘材料可以具有与第一电极或第二电极的界面。

    Memory system with reversible resistivity-switching using pulses of alternatrie polarity
    8.
    发明授权
    Memory system with reversible resistivity-switching using pulses of alternatrie polarity 有权
    具有可逆电阻率切换的存储系统，使用交替极性的脉冲

    公开(公告)号：US08462580B2

    公开(公告)日：2013-06-11

    申请号：US12948375

    申请日：2010-11-17

    申请人： Peter Rabkin ,  George Samachisa ,  Roy E. Scheuerlein

    发明人： Peter Rabkin ,  George Samachisa ,  Roy E. Scheuerlein

    IPC分类号： G11C7/12 ,  G11C8/08 ,  G11C7/22 ,  G11C11/36 ,  G11C11/34

    CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/72

    摘要： A memory system includes a plurality of non-volatile storage elements that each comprise a diode (or other steering device) in series with reversible resistance-switching material. One or more circuits in the memory system program the non-volatile storage elements by changing the reversible resistance-switching material of one or more non-volatile storage elements to a first resistance state. The memory system can also change the reversible resistance-switching material of one or more of the non-volatile storage elements from the first resistance state to a second resistance state by applying one or more pairs of opposite polarity voltage conditions (e.g., pulses) to the respective diodes (or other steering devices) such that current flows in the diodes (or other steering devices) without operating the diodes (or other steering devices) in breakdown condition.

    摘要翻译： 存储器系统包括多个非易失性存储元件，每个非易失性存储元件包括与可逆电阻切换材料串联的二极管（或其他转向装置）。 存储器系统中的一个或多个电路通过将一个或多个非易失性存储元件的可逆电阻切换材料改变为第一电阻状态而对非易失性存储元件进行编程。 存储系统还可以将一个或多个非易失性存储元件的可逆电阻切换材料从第一电阻状态改变到第二电阻状态，通过将一对或多对相反极性的电压条件（例如，脉冲）施加到 相应的二极管（或其他转向装置）使得电流在二极管（或其他转向装置）中流动，而不会在击穿情况下操作二极管（或其他转向装置）。

    Flash memory device having poly spacers
    9.
    发明授权
    Flash memory device having poly spacers 失效
    具有聚间隔物的闪存器件

    公开(公告)号：US07250341B2

    公开(公告)日：2007-07-31

    申请号：US11100123

    申请日：2005-04-05

    申请人： Hsingya Arthur Wang ,  Kai-Cheng Chou ,  Peter Rabkin

    发明人： Hsingya Arthur Wang ,  Kai-Cheng Chou ,  Peter Rabkin

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/788

    CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L27/11521

    摘要： A non-volatile memory device includes a substrate having a first active region and a second active region. A first floating gate is provided over the first active region and having an edge, the first floating gate being made of a conductive material. A first spacer is connected to the edge of the first floating gate and being made of the same conductive material as that of the first floating gate. A control gate is provided proximate to the floating gate.

    摘要翻译： 非易失性存储器件包括具有第一有源区和第二有源区的衬底。 第一浮动栅极设置在第一有源区上并具有边缘，第一浮栅由导电材料制成。 第一间隔件连接到第一浮栅的边缘并由与第一浮栅相同的导电材料制成。 控制门靠近浮动栅极设置。

    Non-volatile memory cells with selectively formed floating gate
    10.
    发明授权
    Non-volatile memory cells with selectively formed floating gate 失效
    具有选择性形成的浮动栅极的非易失性存储单元

    公开(公告)号：US06777741B2

    公开(公告)日：2004-08-17

    申请号：US10393603

    申请日：2003-03-19

    申请人： Peter Rabkin ,  Hsingya Arthur Wang ,  Kai-Cheng Chou

    发明人： Peter Rabkin ,  Hsingya Arthur Wang ,  Kai-Cheng Chou

    IPC分类号： H01L29788

    CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/115

    摘要： Non-volatile memory transistors are provided that include a floating gate formed from first and second layers of material such as polysilicon. The second floating gate layer is selectively grown or deposited on top of the first gate layer, eliminating the need to mask for positioning of the second floating gate layer. The memory transistors are separated by isolation regions. The second floating gate layer overlaps portions of the isolation regions to provide a high control gate-to-floating gate coupling ratio. The process enables smaller memory transistors. Floating gate to isolation overlap, and therefore floating gate to floating gate spacing, is controlled by selective deposition or selective epitaxial growth of the second polysilicon layer.

    摘要翻译： 提供了非易失性存储晶体管，其包括由第一和第二层材料（例如多晶硅）形成的浮置栅极。 第二浮栅层选择性地生长或沉积在第一栅极层的顶部上，消除了对第二浮栅层定位的掩模的需要。 存储晶体管由隔离区域分隔开。 第二浮栅层与隔离区域的一部分重叠以提供高控制栅 - 浮栅耦合比。 该过程使更小的存储晶体管。 浮栅为隔离重叠，因此浮栅为浮栅间隔，通过第二多晶硅层的选择性沉积或选择性外延生长来控制。