公开(公告)号：US07309561B2

公开(公告)日：2007-12-18

申请号：US11366368

申请日：2006-03-02

申请人： Sang-Jung Kim ,  Deog-Bae Kim ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Sang-Jung Kim ,  Deog-Bae Kim ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03C1/76

CPC分类号： G03F7/091

摘要： A polymer for forming an organic anti-reflective coating layer between an etching layer and a photoresist layer to absorb an exposure light in a photolithography process and a composition comprising the same are disclosed. The polymer for forming an organic anti-reflective coating layer has repeating units represented by wherein, R is a substituted or non-substituted alky group of C1 to C5.

公开(公告)号：US07282530B2

公开(公告)日：2007-10-16

申请号：US11366765

申请日：2006-03-02

申请人： Sang-Jung Kim ,  Deog-Bae Kim ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Sang-Jung Kim ,  Deog-Bae Kim ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： C08K5/01 ,  C08G65/16

CPC分类号： G03F7/091

摘要： A polymer for forming an organic anti-reflective coating layer between an etching layer and a photoresist layer to absorb an exposure light in a photolithography process and a composition comprising the same are disclosed. The polymer for forming an organic anti-reflective coating layer has repeating units represented by wherein, R is a substituted or non-substituted alky group of C1 to C5.

摘要翻译： 公开了一种用于在蚀刻层和光致抗蚀剂层之间形成有机抗反射涂层以在光刻工艺中吸收曝光光的聚合物和包含其的组合物。 用于形成有机抗反射涂层的聚合物具有由其中R为C1至C5的取代或未取代的烷基表示的重复单元。

公开(公告)号：US07745099B2

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：US12270532

申请日：2008-11-13

申请人： Jung-Woo Kim ,  Deog-Bae Kim ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Jung-Woo Kim ,  Deog-Bae Kim ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/038 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/38

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C69/94 ,  C07C2601/08 ,  C07C2601/14 ,  C07C2603/74 ,  C08G65/3315 ,  C08G65/3326 ,  C08G65/3346 ,  G03F7/0392

摘要： A photosensitive compound as a molecular resist whose size is smaller than conventional polymer for photoresist, and which can form a nano assembly, and a photoresist composition including the same are disclosed. The photosensitive compound represented by the following formula. Also, the present invention provides a photoresist composition comprising 1 to 85 wt % (weight %) of the photosensitive compound; 0.05 to 15 weight parts of a photo-acid generator with respect to 100 weight parts of the photosensitive compound; and 50 to 5000 weight parts of an organic solvent with respect to 100 weight parts of the photosensitive compound. In the formula, n is the number of repetition of an isopropyl oxide (—CH(CH3)CH2O—) monomer, and is an integer of 1 to 40, and R is an alkyl group of 1 to 20 carbon atoms or a cycloalkyl group of 3 to 20 carbon atoms.

摘要翻译： 公开了作为分子抗蚀剂的感光性化合物，其尺寸小于用于光致抗蚀剂的常规聚合物，并且可以形成纳米组件，并且包含其的光致抗蚀剂组合物。 由下式表示的感光性化合物。 另外，本发明提供了含有1〜85重量％（重量）感光性化合物的光致抗蚀剂组合物， 0.05〜15重量份的光酸发生剂相对于100重量份的感光性化合物; 相对于100重量份感光性化合物为50〜5000重量份的有机溶剂。 在该式中，n是异丙氧基（-CH（CH 3）CH 2 O-）单体的重复数，为1〜40的整数，R为碳原子数1〜20的烷基或环烷基 3至20个碳原子。

公开(公告)号：US07368219B2

公开(公告)日：2008-05-06

申请号：US11312788

申请日：2005-12-20

申请人： Sang-Jung Kim ,  Jong-Yong Kim ,  Deog-Bae Kim ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Sang-Jung Kim ,  Jong-Yong Kim ,  Deog-Bae Kim ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03C1/76

CPC分类号： G03F7/091 ,  C08G65/22

摘要： A polymer for forming an organic anti-reflective coating layer between an etching layer and a photoresist layer to absorb an exposure light in a photolithography process and a composition comprising the same are disclosed. The polymer for forming an organic anti-reflective coating layer has a repeating unit represented by wherein, R1 is hydrogen or methyl group, and R2 is a substituted or non-substituted alky group of C1 to C5. The composition for forming the organic anti-reflective coating layer includes the polymer having the repeating unit represented by above Formulas; a light absorber; and a solvent.

摘要翻译： 公开了一种用于在蚀刻层和光致抗蚀剂层之间形成有机抗反射涂层以在光刻工艺中吸收曝光光的聚合物和包含其的组合物。 用于形成有机抗反射涂层的聚合物具有由下式表示的重复单元，其中R 1是氢或甲基，R 2是取代或未取代的， C1至C5的取代烷基。 用于形成有机抗反射涂层的组合物包括具有由上式表示的重复单元的聚合物; 光吸收器 和溶剂。

公开(公告)号：US20100233622A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12618530

申请日：2009-11-13

申请人： Jun-Gyeong Lee ,  Jung-Youl Lee ,  Jeong-Sik Kim ,  Eu-Jean Jang ,  Jae-Woo Lee ,  Deog-Bae Kim ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Jun-Gyeong Lee ,  Jung-Youl Lee ,  Jeong-Sik Kim ,  Eu-Jean Jang ,  Jae-Woo Lee ,  Deog-Bae Kim ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03C1/00 ,  G03C1/053

CPC分类号： G03F7/40 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/70466 ,  H01L21/0273

摘要： Disclosed is a method for manufacturing fine patterns of semiconductor devices using a double exposure patterning process for manufacturing the second photoresist patterns by simply exposing without an exposure mask. The method comprises the steps of: forming a first photoresist pattern on a semiconductor substrate on which a layer to be etched is formed; coating a composition for a mirror interlayer on the first photoresist pattern to form a mirror interlayer; forming a photoresist layer on the resultant; and forming a second photoresist pattern which is made by a scattered reflection of the mirror-interlayer and positioned between the first photoresist patterns, by exposing the photoresist layer to a light having energy which is lower than a threshold energy (Eth) of the photoresist layer without an exposure mask, and then developing the same.

摘要翻译： 公开了一种使用双曝光图案化工艺制造精细图案的半导体器件的方法，用于通过简单地在没有曝光掩模的情况下曝光来制造第二光致抗蚀剂图案。 该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成第一光致抗蚀剂图案，在其上形成待蚀刻的层; 在第一光致抗蚀剂图案上涂覆用于镜面中间层的组合物以形成镜面中间层; 在所得物上形成光致抗蚀剂层; 以及通过将所述光致抗蚀剂层暴露于能量低于所述光致抗蚀剂层的阈值能量（Eth）的光而形成通过所述镜面 - 中间层的散射反射并且位于所述第一光致抗蚀剂图案之间的第二光致抗蚀剂图案， 没有曝光掩模，然后开发相同。

公开(公告)号：US20080070161A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：US11852664

申请日：2007-09-10

申请人： Deog-Bae Kim ,  Jung-Youl Lee ,  Geun-Jong Yu ,  Sang-Jung Kim ,  Jae-Woo Lee ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Deog-Bae Kim ,  Jung-Youl Lee ,  Geun-Jong Yu ,  Sang-Jung Kim ,  Jae-Woo Lee ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03C5/00 ,  C07C309/00 ,  C08G2/00 ,  C08G75/00 ,  G03C1/00

CPC分类号： G03F7/0392 ,  C07C309/00 ,  C07C2601/08 ,  C07C2601/14 ,  C07C2602/22 ,  C07C2602/42 ,  C07C2603/24 ,  C07C2603/74 ,  C07D307/32 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

摘要： The photoresist monomer including an oxime group, a polymer thereof and a photoresist composition containing the same are disclosed. The photoresist monomer is represented by following Formula. In Formula, R* is independently a hydrogen or a methyl group, and R is a substituted or unsubstituted C1˜C25 alkyl group with or without an ether group, or a substituted or unsubstituted C4˜C25 hydrocarbon group including an aryl group, a heteroaryl group, a cycloalkyl group or a multicycloalkyl group with or without an ether group, a ketone group or a sulfur.

摘要翻译： 公开了包含肟基的光致抗蚀剂单体，其聚合物和含有它们的光致抗蚀剂组合物。 光致抗蚀剂单体由下式表示。 在式中，R *独立地是氢或甲基，R是具有或不具有醚基的取代或未取代的C 1 -C 25烷基，或 具有或不具有醚基的芳基，杂芳基，环烷基或多环烷基的取代或未取代的C 4〜C 25烃基，酮 组或硫。

公开(公告)号：US07344820B2

公开(公告)日：2008-03-18

申请号：US10533936

申请日：2002-11-19

申请人： Eun-Kyung Son ,  Jae-Hyun Kang ,  Deog-Bae Kim ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Eun-Kyung Son ,  Jae-Hyun Kang ,  Deog-Bae Kim ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03F7/004 ,  C08F232/04 ,  C07C69/753

CPC分类号： C07C69/54 ,  C07C67/14 ,  C07C67/347 ,  C07C69/753 ,  C07C2601/14 ,  C07C2602/42 ,  C08F220/18 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

摘要： The present invention relates to a chemically amplified polymer having a pendent group with dicyclohexyl bonded thereto, a process for the preparation thereof, and a resist composition comprising it, and more particularly, to a novel (meth)acrylic or norbornene carboxylate compound with dicyclohexyl bonded thereto, a process for the preparation thereof, a chemically amplified polymer synthesized therewith, and a positive photoresist composition for ArF comprising said polymer, with high resolution and excellent etching resistance.

摘要翻译： 本发明涉及具有与其结合的二环己基的侧基的化学扩增聚合物，其制备方法和包含它的抗蚀剂组合物，更具体地说，涉及一种具有二环己基键合的新的（甲基）丙烯酸或降冰片烯羧酸酯化合物 其制备方法，由其合成的化学增幅聚合物和包含所述聚合物的用于ArF的正性光致抗蚀剂组合物，具有高分辨率和优异的抗蚀刻性。

公开(公告)号：US20060199108A1

公开(公告)日：2006-09-07

申请号：US11366765

申请日：2006-03-02

申请人： Sang-Jung Kim ,  Deog-Bae Kim ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Sang-Jung Kim ,  Deog-Bae Kim ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03C1/76

CPC分类号： G03F7/091

摘要： A polymer for forming an organic anti-reflective coating layer between an etching layer and a photoresist layer to absorb an exposure light in a photolithography process and a composition comprising the same are disclosed. The polymer for forming an organic anti-reflective coating layer has repeating units represented by wherein, R is a substituted or non-substituted alky group of C1 to C5.

摘要翻译： 公开了一种用于在蚀刻层和光致抗蚀剂层之间形成有机抗反射涂层以在光刻工艺中吸收曝光光的聚合物和包含其的组合物。 用于形成有机抗反射涂层的聚合物具有由其中R为C1至C5的取代或未取代的烷基表示的重复单元。

公开(公告)号：US20060019192A1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：US10533936

申请日：2002-11-19

申请人： Eun-Kyung SON ,  Jae-Hyun Kang ,  Deog-Bae Kim ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Eun-Kyung SON ,  Jae-Hyun Kang ,  Deog-Bae Kim ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03C1/492

CPC分类号： C07C69/54 ,  C07C67/14 ,  C07C67/347 ,  C07C69/753 ,  C07C2601/14 ,  C07C2602/42 ,  C08F220/18 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

摘要： The present invention relates to a chemically amplified polymer having a pendent group with dicyclohexyl bonded thereto, a process for the preparation thereof, and a resist composition comprising it, and more particularly, to a novel (meth)acrylic or norbornene carboxylate compound with dicyclohexyl bonded thereto, a process for the preparation thereof, a chemically amplified polymer synthesized therewith, and a positive photoresist composition for ArF comprising said polymer, with high resolution and excellent etching resistance.

摘要翻译： 本发明涉及具有与其结合的二环己基的侧基的化学扩增聚合物，其制备方法和包含它的抗蚀剂组合物，更具体地说，涉及一种具有二环己基键合的新的（甲基）丙烯酸或降冰片烯羧酸酯化合物 其制备方法，由其合成的化学增幅聚合物和包含所述聚合物的用于ArF的正性光致抗蚀剂组合物，具有高分辨率和优异的抗蚀刻性。

公开(公告)号：US20050271977A1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：US11142444

申请日：2005-06-02

申请人： Deog-Bae Kim ,  Sang-Jeoung Kim ,  Hwa-Young Kim ,  Jin Jegal ,  Jae-Hyun Kim

发明人： Deog-Bae Kim ,  Sang-Jeoung Kim ,  Hwa-Young Kim ,  Jin Jegal ,  Jae-Hyun Kim

IPC分类号： G03F7/004 ,  C08F8/12 ,  C08F212/14 ,  G03C1/492 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC分类号： C08F212/14 ,  C08F12/22 ,  C08F12/26 ,  C08K5/36 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  C08L25/14 ,  C08L25/18 ,  C08F212/08

摘要： A photosensitive polymer for forming high-resolution fine circuit patterns with an exposure light source of a short wavelength, and a chemically amplified photoresist composition including the polymer, are disclosed. The photosensitive polymer is represented by the following Formula 1, wherein R1 is a hydrogen atom, R2 is a hydrogen atom, R3 is a chlorine atom, a bromine atom, hydroxy, cyano, t-butoxy, CH2NH2, CONH2, CH═NH, CH(OH)NH2 or C(OH)═NH group, R4 is a hydrogen atom or methyl group, each of 1-x-y-z, x, y and z is a degree of polymerization of each repeating unit constituting the photosensitive polymer, x, y and z are 0.01 to 0.8, respectively, and n is 1 or 2.

摘要翻译： 公开了用于形成具有短波长的曝光光源的高分辨率精细电路图案的光敏聚合物和包含该聚合物的化学放大光致抗蚀剂组合物。 光敏聚合物由下式1表示，其中R 1是氢原子，R 2是氢原子，R 3是 氯原子，溴原子，羟基，氰基，叔丁氧基，CH 2 NH 2，CONH 2，CH-NH，CH （OH）NH 2或C（OH）-NH基，R 4是氢原子或甲基，1-xyz，x，y和z分别为 构成感光性聚合物的各重复单元的x，y，z的聚合度分别为0.01〜0.8，n为1或2。