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    MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY USING THE SAME
    2.
    发明申请
    MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC MEMORY USING THE SAME 有权
    磁性元件和使用它的磁记忆

    公开(公告)号：US20130009259A1

    公开(公告)日：2013-01-10

    申请号：US13424136

    申请日：2012-03-19

    申请人： Daisuke WATANABE ,  Katsuya NISHIYAMA ,  Toshihiko NAGASE ,  Koji UEDA ,  Tadashi KAI

    发明人： Daisuke WATANABE ,  Katsuya NISHIYAMA ,  Toshihiko NAGASE ,  Koji UEDA ,  Tadashi KAI

    IPC分类号： H01L29/82

    CPC分类号： H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

    摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element includes the following configuration. A first magnetic layer has an invariable magnetization. A second magnetic layer has a variable magnetization. A nonmagnetic layer is provided between the first and the second magnetic layers. The first magnetic layer has a structure in which first, second and third magnetic material films and a nonmagnetic material film are stacked. The first magnetic material film is provided in contact with the nonmagnetic layer, the nonmagnetic material film is provided in contact with the first magnetic material film, the second magnetic material film is provided in contact with the nonmagnetic material film, and the third magnetic material film is provided in contact with the second magnetic material film. The second magnetic material film has a Co concentration higher than that of the first magnetic material film.

    摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻元件包括以下构造。 第一磁性层具有不变的磁化。 第二磁性层具有可变磁化强度。 在第一和第二磁性层之间提供非磁性层。 第一磁性层具有堆叠第一，第二和第三磁性材料膜和非磁性材料膜的结构。 第一磁性材料膜设置成与非磁性层接触，非磁性材料膜设置成与第一磁性材料膜接触，第二磁性材料膜设置成与非磁性材料膜接触，并且第三磁性材料膜 设置成与第二磁性材料膜接触。 第二磁性材料膜的Co浓度高于第一磁性材料膜。

    MAGNETORESISTIVE ELEMENT
    3.
    发明申请
    MAGNETORESISTIVE ELEMENT 有权
    磁电元件

    公开(公告)号：US20140284742A1

    公开(公告)日：2014-09-25

    申请号：US13963762

    申请日：2013-08-09

    申请人： Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Tadashi KAI ,  Hiroaki YODA

    发明人： Kazuya SAWADA ,  Toshihiko NAGASE ,  Youngmin EEH ,  Koji UEDA ,  Daisuke WATANABE ,  Masahiko NAKAYAMA ,  Tadashi KAI ,  Hiroaki YODA

    IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10

    CPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10

    摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element includes first, second and third magnetic layers, and first and second nonmagnetic layers. The third magnetic layer has stack layers including a first stack layer close to the second magnetic layer, and a second stack layer far from the second magnetic layer. Each of the first and second stack layers includes a first layer made of a ferromagnetic material and a second layer made of a nonmagnetic material, and a first ratio of a film thickness of the first layer to that of the second layer in the first stack layer is higher than a second ratio of a film thickness of the first layer to that of the second layer in the second stack layer.

    摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻元件包括第一，第二和第三磁性层以及第一和第二非磁性层。 第三磁性层具有包括靠近第二磁性层的第一堆叠层和远离第二磁性层的第二堆叠层的堆叠层。 第一和第二堆叠层中的每一个包括由铁磁材料制成的第一层和由非磁性材料制成的第二层，并且第一层的第一层的膜厚度与第二层的膜厚度的第一比率 高于第二层的第一层的膜厚度与第二层的膜厚度的第二比率。

    MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
    7.
    发明申请
    MAGNETORESISTIVE ELEMENT AND MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY 有权
    磁性元件和磁性随机存取存储器

    公开(公告)号：US20150070128A1

    公开(公告)日：2015-03-12

    申请号：US14160166

    申请日：2014-01-21

    申请人： Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE ,  Kazuya SAWADA ,  Youngmin EEH ,  Daisuke WATANABE ,  Hiroaki YODA

    发明人： Koji UEDA ,  Toshihiko NAGASE ,  Kazuya SAWADA ,  Youngmin EEH ,  Daisuke WATANABE ,  Hiroaki YODA

    IPC分类号： H01L43/08

    CPC分类号： H01L43/10 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

    摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element comprises a first magnetic layer, a second magnetic layer, a first nonmagnetic layer, a second nonmagnetic layer, and a third magnetic layer. The first magnetic layer has a variable magnetization direction. The second magnetic layer has an invariable magnetization direction and includes a nonmagnetic material film and a magnetic material film. The first nonmagnetic layer is arranged between the first magnetic layer and the second magnetic layer. The second nonmagnetic layer is arranged on a surface of the second magnetic layer. The third magnetic layer is arranged on a surface of the second nonmagnetic layer. The second nonmagnetic layer is in contact with the nonmagnetic material film included in the second magnetic layer.

    摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻元件包括第一磁性层，第二磁性层，第一非磁性层，第二非磁性层和第三磁性层。 第一磁性层具有可变的磁化方向。 第二磁性层具有不变的磁化方向，并且包括非磁性材料膜和磁性材料膜。 第一非磁性层布置在第一磁性层和第二磁性层之间。 第二非磁性层布置在第二磁性层的表面上。 第三磁性层布置在第二非磁性层的表面上。 第二非磁性层与包含在第二磁性层中的非磁性材料膜接触。