公开(公告)号：US08187379B2

公开(公告)日：2012-05-29

申请号：US13074777

申请日：2011-03-29

申请人： Eugene Fitzgerald ,  Richard Westhoff ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Thomas A. Langdo

发明人： Eugene Fitzgerald ,  Richard Westhoff ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Thomas A. Langdo

IPC分类号： C30B21/02

CPC分类号： C30B29/52 ,  C23C16/029 ,  C23C16/22 ,  C23C16/4401 ,  C30B25/02 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： A method for minimizing particle generation during deposition of a graded Si1-xGex layer on a semiconductor material includes providing a substrate in an atmosphere including a Si precursor and a Ge precursor, wherein the Ge precursor has a decomposition temperature greater than germane, and depositing the graded Si1-xGex layer having a final Ge content of greater than about 0.15 and a particle density of less than about 0.3 particles/cm2 on the substrate.

摘要翻译： 在半导体材料上沉积梯度Si1-xGex层期间最小化颗粒产生的方法包括在包括Si前体和Ge前体的气氛中提供衬底，其中Ge前体的分解温度大于锗烷，并沉积 分级的Si1-xGex层，其具有大于约0.15的最终Ge含量和小于约0.3颗粒/ cm 2的颗粒密度。

公开(公告)号：US07955435B2

公开(公告)日：2011-06-07

申请号：US12711560

申请日：2010-02-24

申请人： Eugene Fitzgerald ,  Richard Westhoff ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Thomas A. Langdo

发明人： Eugene Fitzgerald ,  Richard Westhoff ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Thomas A. Langdo

IPC分类号： C30B21/04

CPC分类号： C30B29/52 ,  C23C16/029 ,  C23C16/22 ,  C23C16/4401 ,  C30B25/02 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： A method for minimizing particle generation during deposition of a graded Si.sub.1-xGe.sub.x layer on a semiconductor material includes providing a substrate in an atmosphere including a Si precursor and a Ge precursor, wherein the Ge precursor has a decomposition temperature greater than germane, and depositing the graded Si.sub.1-xGe.sub.x layer having a final Ge content of greater than about 0.15 and a particle density of less than about 0.3 particles/cm.sup.2 on the substrate.

摘要翻译： 在半导体材料上沉积梯度Si 1-x Ge x层的过程中使颗粒产生最小化的方法包括在包括Si前体和Ge前体的气氛中提供衬底，其中Ge前体具有分解 温度大于锗烷，并沉积具有大于约0.15的最终Ge含量并且小于约0.3颗粒/ cm 2的颗粒密度的梯度Si 1-x Ge 2层在衬底上 。

公开(公告)号：US20100206216A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：US12711560

申请日：2010-02-24

申请人： Eugene A. Fitzgerald ,  Richard Westhoff ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Thomas A. Langdo

发明人： Eugene A. Fitzgerald ,  Richard Westhoff ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Thomas A. Langdo

IPC分类号： C30B25/00

CPC分类号： C30B29/52 ,  C23C16/029 ,  C23C16/22 ,  C23C16/4401 ,  C30B25/02 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： A method for minimizing particle generation during deposition of a graded Si.sub.1-xGe.sub.x layer on a semiconductor material includes providing a substrate in an atmosphere including a Si precursor and a Ge precursor, wherein the Ge precursor has a decomposition temperature greater than germane, and depositing the graded Si.sub.1-xGe.sub.x layer having a final Ge content of greater than about 0.15 and a particle density of less than about 0.3 particles/cm.sup.2 on the substrate.

摘要翻译： 在半导体材料上沉积梯度Si 1-x Ge x层的过程中使颗粒产生最小化的方法包括在包括Si前体和Ge前体的气氛中提供衬底，其中Ge前体具有分解 温度大于锗烷，并沉积具有大于约0.15的最终Ge含量并且小于约0.3颗粒/ cm 2的颗粒密度的梯度Si 1-x Ge 2层在衬底上 。

公开(公告)号：US07674335B2

公开(公告)日：2010-03-09

申请号：US11371442

申请日：2006-03-09

申请人： Eugene A. Fitzgerald ,  Richard Westhoff ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Thomas A. Langdo

发明人： Eugene A. Fitzgerald ,  Richard Westhoff ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Thomas A. Langdo

IPC分类号： C30B21/02

CPC分类号： C30B29/52 ,  C23C16/029 ,  C23C16/22 ,  C23C16/4401 ,  C30B25/02 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： A method for minimizing particle generation during deposition of a graded Si1−xGex layer on a semiconductor material includes providing a substrate in an atmosphere including a Si precursor and a Ge precursor, wherein the Ge precursor has a decomposition temperature greater than germane, and depositing the graded Si1−xGex layer having a final Ge content of greater than about 0.15 and a particle density of less than about 0.3 particles/cm2 on the substrate.

摘要翻译： 在半导体材料上沉积梯度Si1-xGex层期间最小化颗粒产生的方法包括在包括Si前体和Ge前体的气氛中提供衬底，其中Ge前体的分解温度大于锗烷，并沉积 分级的Si1-xGex层，其具有大于约0.15的最终Ge含量和小于约0.3颗粒/ cm 2的颗粒密度。

公开(公告)号：US07041170B2

公开(公告)日：2006-05-09

申请号：US10392338

申请日：2003-03-19

申请人： Eugene A. Fitzgerald ,  Richard Westhoff ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Thomas A. Langdo

发明人： Eugene A. Fitzgerald ,  Richard Westhoff ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Thomas A. Langdo

IPC分类号： C30B29/05

CPC分类号： C30B29/52 ,  C23C16/029 ,  C23C16/22 ,  C23C16/4401 ,  C30B25/02 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： A method for minimizing particle generation during deposition of a graded Si1-xGex layer on a semiconductor material includes providing a substrate in an atmosphere including a Si precursor and a Ge precursor, wherein the Ge precursor has a decomposition temperature greater than germane, and depositing the graded Si1-xGex layer having a final Ge content of greater than about 0.15 and a particle density of less than about 0.3 particles/cm2 on the substrate.

摘要翻译： 在半导体材料上沉积梯度的Si 1-x N x N x层的最小化颗粒产生的方法包括在包括Si前体和Ge的气氛中提供衬底 前体，其中所述Ge前体具有大于锗烷的分解温度，以及沉积具有大于约0.15的最终Ge含量的分级的Si 1-x N x Ge x层;以及 衬底上的颗粒密度小于约0.3颗粒/ cm 2。

公开(公告)号：US20110177681A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：US13074777

申请日：2011-03-29

申请人： Eugene A. Fitzgerald ,  Richard Westhoff ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Thomas A. Langdo

发明人： Eugene A. Fitzgerald ,  Richard Westhoff ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Thomas A. Langdo

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C30B29/52 ,  C23C16/029 ,  C23C16/22 ,  C23C16/4401 ,  C30B25/02 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： A method for minimizing particle generation during deposition of a graded Si1-xGex layer on a semiconductor material includes providing a substrate in an atmosphere including a Si precursor and a Ge precursor, wherein the Ge precursor has a decomposition temperature greater than germane, and depositing the graded Si1-xGex layer having a final Ge content of greater than about 0.15 and a particle density of less than about 0.3 particles/cm2 on the substrate.

摘要翻译： 在半导体材料上沉积梯度Si1-xGex层期间最小化颗粒产生的方法包括在包括Si前体和Ge前体的气氛中提供衬底，其中Ge前体的分解温度大于锗烷，并沉积 分级的Si1-xGex层，其具有大于约0.15的最终Ge含量和小于约0.3颗粒/ cm 2的颗粒密度。

公开(公告)号：US08129747B2

公开(公告)日：2012-03-06

申请号：US12893777

申请日：2010-09-29

申请人： Richard Westhoff ,  Vicky Yang ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Christopher Leitz

发明人： Richard Westhoff ,  Vicky Yang ,  Matthew T. Currie ,  Christopher J. Vineis ,  Christopher Leitz

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0251 ,  C30B23/025 ,  C30B23/066 ,  C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/823807

摘要： Dislocation pile-ups in compositionally graded semiconductor layers are reduced or eliminated, thereby leading to increased semiconductor device yield and manufacturability. This is accomplished by introducing a semiconductor layer having a plurality of threading dislocations distributed substantially uniformly across its surface as a starting layer and/or at least one intermediate layer during growth and relaxation of the compositionally graded layer. The semiconductor layer may include a seed layer disposed proximal to the surface of the semiconductor layer and having the threading dislocations uniformly distributed therein.

摘要翻译： 组分梯度半导体层中的位错堆叠被减少或消除，从而导致半导体器件的产量和可制造性的提高。 这是通过在组成渐变层的生长和弛豫期间引入具有多个穿透位错基本上均匀分布在其表面上的半导体层作为起始层和/或至少一个中间层来实现的。 半导体层可以包括接近半导体层的表面并且穿透位错均匀分布在其中的晶种层。

公开(公告)号：US07332417B2

公开(公告)日：2008-02-19

申请号：US10765372

申请日：2004-01-27

申请人： Richard Westhoff ,  Christopher J. Vineis ,  Matthew T. Currie ,  Vicky T. Yang ,  Christopher W. Leitz

发明人： Richard Westhoff ,  Christopher J. Vineis ,  Matthew T. Currie ,  Vicky T. Yang ,  Christopher W. Leitz

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L21/324 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3247

摘要： Semiconductor structures are formed with semiconductor layers having reduced compositional variation. Top surfaces of the semiconductor layers are substantially haze-free.

摘要翻译： 半导体结构由具有降低的组成变化的半导体层形成。 半导体层的顶表面基本上是无雾的。

公开(公告)号：US20080135830A1

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：US11963120

申请日：2007-12-21

申请人： Richard Westhoff ,  Christopher J. Vineis ,  Matthew T. Currie ,  Vicky K. Yang ,  Christopher W. Leitz

发明人： Richard Westhoff ,  Christopher J. Vineis ,  Matthew T. Currie ,  Vicky K. Yang ,  Christopher W. Leitz

IPC分类号： H01L29/15

CPC分类号： H01L21/324 ,  C30B25/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3247

摘要： Semiconductor structures are formed with semiconductor layers having reduced compositional variation. Top surfaces of the semiconductor layers are substantially haze-free.

摘要翻译： 半导体结构由具有降低的组成变化的半导体层形成。 半导体层的顶表面基本上是无雾的。

公开(公告)号：US08823056B2

公开(公告)日：2014-09-02

申请号：US13348778

申请日：2012-01-12

申请人： Christopher Leitz ,  Christopher J. Vineis ,  Richard Westhoff ,  Vicky Yang ,  Matthew T. Currie

发明人： Christopher Leitz ,  Christopher J. Vineis ,  Richard Westhoff ,  Vicky Yang ,  Matthew T. Currie

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0251 ,  C30B23/025 ,  C30B23/066 ,  C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/823807

摘要： Dislocation pile-ups in compositionally graded semiconductor layers are reduced or eliminated, thereby leading to increased semiconductor device yield and manufacturability. This is accomplished by introducing a semiconductor layer having a plurality of threading dislocations distributed substantially uniformly across its surface as a starting layer and/or at least one intermediate layer during growth and relaxation of the compositionally graded layer. The semiconductor layer may include a seed layer disposed proximal to the surface of the semiconductor layer and having the threading dislocations uniformly distributed therein.

摘要翻译： 组分梯度半导体层中的位错堆叠被减少或消除，从而导致半导体器件的产量和可制造性的提高。 这是通过在组成渐变层的生长和弛豫期间引入具有多个穿透位错基本上均匀分布在其表面上的半导体层作为起始层和/或至少一个中间层来实现的。 半导体层可以包括接近半导体层的表面并且穿透位错均匀分布在其中的晶种层。