公开(公告)号：US20070138544A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：US11469011

申请日：2006-08-31

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Thorsten Meyer ,  Wolfgang Klein ,  Frank Pfirsch

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Thorsten Meyer ,  Wolfgang Klein ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L27/04 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/732 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/861

摘要： A field plate trench transistor having a semiconductor body is disclosed. In one embodiment, the semiconductor has a trench structure and an electrode structure embedded in the trench structure. The electrode structure being electrically insulated from the semiconductor body by an insulation structure and having a gate electrode structure and a field electrode structure. The field plate trench transistor has a voltage divider configured such that the field electrode structure is set to a potential lying between source and drain potentials.

摘要翻译： 公开了一种具有半导体本体的场板沟槽晶体管。 在一个实施例中，半导体具有沟槽结构和嵌入沟槽结构中的电极结构。 电极结构通过绝缘结构与半导体本体电绝缘并具有栅电极结构和场电极结构。 场板沟槽晶体管具有分压器，其被配置为使得场电极结构被设置为位于源极和漏极之间的电位。

公开(公告)号：US08334564B2

公开(公告)日：2012-12-18

申请号：US12984253

申请日：2011-01-04

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Thorsten Meyer ,  Wolfgang Klein ,  Frank Pfirsch

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Thorsten Meyer ,  Wolfgang Klein ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L27/04 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/732 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/861

摘要： A field plate trench transistor having a semiconductor body. In one embodiment the semiconductor has a trench structure and an electrode structure embedded in the trench structure. The electrode structure being electrically insulated from the semiconductor body by an insulation structure and having a gate electrode structure and a field electrode structure. The field plate trench transistor has a voltage divider configured such that the field electrode structure is set to a potential lying between source and drain potentials.

摘要翻译： 具有半导体本体的场板沟槽晶体管。 在一个实施例中，半导体具有沟槽结构和嵌入沟槽结构中的电极结构。 电极结构通过绝缘结构与半导体本体电绝缘并具有栅电极结构和场电极结构。 场板沟槽晶体管具有分压器，其被配置为使得场电极结构被设置为位于源极和漏极之间的电位。

公开(公告)号：US20090114986A1

公开(公告)日：2009-05-07

申请号：US12349952

申请日：2009-01-07

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Thorsten Meyer ,  Wolfgang Klein ,  Frank Pfirsch

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Thorsten Meyer ,  Wolfgang Klein ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L27/04 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/732 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/861

摘要： A field plate trench transistor having a semiconductor body. In one embodiment the semiconductor has a trench structure and an electrode structure embedded in the trench structure. The electrode structure being electrically insulated from the semiconductor body by an insulation structure and having a gate electrode structure and a field electrode structure. The field plate trench transistor has a voltage divider configured such that the field electrode structure is set to a potential lying between source and drain potentials.

摘要翻译： 具有半导体本体的场板沟槽晶体管。 在一个实施例中，半导体具有沟槽结构和嵌入沟槽结构中的电极结构。 电极结构通过绝缘结构与半导体本体电绝缘并具有栅电极结构和场电极结构。 场板沟槽晶体管具有分压器，其被配置为使得场电极结构被设置为位于源极和漏极之间的电位。

公开(公告)号：US20110095362A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：US12984253

申请日：2011-01-04

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Thorsten Meyer ,  Wolfgang Klein ,  Frank Pfirsch

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Thorsten Meyer ,  Wolfgang Klein ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L27/04 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/732 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/861

摘要： A field plate trench transistor having a semiconductor body. In one embodiment the semiconductor has a trench structure and an electrode structure embedded in the trench structure. The electrode structure being electrically insulated from the semiconductor body by an insulation structure and having a gate electrode structure and a field electrode structure. The field plate trench transistor has a voltage divider configured such that the field electrode structure is set to a potential lying between source and drain potentials.

摘要翻译： 具有半导体本体的场板沟槽晶体管。 在一个实施例中，半导体具有沟槽结构和嵌入沟槽结构中的电极结构。 电极结构通过绝缘结构与半导体本体电绝缘并具有栅电极结构和场电极结构。 场板沟槽晶体管具有分压器，其被配置为使得场电极结构被设置为位于源极和漏极之间的电位。

公开(公告)号：US07893486B2

公开(公告)日：2011-02-22

申请号：US12349952

申请日：2009-01-07

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Thorsten Meyer ,  Wolfgang Klein ,  Frank Pfirsch

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Thorsten Meyer ,  Wolfgang Klein ,  Frank Pfirsch

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L27/04 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/732 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/861

摘要： A field plate trench transistor having a semiconductor body. In one embodiment the semiconductor has a trench structure and an electrode structure embedded in the trench structure. The electrode structure being electrically insulated from the semiconductor body by an insulation structure and having a gate electrode structure and a field electrode structure. The field plate trench transistor has a voltage divider configured such that the field electrode structure is set to a potential lying between source and drain potentials.

摘要翻译： 具有半导体本体的场板沟槽晶体管。 在一个实施例中，半导体具有沟槽结构和嵌入沟槽结构中的电极结构。 电极结构通过绝缘结构与半导体本体电绝缘并具有栅电极结构和场电极结构。 场板沟槽晶体管具有分压器，其被配置为使得场电极结构被设置为位于源极和漏极之间的电位。

公开(公告)号：US08618598B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US13183872

申请日：2011-07-15

申请人： Oliver Haeberlen ,  Joachim Krumrey ,  Franz Hirler ,  Walter Rieger

发明人： Oliver Haeberlen ,  Joachim Krumrey ,  Franz Hirler ,  Walter Rieger

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/772

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7805

摘要： A semiconductor device includes a source metallization, a source region of a first conductivity type in contact with the source metallization, a body region of a second conductivity type which is adjacent to the source region. The semiconductor device further includes a first field-effect structure including a first insulated gate electrode and a second field-effect structure including a second insulated gate electrode which is electrically connected to the source metallization. The capacitance per unit area between the second insulated gate electrode and the body region is larger than the capacitance per unit area between the first insulated gate electrode and the body region.

摘要翻译： 半导体器件包括源极金属化，与源极金属化接触的第一导电类型的源极区域，与源极区域相邻的第二导电类型的主体区域。 半导体器件还包括第一场效应结构，其包括第一绝缘栅电极和第二场效应结构，第二场效应结构包括与源极金属化电连接的第二绝缘栅电极。 第二绝缘栅电极和体区之间的每单位面积的电容大于第一绝缘栅极与体区之间的每单位面积的电容。

公开(公告)号：US08564061B2

公开(公告)日：2013-10-22

申请号：US11132151

申请日：2005-05-18

申请人： Walter Rieger ,  Franz Hirler ,  Martin Poelzl ,  Manfred Kotek

发明人： Walter Rieger ,  Franz Hirler ,  Martin Poelzl ,  Manfred Kotek

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/485 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device has elongate plug structures extending in the lateral direction. The plug structures serve as electrical lines in order to enable locally defined lateral current flows within the cell array, within edge regions or logic regions of the semiconductor device.

摘要翻译： 半导体器件具有沿横向方向延伸的细长插塞结构。 插塞结构用作电线，以便能够在半导体器件的边缘区域或逻辑区域内的电池阵列内局部限定的横向电流流动。

公开(公告)号：US08362551B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US13270253

申请日：2011-10-11

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlein ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlein ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, a field effect transistor has a semiconductor body, a drift region of a first conductivity type and a gate electrode. At least one trench extends into the drift region. A field plate is arranged at least in a portion of the at least one trench. A dielectric material at least partially surrounds both the gate electrode and the field plate. The field plate includes a first semiconducting material.

摘要翻译： 在一个实施例中，场效应晶体管具有半导体本体，第一导电类型的漂移区和栅电极。 至少一个沟槽延伸到漂移区域中。 至少在所述至少一个沟槽的一部分中布置场板。 绝缘材料至少部分地围绕栅电极和场板两者。 场板包括第一半导体材料。

公开(公告)号：US20100117144A1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：US12268182

申请日：2008-11-10

申请人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlen ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

发明人： Franz Hirler ,  Walter Rieger ,  Andrew Wood ,  Mathias Born ,  Ralf Siemieniec ,  Jan Ropohl ,  Martin Poelzl ,  Oliver Blank ,  Uli Hiller ,  Oliver Haeberlen ,  Rudolf Zelsacher ,  Maximilian Roesch ,  Joachim Krumrey

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, a field effect transistor has a semiconductor body, a drift region of a first conductivity type and a gate electrode. At least one trench extends into the drift region. A field plate is arranged at least in a portion of the at least one trench. A dielectric material at least partially surrounds both the gate electrode and the field plate. The field plate includes a first semiconducting material.

摘要翻译： 在一个实施例中，场效应晶体管具有半导体本体，第一导电类型的漂移区和栅电极。 至少一个沟槽延伸到漂移区域中。 至少在所述至少一个沟槽的一部分中布置场板。 绝缘材料至少部分地围绕栅电极和场板两者。 场板包括第一半导体材料。

公开(公告)号：US07465987B2

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：US11468994

申请日：2006-08-31

申请人： Joachim Krumrey ,  Franz Hirler ,  Walter Rieger

发明人： Joachim Krumrey ,  Franz Hirler ,  Walter Rieger

IPC分类号： H01L27/108

CPC分类号： H01L29/7811 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7813

摘要： A trench transistor structure having a field electrode arrangement formed in trenches is disclosed. In one embodiment, the field electrode arrangement is conductively connected to subvoltage taps of a voltage divider for the purpose of stabilizing the potentials on a longer time scale than dynamic charge reversal processes.

摘要翻译： 公开了一种在沟槽中形成有场电极布置的沟槽晶体管结构。 在一个实施例中，为了在比动态电荷反转过程更长的时间尺度上稳定电位的目的，场电极装置导通地连接到分压器的子电压抽头。