公开(公告)号：US09287130B1

公开(公告)日：2016-03-15

申请号：US14676345

申请日：2015-04-01

申请人： GLOBALFOUNDRIES Inc. ,  International Business Machines Corporation ,  STMicroelectronics, Inc.

发明人： Xiuyu Cai ,  Ajey Poovannummoottil Jacob ,  Ruilong Xie ,  Bruce Doris ,  Kangguo Cheng ,  Jason R. Cantone ,  Sylvie Mignot ,  David Moreau ,  Muthumanickam Sankarapandian ,  Pierre Morin ,  Su Chen Fan ,  Kisik Choi ,  Murat K. Akarvardar

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/308 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266

CPC分类号： H01L21/823431 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/845 ,  H01L29/66795

摘要： A method includes forming a plurality of fin elements above a substrate. A mask is formed above the substrate. The mask has an opening defined above at least one selected fin element of the plurality of fin elements. An ion species is implanted into the at least one selected fin element through the opening to increase its etch characteristics relative to the other fin elements. The at least one selected fin element is removed selectively relative to the other fin elements.

摘要翻译： 一种方法包括在基底上形成多个翅片元件。 在基板上形成掩模。 掩模具有限定在多个翅片元件中的至少一个选定翅片元件上方的开口。 通过开口将离子物质注入到至少一个选定的翅片元件中，以相对于其它翅片元件增加其蚀刻特性。 选择性地将至少一个选定的翅片元件相对于其它翅片元件移除。

公开(公告)号：US09478663B2

公开(公告)日：2016-10-25

申请号：US14526617

申请日：2014-10-29

申请人： GLOBALFOUNDRIES Inc.

发明人： Ajey Poovannummoottil Jacob ,  Jody A. Fronheiser ,  Yi Qi ,  Sylvie Mignot

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/324 ,  H01L21/18 ,  H01L29/165 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/7851 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/18 ,  H01L21/324 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

摘要： A method includes forming a fin on a semiconductor substrate and forming recesses on sidewalls of the fin. A silicon alloy material is formed in the recesses. A thermal process is performed to define a silicon alloy fin portion from the silicon alloy material and the fin. A semiconductor device includes a substrate, a fin defined on the substrate and an isolation structure disposed adjacent the fin. A first portion of the fin extending above the isolation structure has a substantially vertical sidewall and a different material composition than a second portion of the fin not extending above the isolation structure.

摘要翻译： 一种方法包括在半导体衬底上形成翅片并在翅片的侧壁上形成凹槽。 凹槽中形成硅合金材料。 进行热处理以从硅合金材料和翅片限定硅合金翅片部分。 半导体器件包括衬底，限定在衬底上的翅片和邻近翅片设置的隔离结构。 在隔离结构上方延伸的翅片的第一部分具有基本上垂直的侧壁和不同于在隔离结构上方延伸的翅片的第二部分的不同材料组成。

公开(公告)号：US20160126353A1

公开(公告)日：2016-05-05

申请号：US14526617

申请日：2014-10-29

申请人： GLOBALFOUNDRIES Inc.

发明人： Ajey Poovannummoottil Jacob ,  Jody A. Fronheiser ,  Yi Qi ,  Sylvie Mignot

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/225 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/165 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7851 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/18 ,  H01L21/324 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

摘要： A method includes forming a fin on a semiconductor substrate and forming recesses on sidewalls of the fin. A silicon alloy material is formed in the recesses. A thermal process is performed to define a silicon alloy fin portion from the silicon alloy material and the fin. A semiconductor device includes a substrate, a fin defined on the substrate and an isolation structure disposed adjacent the fin. A first portion of the fin extending above the isolation structure has a substantially vertical sidewall and a different material composition than a second portion of the fin not extending above the isolation structure.

摘要翻译： 一种方法包括在半导体衬底上形成翅片并在翅片的侧壁上形成凹槽。 凹槽中形成硅合金材料。 进行热处理以从硅合金材料和翅片限定硅合金翅片部分。 半导体器件包括衬底，限定在衬底上的翅片和邻近翅片设置的隔离结构。 在隔离结构上方延伸的翅片的第一部分具有基本上垂直的侧壁和不同于在隔离结构上方延伸的翅片的第二部分的不同材料组成。

公开(公告)号：US09299775B2

公开(公告)日：2016-03-29

申请号：US14254866

申请日：2014-04-16

申请人： GLOBALFOUNDRIES, Inc.

发明人： Steven Bentley ,  Kejia Wang ,  Sylvie Mignot ,  Shurong Liang

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： Integrated circuits and methods for producing such integrated circuits are provided. A method for producing the integrated circuit includes forming dummy structures in a substrate, and forming shallow trench isolation regions between the dummy structures where the shallow trench isolation regions includes a liner overlying a core. The dummy structures are etched to expose structure bases, and the structure bases are precleaned. Replacement structures are epitaxially grown over the structure bases.

摘要翻译： 提供了用于制造这种集成电路的集成电路和方法。 一种用于制造集成电路的方法包括在衬底中形成虚拟结构，以及在虚设结构之间形成浅沟槽隔离区，其中浅沟槽隔离区包括覆盖在芯上的衬垫。 蚀刻虚拟结构以暴露结构基底，并且将结构基底预清洁。 替代结构在结构基底上外延生长。

公开(公告)号：US20150303249A1

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：US14254866

申请日：2014-04-16

申请人： GLOBALFOUNDRIES, INC.

发明人： Steven Bentley ,  Kejia Wang ,  Sylvie Mignot ,  Shurong Liang

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L29/0649 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： Integrated circuits and methods for producing such integrated circuits are provided. A method for producing the integrated circuit includes forming dummy structures in a substrate, and forming shallow trench isolation regions between the dummy structures where the shallow trench isolation regions includes a liner overlying a core. The dummy structures are etched to expose structure bases, and the structure bases are precleaned. Replacement structures are epitaxially grown over the structure bases.

摘要翻译： 提供了用于制造这种集成电路的集成电路和方法。 一种用于制造集成电路的方法包括在衬底中形成虚拟结构，以及在虚设结构之间形成浅沟槽隔离区，其中浅沟槽隔离区包括覆盖在芯上的衬垫。 蚀刻虚拟结构以暴露结构基底，并且将结构基底预清洁。 替代结构在结构基底上外延生长。