公开(公告)号：US20120080730A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US13313806

申请日：2011-12-07

申请人： GREGORY S. SPENCER ,  Jill C. Hldreth ,  Robert E. Jones

发明人： GREGORY S. SPENCER ,  Jill C. Hldreth ,  Robert E. Jones

IPC分类号： H01L31/113

CPC分类号： G02B6/12004 ,  H01L21/76283 ,  H01L27/1203 ,  H01L31/028 ,  H01L31/112

摘要： A semiconductor structure having a transistor region and an optical device region includes a transistor in a first semiconductor layer of the semiconductor structure, wherein the first semiconductor layer is over a first insulating layer, the first insulating layer is over a second semiconductor layer, and the second semiconductor layer is over a second insulating layer. A gate dielectric of the transistor is in physical contact with a top surface of the first semiconductor layer, and the transistor is formed in the transistor region of the semiconductor structure. A waveguide device in the optical device region and a third semiconductor layer over a portion of the second semiconductor layer.

摘要翻译： 具有晶体管区域和光学器件区域的半导体结构包括在半导体结构的第一半导体层中的晶体管，其中第一半导体层在第一绝缘层之上，第一绝缘层在第二半导体层上，并且 第二半导体层在第二绝缘层之上。 晶体管的栅极电介质与第一半导体层的顶表面物理接触，并且晶体管形成在半导体结构的晶体管区域中。 光学器件区域中的波导器件和第二半导体层的一部分上的第三半导体层。

公开(公告)号：US20140213050A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：US14230875

申请日：2014-03-31

申请人： GREGORY S. SPENCER ,  Philip E. Crabtree ,  Dean J. Denning ,  Kurt H. Junker ,  Gerald A. Martin

发明人： GREGORY S. SPENCER ,  Philip E. Crabtree ,  Dean J. Denning ,  Kurt H. Junker ,  Gerald A. Martin

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76879 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76885 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0392 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： A method for making a semiconductor device comprises forming an electrical interconnect layer, forming a first dielectric layer over the interconnect layer, forming an opening in the first dielectric layer over a first electrical interconnect of the interconnect layer, forming an aluminum layer over the first dielectric layer, etching the aluminum layer to form an aluminum die pad, forming a second dielectric layer over the aluminum die pad and the first dielectric layer, and forming a conductive via through the first and second dielectric layers to contact a second electrical interconnect of the interconnect layer.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括形成电互连层，在互连层上形成第一介电层，在互连层的第一电互连上在第一介电层中形成开口，在第一电介质上形成铝层 蚀刻所述铝层以形成铝管芯焊盘，在所述铝管芯焊盘和所述第一介电层上形成第二电介质层，以及通过所述第一和第二电介质层形成导电通孔以接触所述互连的第二电互连 层。