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    Luminescent nanomaterials
    2.
    发明申请
    Luminescent nanomaterials 审中-公开
    发光纳米材料

    公开(公告)号：US20050013999A1

    公开(公告)日：2005-01-20

    申请号：US10494128

    申请日：2002-11-01

    申请人： Gareth Wakefield ,  Mark Green

    发明人： Gareth Wakefield ,  Mark Green

    IPC分类号： C09K11/08 ,  C09K11/06 ,  C09K11/78 ,  C09K11/68

    CPC分类号： C09K11/06 ,  Y10T428/2991

    摘要： A process is disclosed for preparing water soluble particles of a luminescent material which is a rare earth material, a doped compound semi-conductor or a doped inorganic compound which comprises coating particles of said luminescent material, either during production of the particles, or subsequently, with an organic acid or Lewis base such that the surface of the coating possesses one or more reactive groups.

    摘要翻译： 公开了一种制备作为稀土材料的发光材料的水溶性颗粒的方法，掺杂的化合物半导体或掺杂的无机化合物，其包括在制备颗粒期间涂覆所述发光材料的颗粒，或随后， 与有机酸或路易斯碱，使得涂层的表面具有一个或多个反应性基团。

    Light emitter
    7.
    发明授权
    Light emitter 失效
    光发射器

    公开(公告)号：US06265823B1

    公开(公告)日：2001-07-24

    申请号：US09115624

    申请日：1998-07-14

    申请人： Peter James Dobson ,  Gareth Wakefield

    发明人： Peter James Dobson ,  Gareth Wakefield

    IPC分类号： H05B3314

    CPC分类号： H01L33/42 ,  H01L33/346

    摘要： The light emitter is fabricated from a silicon substrate (2) that has a layer of porous silicon (3) on its upper surface. A hole transporter (4) is applied to the upper surface of the porous silicon (2) and penetrates the channels (3′) formed within the porous silicon. An upper semitransparent p-type material such as NiO is used as the upper contact (5) to the hole transporter and a further contact is formed on the base of the silicon wafer (2). The penetration of the hole transporter into the interstices between the silicon particles significantly improves the efficiency of the light emitter by up to two orders of magnitude. The light emitter is particularly suited to use in VLSI and display applications.

    摘要翻译： 光发射器由其上表面上具有多孔硅层（3）的硅衬底（2）制成。 将空穴输送器（4）施加到多孔硅（2）的上表面并穿透形成在多孔硅内的通道（3'）。 使用诸如NiO的上部半透明p型材料作为空穴传输器的上触点（5），并且在硅晶片（2）的基部上形成另外的接触。 空穴传输器渗透到硅颗粒之间的空隙中显着地将发光体的效率提高了两个数量级。 光发射器特别适用于VLSI和显示应用。