公开(公告)号：US20090096021A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：US12335730

申请日：2008-12-16

申请人： Gary H. Loechelt ,  John M. Parsey, JR. ,  Peter J. Zdebel ,  Gordon M. Grivna

发明人： Gary H. Loechelt ,  John M. Parsey, JR. ,  Peter J. Zdebel ,  Gordon M. Grivna

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/761 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7811 ,  Y10S257/90

摘要： In one embodiment, a semiconductor device is formed in a body of semiconductor material. The semiconductor device includes a charge compensating trench formed in proximity to active portions of the device. The charge compensating trench includes a trench filled with various layers of semiconductor material including opposite conductivity type layers.

摘要翻译： 在一个实施例中，半导体器件形成在半导体材料体中。 半导体器件包括形成在器件的有效部分附近的电荷补偿沟槽。 电荷补偿沟槽包括填充有包括相反导电类型层的各种半导体材料层的沟槽。

公开(公告)号：US07902601B2

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：US12335730

申请日：2008-12-16

申请人： Gary H. Loechelt ,  John M. Parsey, Jr. ,  Peter J. Zdebel ,  Gordon M. Grivna

发明人： Gary H. Loechelt ,  John M. Parsey, Jr. ,  Peter J. Zdebel ,  Gordon M. Grivna

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L21/761 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7811 ,  Y10S257/90

摘要： In one embodiment, a semiconductor device is formed in a body of semiconductor material. The semiconductor device includes a charge compensating trench formed in proximity to active portions of the device. The charge compensating trench includes a trench filled with various layers of semiconductor material including opposite conductivity type layers.

摘要翻译： 在一个实施例中，半导体器件形成在半导体材料体中。 半导体器件包括形成在器件的有效部分附近的电荷补偿沟槽。 电荷补偿沟槽包括填充有包括相反导电类型层的各种半导体材料层的沟槽。

公开(公告)号：US07482220B2

公开(公告)日：2009-01-27

申请号：US11582889

申请日：2006-10-19

申请人： Gary H. Loechelt ,  John M. Parsey, Jr. ,  Peter J. Zdebel ,  Gordon M. Grivna

发明人： Gary H. Loechelt ,  John M. Parsey, Jr. ,  Peter J. Zdebel ,  Gordon M. Grivna

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/761 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7811 ,  Y10S257/90

摘要： In one embodiment, a semiconductor device is formed in a body of semiconductor material. The semiconductor device includes a charge compensating trench formed in proximity to active portions of the device. The charge compensating trench includes a trench filled with various layers of semiconductor material including opposite conductivity type layers.

摘要翻译： 在一个实施例中，半导体器件形成在半导体材料体中。 半导体器件包括形成在器件的有效部分附近的电荷补偿沟槽。 电荷补偿沟槽包括填充有包括相反导电类型层的各种半导体材料层的沟槽。

公开(公告)号：US20110193160A1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：US12702055

申请日：2010-02-08

申请人： Gary H. Loechelt ,  Gordon M. Grivna ,  Peter J. Zdebel

发明人： Gary H. Loechelt ,  Gordon M. Grivna ,  Peter J. Zdebel

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/66696 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/2815 ,  H01L21/743 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An electronic device can include a buried conductive region, a buried insulating layer over the buried conductive region, and a semiconductor layer disposed over the buried insulating layer, wherein the semiconductor layer has a primary surface and an opposing surface, and the buried conductive region is disposed closer to the opposing surface than to the primary surface. The electronic device can also include a current-carrying electrode of a first transistor, wherein the current carrying electrode is disposed along the primary surface and spaced apart from the buried conductive layer. The electronic device can also include a vertical conductive structure extending through the buried insulating layer, wherein the vertical conductive structure is electrically connected to the current-carrying electrode and the buried conductive region.

摘要翻译： 电子器件可以包括掩埋导电区域，掩埋导电区域上的掩埋绝缘层和设置在掩埋绝缘层上的半导体层，其中半导体层具有主表面和相对表面，并且掩埋导电区域 相对于主表面更靠近对置的表面。 电子设备还可以包括第一晶体管的载流电极，其中载流电极沿着主表面设置并与掩埋的导电层间隔开。 电子器件还可以包括延伸穿过掩埋绝缘层的垂直导电结构，其中垂直导电结构电连接到载流电极和掩埋导电区域。

公开(公告)号：US07285823B2

公开(公告)日：2007-10-23

申请号：US11057139

申请日：2005-02-15

申请人： Gary H. Loechelt ,  Peter J. Zdebel ,  Gordon M. Grivna

发明人： Gary H. Loechelt ,  Peter J. Zdebel ,  Gordon M. Grivna

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/0646 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, a charge compensation region is formed in a body of semiconductor material. A conductive layer is coupled to the charge compensation layer. In a further embodiment, the charge compensation region comprises a trench filled with opposite conductivity type semiconductor layers.

摘要翻译： 在一个实施例中，在半导体材料体中形成电荷补偿区域。 导电层耦合到电荷补偿层。 在另一实施例中，电荷补偿区域包括填充有相反导电型半导体层的沟槽。

公开(公告)号：US08299560B2

公开(公告)日：2012-10-30

申请号：US12702055

申请日：2010-02-08

申请人： Gary H. Loechelt ,  Gordon M. Grivna ,  Peter J. Zdebel

发明人： Gary H. Loechelt ,  Gordon M. Grivna ,  Peter J. Zdebel

IPC分类号： H01L21/70

CPC分类号： H01L29/66696 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/2815 ,  H01L21/743 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/6625 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66689 ,  H01L29/735 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An electronic device can include a buried conductive region, a buried insulating layer over the buried conductive region, and a semiconductor layer disposed over the buried insulating layer, wherein the semiconductor layer has a primary surface and an opposing surface, and the buried conductive region is disposed closer to the opposing surface than to the primary surface. The electronic device can also include a current-carrying electrode of a first transistor, wherein the current carrying electrode is disposed along the primary surface and spaced apart from the buried conductive layer. The electronic device can also include a vertical conductive structure extending through the buried insulating layer, wherein the vertical conductive structure is electrically connected to the current-carrying electrode and the buried conductive region.

摘要翻译： 电子器件可以包括掩埋导电区域，掩埋导电区域上的掩埋绝缘层和设置在掩埋绝缘层上的半导体层，其中半导体层具有主表面和相对表面，并且掩埋导电区域 相对于主表面更靠近对置的表面。 电子设备还可以包括第一晶体管的载流电极，其中载流电极沿着主表面设置并与掩埋的导电层间隔开。 电子器件还可以包括延伸穿过掩埋绝缘层的垂直导电结构，其中垂直导电结构电连接到载流电极和掩埋导电区域。

公开(公告)号：US07253477B2

公开(公告)日：2007-08-07

申请号：US11057138

申请日：2005-02-15

申请人： Gary H. Loechelt ,  Peter J. Zdebel ,  Gordon M. Grivna

发明人： Gary H. Loechelt ,  Peter J. Zdebel ,  Gordon M. Grivna

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L29/66727 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, an edge termination structure is formed in a semiconductor layer of a first conductivity type. The termination structure includes an isolation trench and a conductive layer in contact with the semiconductor layer. The semiconductor layer is formed over a semiconductor substrate of a second conductivity type. In a further embodiment, the isolation trench includes a plurality of shapes that comprise portions of the semiconductor layer.

摘要翻译： 在一个实施例中，边缘终端结构形成在第一导电类型的半导体层中。 端接结构包括与半导体层接触的隔离沟槽和导电层。 半导体层形成在第二导电类型的半导体衬底上。 在另一实施例中，隔离沟槽包括多个形状，其包括半导体层的部分。

公开(公告)号：US07176524B2

公开(公告)日：2007-02-13

申请号：US11057140

申请日：2005-02-15

申请人： Gary H. Loechelt ,  Peter J. Zdebel ,  Gordon M. Grivna

发明人： Gary H. Loechelt ,  Peter J. Zdebel ,  Gordon M. Grivna

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L21/761 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7811

摘要： In one embodiment, a semiconductor device is formed in a body of semiconductor material. The semiconductor device includes a charge compensating trench formed in proximity to active portions of the device. The charge compensating trench includes a trench filled with various layers of semiconductor material including opposite conductivity type layers.

摘要翻译： 在一个实施例中，半导体器件形成在半导体材料体中。 半导体器件包括形成在器件的有效部分附近的电荷补偿沟槽。 电荷补偿沟槽包括填充有包括相反导电类型层的各种半导体材料层的沟槽。

公开(公告)号：US20130153988A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：US13327454

申请日：2011-12-15

申请人： Gary H. Loechelt ,  Gordon M. Grivna

发明人： Gary H. Loechelt ,  Gordon M. Grivna

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/308

CPC分类号： H01L21/3086 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/743 ,  H01L29/401 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

摘要： An electronic device can include a transistor structure including a semiconductor layer overlying a substrate and a trench extending into the semiconductor layer having a tapered shape. In an embodiment, the tapered shape includes a facet. The transistor structure can include a source region and a drain region wherein different portions of the drain regions are disposed adjacent to the primary surface and within the trench. In another embodiment, different facets may be spaced apart from each other. Processes of forming the tapered etch can be tailored based on the needs or desires of a fabricator.

摘要翻译： 电子器件可以包括晶体管结构，其包括覆盖衬底的半导体层和延伸到具有锥形形状的半导体层的沟槽。 在一个实施例中，锥形形状包括小面。 晶体管结构可以包括源极区域和漏极区域，其中漏极区域的不同部分邻近主要表面设置并且在沟槽内。 在另一个实施例中，不同的刻面可以彼此间隔开。 可以根据制造商的需要或期望来定制形成锥形蚀刻的工艺。

公开(公告)号：US07276747B2

公开(公告)日：2007-10-02

申请号：US11112570

申请日：2005-04-25

申请人： Gary H. Loechelt ,  Peter J. Zdebel

发明人： Gary H. Loechelt ,  Peter J. Zdebel

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66727

摘要： In one embodiment, a semiconductor device is formed in a body of semiconductor material. The semiconductor device includes a screening electrode spaced apart from a channel region.

摘要翻译： 在一个实施例中，半导体器件形成在半导体材料体中。 半导体器件包括与沟道区间隔开的屏蔽电极。