公开(公告)号：US20110240943A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US13158565

申请日：2011-06-13

申请人： George Gordon ,  Semyon D. Savransky ,  Ward Parkinson ,  Sergey A. Kostylev ,  James Reed ,  Tyler Lowrey ,  Ilya V. Karpov ,  Gianpaolo Spadini

发明人： George Gordon ,  Semyon D. Savransky ,  Ward Parkinson ,  Sergey A. Kostylev ,  James Reed ,  Tyler Lowrey ,  Ilya V. Karpov ,  Gianpaolo Spadini

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： G11C13/0033 ,  G11C8/10 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0035 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/3431 ,  G11C29/04 ,  G11C2013/0052 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/76

摘要： Disturb from the reset to the set state may be reduced by creating an amorphous phase that is substantially free of crystal nuclei when programming the reset state in a phase change memory. In some embodiments, this can be achieved by using a current or a voltage to program that exceeds the threshold voltage of the phase change memory element, but does not exceed a safe current voltage which would cause a disturb.

摘要翻译： 通过在对相变存储器中的复位状态进行编程时产生基本上不含结晶核的非晶相，可以减小从复位到设定状态的干扰。 在一些实施例中，这可以通过使用超过相变存储元件的阈值电压的电流或电压来实现，但不超过将导致干扰的安全电流电压来实现。

公开(公告)号：US07990761B2

公开(公告)日：2011-08-02

申请号：US12080001

申请日：2008-03-31

申请人： George Gordon ,  Semyon D. Savransky ,  Ward Parkinson ,  Sergey A. Kostylev ,  James Reed ,  Tyler Lowrey ,  Ilya V. Karpov ,  Gianpaolo Spadini

发明人： George Gordon ,  Semyon D. Savransky ,  Ward Parkinson ,  Sergey A. Kostylev ,  James Reed ,  Tyler Lowrey ,  Ilya V. Karpov ,  Gianpaolo Spadini

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0033 ,  G11C8/10 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0035 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/3431 ,  G11C29/04 ,  G11C2013/0052 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/76

摘要： Disturb from the reset to the set state may be reduced by creating an amorphous phase that is substantially free of crystal nuclei when programming the reset state in a phase change memory. In some embodiments, this can be achieved by using a current or a voltage to program that exceeds the threshold voltage of the phase change memory element, but does not exceed a safe current voltage which would cause a disturb.

摘要翻译： 通过在对相变存储器中的复位状态进行编程时产生基本上不含结晶核的非晶相，可以减小从复位到设定状态的干扰。 在一些实施例中，这可以通过使用超过相变存储元件的阈值电压的电流或电压来实现，但不超过将导致干扰的安全电流电压来实现。

公开(公告)号：US20090244962A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12080001

申请日：2008-03-31

申请人： George Gordon ,  Semyon D. Savransky ,  Ward Parkinson ,  Sergey A. Kostylev ,  James Reed ,  Tyler Lowrey ,  Ilya V. Karpov ,  Gianpaolo Spadini

发明人： George Gordon ,  Semyon D. Savransky ,  Ward Parkinson ,  Sergey A. Kostylev ,  James Reed ,  Tyler Lowrey ,  Ilya V. Karpov ,  Gianpaolo Spadini

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0033 ,  G11C8/10 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0035 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/3431 ,  G11C29/04 ,  G11C2013/0052 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/76

摘要： Disturb from the reset to the set state may be reduced by creating an amorphous phase that is substantially free of crystal nuclei when programming the reset state in a phase change memory. In some embodiments, this can be achieved by using a current or a voltage to program that exceeds the threshold voltage of the phase change memory element, but does not exceed a safe current voltage which would cause a disturb.

摘要翻译： 通过在对相变存储器中的复位状态进行编程时产生基本上不含结晶核的非晶相，可以减小从复位到设定状态的干扰。 在一些实施例中，这可以通过使用超过相变存储元件的阈值电压的电流或电压来实现，但不超过将导致干扰的安全电流电压来实现。

公开(公告)号：US08634226B2

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：US13158565

申请日：2011-06-13

申请人： George Gordon ,  Semyon D. Savransky ,  Ward Parkinson ,  Sergey A. Kostylev ,  James Reed ,  Tyler Lowrey ,  Ilya V. Karpov ,  Gianpaolo Spadini

发明人： George Gordon ,  Semyon D. Savransky ,  Ward Parkinson ,  Sergey A. Kostylev ,  James Reed ,  Tyler Lowrey ,  Ilya V. Karpov ,  Gianpaolo Spadini

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0033 ,  G11C8/10 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0035 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/3431 ,  G11C29/04 ,  G11C2013/0052 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/76

摘要： Disturb from the reset to the set state may be reduced by creating an amorphous phase that is substantially free of crystal nuclei when programming the reset state in a phase change memory. In some embodiments, this can be achieved by using a current or a voltage to program that exceeds the threshold voltage of the phase change memory element, but does not exceed a safe current voltage which would cause a disturb.

摘要翻译： 通过在对相变存储器中的复位状态进行编程时产生基本上不含结晶核的非晶相，可以减小从复位到设定状态的干扰。 在一些实施例中，这可以通过使用超过相变存储元件的阈值电压的电流或电压来实现，但不超过将导致干扰的安全电流电压来实现。

公开(公告)号：US20070247899A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：US11407573

申请日：2006-04-20

申请人： George Gordon ,  Ward Parkinson ,  John Peters ,  Tyler Lowrey ,  Stanford Ovshinsky ,  Guy Wicker ,  Ilya Karpov ,  Charles Kuo

发明人： George Gordon ,  Ward Parkinson ,  John Peters ,  Tyler Lowrey ,  Stanford Ovshinsky ,  Guy Wicker ,  Ilya Karpov ,  Charles Kuo

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144

摘要： A memory may be implemented with a stable chalcogenide glass which is defined as a generally amorphous chalcogenide material that does not change to a generally crystalline phase when exposed to 200° C. for 30 minutes or less. Different states may be programmed by changing the threshold voltage of the material. The threshold voltage may be changed with pulses of different amplitude and/or different pulse fall times. Reading may be done using a reference level between the threshold voltages of the two different states. A separate access device is generally not needed.

摘要翻译： 可以用稳定的硫属化物玻璃来实现记忆，硫化物玻璃被定义为当暴露于200℃下30分钟或更短时不改变为通常结晶相的通常为非晶态的硫族化物材料。 可以通过改变材料的阈值电压来编程不同的状态。 可以用不同幅度和/或不同脉冲下降时间的脉冲来改变阈值电压。 可以使用两种不同状态的阈值电压之间的参考电平进行读取。 通常不需要单独的访问设备。

公开(公告)号：US20060227591A1

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：US11093864

申请日：2005-03-30

申请人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  George Gordon

发明人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  George Gordon

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C27/024 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/3431 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/0057

摘要： A phase change memory cell may be read by driving a current through the cell higher than its threshold current. A voltage derived from the selected column may be utilized to read a selected bit of a phase change memory. The read window or margin may be improved in some embodiments. A refresh cycle may be included at periodic intervals.

摘要翻译： 可以通过驱动通过电池的电流高于其阈值电流来读取相变存储器单元。 从所选列导出的电压可用于读取相变存储器的选定位。 在一些实施例中，可以改善读取窗口或边缘。 可以以周期性间隔包括刷新周期。

公开(公告)号：US07839674B2

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US12286784

申请日：2008-10-02

申请人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

发明人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2427

摘要： A chalcogenide material is proposed for programming the cross-connect transistor coupling interconnect lines of an electrically programmable matrix array. Leakage may be reduced by optionally placing a thin insulating breakdown layer in series with the select device or a phase change material. The matrix array may be used in a programmable logic device.

摘要翻译： 提出硫族化物材料来编程电可编程矩阵阵列的交叉连接晶体管耦合互连线。 可以通过选择性地将薄绝缘击穿层与选择装置或相变材料串联来减小泄漏。 矩阵阵列可以用在可编程逻辑器件中。

公开(公告)号：US07499315B2

公开(公告)日：2009-03-03

申请号：US11318789

申请日：2005-12-24

申请人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

发明人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2427

摘要： A chalcongenide material is proposed for programming the cross-connect transistor coupling interconnect lines of an electrically programmable matrix array. Leakage may be reduced by optionally placing a thin insulating breakdown layer in series with the select device or a phase change material. The matrix array may be used in a programmable logic device.

摘要翻译： 提出了一种chalcongenide材料用于编程电可编程矩阵阵列的交叉连接晶体管耦合互连线。 可以通过选择性地将薄绝缘击穿层与选择装置或相变材料串联来减小泄漏。 矩阵阵列可以用在可编程逻辑器件中。

公开(公告)号：US20060233019A1

公开(公告)日：2006-10-19

申请号：US11105829

申请日：2005-04-14

申请人： Sergey Kostylev ,  Tyler Lowrey ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Ward Parkinson

发明人： Sergey Kostylev ,  Tyler Lowrey ,  Wolodymyr Czubatyj ,  Ward Parkinson

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/004 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0033 ,  G11C2013/0054

摘要： A phase change memory may be read so as to reduce the likelihood of a read disturb. A read disturb may occur, for example, when a reset device is raised to a voltage, which causes its threshold device to trigger. The triggering of the threshold device produces a displacement current which may convert a reset device to a set device. By ensuring that the reset cell never reaches a voltage that would result in triggering of the threshold device, read disturbs may be reduced.

摘要翻译： 可以读取相变存储器，以便减少读取干扰的可能性。 例如，当复位装置升高到电压时，可能会发生读取干扰，导致其阈值装置触发。 阈值装置的触发产生位移电流，其可以将复位装置转换成集装置。 通过确保复位单元不会达到会导致阈值器件触发的电压，可能会降低读取干扰。

公开(公告)号：US20060171194A1

公开(公告)日：2006-08-03

申请号：US11318789

申请日：2005-12-24

申请人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

发明人： Tyler Lowrey ,  Ward Parkinson ,  Guy Wicker

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/75 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2427

摘要： A chalcongenide material is proposed for programming the cross-connect transistor coupling interconnect lines of an electrically programmable matrix array. Leakage may be reduced by optionally placing a thin insulating breakdown layer in series with the select device or a phase change material. The matrix array may be used in a programmable logic device.