公开(公告)号：US08076717B2

公开(公告)日：2011-12-13

申请号：US12469433

申请日：2009-05-20

申请人： Gurtej Sandhu ,  Chandra Mouli ,  John K. Zahurak

发明人： Gurtej Sandhu ,  Chandra Mouli ,  John K. Zahurak

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233

摘要： A vertical semiconductor material mesa upstanding from a semiconductor base that forms a conductive channel between first and second doped regions. The first doped region is electrically coupled to one or more first silicide layers on the surface of the base. The second doped region is electrically coupled to a second silicide layer on the upper surface of the mesa. A gate conductor is provided on one or more sidewalls of the mesa.

摘要翻译： 从半导体基底直立的垂直半导体材料，其在第一和第二掺杂区域之间形成导电通道。 第一掺杂区域电耦合到基底表面上的一个或多个第一硅化物层。 第二掺杂区域电耦合到台面的上表面上的第二硅化物层。 栅极导体设置在台面的一个或多个侧壁上。

公开(公告)号：US08253191B2

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US13291591

申请日：2011-11-08

申请人： Gurtej Sandhu ,  Chandra Mouli ,  John K. Zahurak

发明人： Gurtej Sandhu ,  Chandra Mouli ,  John K. Zahurak

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233

摘要： A vertical semiconductor material mesa upstanding from a semiconductor base that forms a conductive channel between first and second doped regions. The first doped region is electrically coupled to one or more first silicide layers on the surface of the base. The second doped region is electrically coupled to a second silicide layer on the upper surface of the mesa. A gate conductor is provided on one or more sidewalls of the mesa.

摘要翻译： 从半导体基底直立的垂直半导体材料，其在第一和第二掺杂区域之间形成导电通道。 第一掺杂区域电耦合到基底表面上的一个或多个第一硅化物层。 第二掺杂区域电耦合到台面的上表面上的第二硅化物层。 栅极导体设置在台面的一个或多个侧壁上。

公开(公告)号：US20120049272A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US13291591

申请日：2011-11-08

申请人： Gurtej Sandhu ,  Chandra Mouli ,  John K. Zahurak

发明人： Gurtej Sandhu ,  Chandra Mouli ,  John K. Zahurak

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233

摘要： A vertical semiconductor material mesa upstanding from a semiconductor base that forms a conductive channel between first and second doped regions. The first doped region is electrically coupled to one or more first silicide layers on the surface of the base. The second doped region is electrically coupled to a second silicide layer on the upper surface of the mesa. A gate conductor is provided on one or more sidewalls of the mesa.

摘要翻译： 从半导体基底直立的垂直半导体材料，其在第一和第二掺杂区域之间形成导电通道。 第一掺杂区域电耦合到基底表面上的一个或多个第一硅化物层。 第二掺杂区域电耦合到台面的上表面上的第二硅化物层。 栅极导体设置在台面的一个或多个侧壁上。

公开(公告)号：US20100295119A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12469433

申请日：2009-05-20

申请人： Gurtej Sandhu ,  Chandra Mouli ,  John K. Zahurak

发明人： Gurtej Sandhu ,  Chandra Mouli ,  John K. Zahurak

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7827 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233

摘要： A vertical semiconductor material mesa upstanding from a semiconductor base that forms a conductive channel between first and second doped regions. The first doped region is electrically coupled to one or more first silicide layers on the surface of the base. The second doped region is electrically coupled to a second silicide layer on the upper surface of the mesa. A gate conductor is provided on one or more sidewalls of the mesa.

摘要翻译： 从半导体基底直立的垂直半导体材料，其在第一和第二掺杂区域之间形成导电通道。 第一掺杂区域电耦合到基底表面上的一个或多个第一硅化物层。 第二掺杂区域电耦合到台面的上表面上的第二硅化物层。 栅极导体设置在台面的一个或多个侧壁上。

公开(公告)号：US08723252B2

公开(公告)日：2014-05-13

申请号：US13605511

申请日：2012-09-06

申请人： Gurtej Sandhu ,  John K. Zahurak ,  Jay Parks

发明人： Gurtej Sandhu ,  John K. Zahurak ,  Jay Parks

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/7827 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233

摘要： A vertical semiconductor material mesa upstanding from a semiconductor base that forms a conductive channel between first and second doped regions. The first doped region is electrically coupled to one or more first silicide layers on the surface of the base. The second doped region is electrically coupled to one of a plurality of second silicide layers on the upper surface of the mesa. A gate conductor is provided on one or more sidewalls of the mesa.

摘要翻译： 从半导体基底直立的垂直半导体材料，其在第一和第二掺杂区域之间形成导电通道。 第一掺杂区域电耦合到基底表面上的一个或多个第一硅化物层。 第二掺杂区域电耦合到台面的上表面上的多个第二硅化物层中的一个。 栅极导体设置在台面的一个或多个侧壁上。

公开(公告)号：US20120326242A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：US13605511

申请日：2012-09-06

申请人： Gurtej Sandhu ,  John K. Zahurak ,  Jay Parks

发明人： Gurtej Sandhu ,  John K. Zahurak ,  Jay Parks

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/7827 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233

摘要： A vertical semiconductor material mesa upstanding from a semiconductor base that forms a conductive channel between first and second doped regions. The first doped region is electrically coupled to one or more first silicide layers on the surface of the base. The second doped region is electrically coupled to one of a plurality of second silicide layers on the upper surface of the mesa. A gate conductor is provided on one or more sidewalls of the mesa.

公开(公告)号：US08274110B2

公开(公告)日：2012-09-25

申请号：US12469563

申请日：2009-05-20

申请人： Gurtej Sandhu ,  John K. Zahurak ,  Jay Parks

发明人： Gurtej Sandhu ,  John K. Zahurak ,  Jay Parks

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/7827 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233

摘要： A vertical semiconductor material mesa upstanding from a semiconductor base that forms a conductive channel between first and second doped regions. The first doped region is electrically coupled to one or more first silicide layers on the surface of the base. The second doped region is electrically coupled to one of a plurality of second silicide layers on the upper surface of the mesa. A gate conductor is provided on one or more sidewalls of the mesa.

摘要翻译： 从半导体基底直立的垂直半导体材料，其在第一和第二掺杂区域之间形成导电通道。 第一掺杂区域电耦合到基底表面上的一个或多个第一硅化物层。 第二掺杂区域电耦合到台面的上表面上的多个第二硅化物层中的一个。 栅极导体设置在台面的一个或多个侧壁上。

公开(公告)号：US20100295120A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12469563

申请日：2009-05-20

申请人： Gurtej Sandhu ,  John K. Zahurak ,  Jay Parks

发明人： Gurtej Sandhu ,  John K. Zahurak ,  Jay Parks

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/41

CPC分类号： H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/7827 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233

摘要： A vertical semiconductor material mesa upstanding from a semiconductor base that forms a conductive channel between first and second doped regions. The first doped region is electrically coupled to one or more first silicide layers on the surface of the base. The second doped region is electrically coupled to one of a plurality of second silicide layers on the upper surface of the mesa. A gate conductor is provided on one or more sidewalls of the mesa.

摘要翻译： 从半导体基底直立的垂直半导体材料，其在第一和第二掺杂区域之间形成导电通道。 第一掺杂区域电耦合到基底表面上的一个或多个第一硅化物层。 第二掺杂区域电耦合到台面的上表面上的多个第二硅化物层中的一个。 栅极导体设置在台面的一个或多个侧壁上。

公开(公告)号：US09349445B2

公开(公告)日：2016-05-24

申请号：US13234659

申请日：2011-09-16

申请人： David H. Wells ,  Bhaskar Srinivasan ,  John K. Zahurak

发明人： David H. Wells ,  Bhaskar Srinivasan ,  John K. Zahurak

IPC分类号： G11C13/00 ,  H01L21/28 ,  H01L27/102 ,  H01L29/872 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/54 ,  H01L21/28 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/872 ,  H01L45/00 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233

摘要： Select devices for memory cell applications and methods of forming the same are described herein. As an example, one or more non-ohmic select devices can include at least two tunnel barrier regions formed between a first metal material and a second metal material, and a third metal material formed between each of the respective at least two tunnel barrier regions. The non-ohmic select device is a two terminal select device that supports bi-directional current flow therethrough.

摘要翻译： 本文描述了用于存储器单元应用的选择器件及其形成方法。 作为示例，一个或多个非欧姆选择器件可以包括形成在第一金属材料和第二金属材料之间的至少两个隧道势垒区域，以及在相应的至少两个隧道势垒区域中的每一个之间形成的第三金属材料。 非欧姆选择器件是支持双向电流流过的两端选择器件。

公开(公告)号：US20130069028A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13234659

申请日：2011-09-16

申请人： David H. Wells ,  Bhaskar Srinivasan ,  John K. Zahurak

发明人： David H. Wells ,  Bhaskar Srinivasan ,  John K. Zahurak

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L29/47 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8239

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C2213/54 ,  H01L21/28 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/872 ,  H01L45/00 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233

摘要： Select devices for memory cell applications and methods of forming the same are described herein. As an example, one or more non-ohmic select devices can include at least two tunnel barrier regions formed between a first metal material and a second metal material, and a third metal material formed between each of the respective at least two tunnel barrier regions. The non-ohmic select device is a two terminal select device that supports bi-directional current flow therethrough.

摘要翻译： 本文描述了用于存储器单元应用的选择器件及其形成方法。 作为示例，一个或多个非欧姆选择器件可以包括形成在第一金属材料和第二金属材料之间的至少两个隧道势垒区域，以及在相应的至少两个隧道势垒区域中的每一个之间形成的第三金属材料。 非欧姆选择器件是支持双向电流流过的两端选择器件。