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    Semiconductor device and method of manufacturing the same
    1.
    发明授权
    Semiconductor device and method of manufacturing the same 有权
    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号：US08703573B2

    公开(公告)日：2014-04-22

    申请号：US13422487

    申请日：2012-03-16

    申请人： Gyu-Hwan Oh ,  Dong-Hyun Kim ,  Kyung-Min Chung ,  Dong-Hyun Im

    发明人： Gyu-Hwan Oh ,  Dong-Hyun Kim ,  Kyung-Min Chung ,  Dong-Hyun Im

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1683

    摘要： A method of manufacturing the semiconductor device includes sequentially forming first to third mold layer patterns on a substrate and spaced apart from each other, forming a first semiconductor pattern between the first mold layer pattern and the second mold layer pattern, and a second semiconductor pattern between the second mold layer pattern and the third mold layer pattern, forming a first trench between the first mold layer pattern and the third mold layer pattern by removing a portion of the second mold layer pattern and portions of the first and second semiconductor patterns, depositing a material for a lower electrode conformally along side and bottom surfaces of the first trench, and forming first and second lower electrodes separated from each other on the first and second semiconductor patterns, respectively, by removing a portion of the material for a lower electrode positioned on the second mold layer pattern.

    摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括在基片上依次形成第一至第三模层图案并彼此分开，在第一模层图案和第二模层图案之间形成第一半导体图案，以及第二半导体图案， 第二模层图案和第三模层图案，通过去除第二模层图案的一部分和第一和第二半导体图案的部分，在第一模层图案和第三模层图案之间形成第一沟槽， 用于下电极的材料沿着第一沟槽的侧表面和底表面共形地形成，并且通过移除位于第一和第二半导体图案上的下电极的材料的一部分，分别形成在第一和第二半导体图案上彼此分离的第一和第二下电极 第二模层图案。

    Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same
    2.
    发明申请
    Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20120252187A1

    公开(公告)日：2012-10-04

    申请号：US13422487

    申请日：2012-03-16

    申请人： Gyu-Hwan Oh ,  Dong-Hyun Kim ,  Kyung-Min Chung ,  Dong-Hyun Im

    发明人： Gyu-Hwan Oh ,  Dong-Hyun Kim ,  Kyung-Min Chung ,  Dong-Hyun Im

    IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L21/283 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1683

    摘要： A method of manufacturing the semiconductor device includes sequentially forming first to third mold layer patterns on a substrate and spaced apart from each other , forming a first semiconductor pattern between the first mold layer pattern and the second mold layer pattern, and a second semiconductor pattern between the second mold layer pattern and the third mold layer pattern, forming a first trench between the first mold layer pattern and the third mold layer pattern by removing a portion of the second mold layer pattern and portions of the first and second semiconductor patterns, depositing a material for a lower electrode conformally along side and bottom surfaces of the first trench, and forming first and second lower electrodes separated from each other on the first and second semiconductor patterns, respectively, by removing a portion of the material for a lower electrode positioned on the second mold layer pattern.

    摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括在基片上依次形成第一至第三模层图案并彼此分开，在第一模层图案和第二模层图案之间形成第一半导体图案，以及第二半导体图案， 第二模层图案和第三模层图案，通过去除第二模层图案的一部分和第一和第二半导体图案的部分，在第一模层图案和第三模层图案之间形成第一沟槽， 用于下电极的材料沿着第一沟槽的侧表面和底表面共形地形成，并且通过移除位于第一和第二半导体图案上的下电极的材料的一部分，分别形成在第一和第二半导体图案上彼此分离的第一和第二下电极 第二模层图案。

    Phase-change memory devices
    3.
    发明授权
    Phase-change memory devices 有权
    相变存储器件

    公开(公告)号：US08872148B2

    公开(公告)日：2014-10-28

    申请号：US13735180

    申请日：2013-01-07

    申请人： Doo-Hwan Park ,  Gyu-Hwan Oh ,  Jeong-Min Park ,  Kyung-Min Chung

    发明人： Doo-Hwan Park ,  Gyu-Hwan Oh ,  Jeong-Min Park ,  Kyung-Min Chung

    IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

    摘要： A phase-change memory device includes a diode, a plug, a doping layer pattern, a phase-change layer pattern and an upper electrode. The diode is disposed on a substrate. The plug is disposed on the diode and has a bottom surface whose area is equal to the area of a top surface of the diode. The plug is formed of metal or a conductive metallic compound. The doping layer pattern is disposed on the plug and has a bottom surface whose area is equal to the area of a top surface of the plug, and includes the same metal or conductive metallic compound as the plug. The phase-change layer pattern is disposed on the doping layer pattern. The upper electrode is disposed on the phase-change layer pattern.

    摘要翻译： 相变存储器件包括二极管，插头，掺杂层图案，相变层图案和上电极。 二极管设置在基板上。 插头设置在二极管上，并具有面积等于二极管顶表面面积的底面。 插头由金属或导电金属化合物形成。 掺杂层图案设置在插塞上，并且具有面积等于插头顶面的面积的底面，并且包括与插头相同的金属或导电金属化合物。 相变层图案设置在掺杂层图案上。 上电极配置在相变层图案上。

    Methods of manufacturing phase-change memory devices
    4.
    发明授权
    Methods of manufacturing phase-change memory devices 有权
    制造相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US08551805B2

    公开(公告)日：2013-10-08

    申请号：US13469498

    申请日：2012-05-11

    申请人： Gyu-Hwan Oh ,  Doo-Hwan Park ,  Kyung-Min Chung

    发明人： Gyu-Hwan Oh ,  Doo-Hwan Park ,  Kyung-Min Chung

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L41/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L29/861 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1683

    摘要： A phase-change memory device includes a word line on a substrate and a phase-change memory cell on the word line and comprising a phase-change material pattern. The device also includes a non-uniform conductivity layer pattern comprising a conductive region on the phase-change material pattern and a non-conductive region contiguous therewith. The device further includes a bit line on the conductive region of the non-uniform conductivity layer pattern. In some embodiments, the phase-change memory cell may further include a diode on the word line, a heating electrode on the diode and wherein the phase-change material layer is disposed on the heating electrode. An ohmic contact layer and a contact plug may be disposed between the diode and the heating electrode.

    摘要翻译： 相变存储器件包括衬底上的字线和字线上的相变存储器单元，并且包括相变材料图案。 该装置还包括不均匀的导电层图案，其包括相变材料图案上的导电区域和与其相邻的非导电区域。 该器件还包括位于不均匀导电层图案的导电区上的位线。 在一些实施例中，相变存储单元还可以包括字线上的二极管，二极管上的加热电极，并且其中相变材料层设置在加热电极上。 欧姆接触层和接触插塞可以设置在二极管和加热电极之间。

    METHODS OF MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY DEVICES
    5.
    发明申请
    METHODS OF MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY DEVICES 有权
    制造相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US20120322223A1

    公开(公告)日：2012-12-20

    申请号：US13469498

    申请日：2012-05-11

    申请人： Gyu-Hwan Oh ,  Doo-Hwan Park ,  Kyung-Min Chung

    发明人： Gyu-Hwan Oh ,  Doo-Hwan Park ,  Kyung-Min Chung

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L29/861 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1683

    摘要： A phase-change memory device includes a word line on a substrate and a phase-change memory cell on the word line and comprising a phase-change material pattern. The device also includes a non-uniform conductivity layer pattern comprising a conductive region on the phase-change material pattern and a non-conductive region contiguous therewith. The device further includes a bit line on the conductive region of the non-uniform conductivity layer pattern. In some embodiments, the phase-change memory cell may further include a diode on the word line, a heating electrode on the diode and wherein the phase-change material layer is disposed on the heating electrode. An ohmic contact layer and a contact plug may be disposed between the diode and the heating electrode.

    摘要翻译： 相变存储器件包括衬底上的字线和字线上的相变存储器单元，并且包括相变材料图案。 该装置还包括不均匀的导电层图案，其包括相变材料图案上的导电区域和与其相邻的非导电区域。 该器件还包括位于不均匀导电层图案的导电区上的位线。 在一些实施例中，相变存储单元还可以包括字线上的二极管，二极管上的加热电极，并且其中相变材料层设置在加热电极上。 欧姆接触层和接触插塞可以设置在二极管和加热电极之间。