公开(公告)号：US07865866B2

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US12122399

申请日：2008-05-16

申请人： Hee-Bom Kim ,  Min-Kyu Ji ,  Sun-Young Choi ,  Hyun-Joo Baik

发明人： Hee-Bom Kim ,  Min-Kyu Ji ,  Sun-Young Choi ,  Hyun-Joo Baik

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/84

摘要： A method of precisely inspecting the entire surface of a mask at a high speed in consideration of optical effects of the mask. The method includes designing a target mask layout for a pattern to be formed on a wafer, and extracting an effective mask layout using an inspection image measured from the target mask layout using an aerial image inspection apparatus as a mask inspection apparatus. The effective mask layout is input to a wafer simulation tool for calculating a wafer image to be formed on the wafer. Optical effects of the mask are detected by comparing the target mask layout with the effective mask layout.

摘要翻译： 考虑到掩模的光学效果，高速地高效地检查掩模的整个表面的方法。 该方法包括设计用于在晶片上形成的图案的目标掩模布局，以及使用使用空间图像检查装置作为掩模检查装置的从目标掩模布局测量的检查图像来提取有效掩模布局。 将有效掩模布局输入到晶片模拟工具，以计算要在晶片上形成的晶片图像。 通过将目标掩模布局与有效掩模布局进行比较来检测掩模的光学效果。

公开(公告)号：US20080145771A1

公开(公告)日：2008-06-19

申请号：US12002275

申请日：2007-12-13

申请人： Gi-Sung Yoon ,  Hee-Bom Kim ,  Sun-Young Choi

发明人： Gi-Sung Yoon ,  Hee-Bom Kim ,  Sun-Young Choi

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/54 ,  G03F1/68 ,  G03F1/80

摘要： In an attenuated phase-shift mask (PSM) and a method of forming the same, a phase-shift layer and a light-shielding layer are sequentially stacked on a transparent substrate. The phase-shift layer and the light-shielding layer are sequentially removed from the substrate, to form a light-shielding pattern including a first opening and a phase-shift pattern including a second opening that is connected to the first opening and partially exposes the transparent substrate. Then, a transmitting portion is formed through the light-shielding pattern by partially removing the light-shielding pattern. The transmitting portion includes at least one portion of the phase-shift pattern on which a transmittance controller is formed. In one embodiment, the transmittance controller comprises a metal having a high absorption coefficient, and is formed through sputtering and diffusion processes. Accordingly, the intensity deviation between 0th and 1st order beams may be decreased, to thereby improve the processing margin of the exposure process.

摘要翻译： 在衰减相移掩模（PSM）及其形成方法中，相移层和遮光层依次层叠在透明基板上。 从基板顺序地移除相移层和遮光层，以形成包括第一开口和相移图案的遮光图案，该图案包括连接到第一开口的第二开口，并且部分地曝光 透明基板。 然后，通过部分去除遮光图案，通过遮光图案形成发送部。 发射部分包括形成有透射率控制器的相移图案的至少一部分。 在一个实施例中，透射率控制器包括具有高吸收系数的金属，并且通过溅射和扩散工艺形成。 因此，可以减小第0和第1级次级光束之间的强度偏差，从而改善曝光处理的处理余量。

公开(公告)号：US20110104593A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：US12985761

申请日：2011-01-06

申请人： Gi-Sung Yoon ,  Hee-Bom Kim ,  Sun-Young Choi

发明人： Gi-Sung Yoon ,  Hee-Bom Kim ,  Sun-Young Choi

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/54 ,  G03F1/68 ,  G03F1/80

摘要： In an attenuated phase-shift mask (PSM) and a method of forming the same, a phase-shift layer and a light-shielding layer are sequentially stacked on a transparent substrate. The phase-shift layer and the light-shielding layer are sequentially removed from the substrate, to form a light-shielding pattern including a first opening and a phase-shift pattern including a second opening that is connected to the first opening and partially exposes the transparent substrate. Then, a transmitting portion is formed through the light-shielding pattern by partially removing the light-shielding pattern. The transmitting portion includes at least one portion of the phase-shift pattern on which a transmittance controller is formed. In one embodiment, the transmittance controller comprises a metal having a high absorption coefficient, and is formed through sputtering and diffusion processes. Accordingly, the intensity deviation between 0th and 1st order beams may be decreased, to thereby improve the processing margin of the exposure process.

摘要翻译： 在衰减相移掩模（PSM）及其形成方法中，相移层和遮光层依次层叠在透明基板上。 从基板顺序地移除相移层和遮光层，以形成包括第一开口和相移图案的遮光图案，该图案包括连接到第一开口的第二开口，并且部分地曝光 透明基板。 然后，通过部分去除遮光图案，通过遮光图案形成发送部。 发射部分包括形成有透射率控制器的相移图案的至少一部分。 在一个实施例中，透射率控制器包括具有高吸收系数的金属，并且通过溅射和扩散工艺形成。 因此，可以减小第0和第1级光束之间的强度偏差，从而提高曝光处理的处理余量。

公开(公告)号：US07897299B2

公开(公告)日：2011-03-01

申请号：US12002275

申请日：2007-12-13

申请人： Gi-Sung Yoon ,  Hee-Bom Kim ,  Sun-Young Choi

发明人： Gi-Sung Yoon ,  Hee-Bom Kim ,  Sun-Young Choi

IPC分类号： G03F1/00

CPC分类号： G03F1/32 ,  G03F1/54 ,  G03F1/68 ,  G03F1/80

摘要： In an attenuated phase-shift mask (PSM) and a method of forming the same, a phase-shift layer and a light-shielding layer are sequentially stacked on a transparent substrate. The phase-shift layer and the light-shielding layer are sequentially removed from the substrate, to form a light-shielding pattern including a first opening and a phase-shift pattern including a second opening that is connected to the first opening and partially exposes the transparent substrate. Then, a transmitting portion is formed through the light-shielding pattern by partially removing the light-shielding pattern. The transmitting portion includes at least one portion of the phase-shift pattern on which a transmittance controller is formed. In one embodiment, the transmittance controller comprises a metal having a high absorption coefficient, and is formed through sputtering and diffusion processes. Accordingly, the intensity deviation between 0th and 1st order beams may be decreased, to thereby improve the processing margin of the exposure process.

摘要翻译： 在衰减相移掩模（PSM）及其形成方法中，相移层和遮光层依次层叠在透明基板上。 从基板顺序地移除相移层和遮光层，以形成包括第一开口和相移图案的遮光图案，该图案包括连接到第一开口的第二开口，并且部分地曝光 透明基板。 然后，通过部分去除遮光图案，通过遮光图案形成发送部。 发射部分包括形成有透射率控制器的相移图案的至少一部分。 在一个实施例中，透射率控制器包括具有高吸收系数的金属，并且通过溅射和扩散工艺形成。 因此，可以减小第0和第1级光束之间的强度偏差，从而提高曝光处理的处理余量。

公开(公告)号：US20130143150A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13571043

申请日：2012-08-09

申请人： JIN CHOI ,  Byung-Gook Kim ,  Hee-Bom Kim ,  Sang-Hee Lee

发明人： JIN CHOI ,  Byung-Gook Kim ,  Hee-Bom Kim ,  Sang-Hee Lee

IPC分类号： G03F1/44

CPC分类号： G03F1/44

摘要： A method for manufacturing a photomask includes forming a photoresist film on a substrate, and forming a defect detecting pattern on the photoresist film. The defect detecting pattern has a first pattern elongated in a first direction and a second pattern overlapping one end of the first pattern and elongated in a second direction different from the first direction. The first pattern and the second pattern are formed using electron beams (e-beam) diffracted by a same amplifier.

摘要翻译： 光掩模的制造方法包括在基板上形成光致抗蚀剂膜，在光致抗蚀剂膜上形成缺陷检测图案。 缺陷检测图案具有沿第一方向延伸的第一图案和与第一图案的一端重叠的第二图案，并且在与第一方向不同的第二方向上延伸。 使用由同一放大器衍射的电子束（e-beam）形成第一图案和第二图案。

公开(公告)号：US20100266959A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：US12662402

申请日：2010-04-15

申请人： Sang-Hee Lee ,  Jin Choi ,  Byung-Gook Kim ,  Hee-Bom Kim

发明人： Sang-Hee Lee ,  Jin Choi ,  Byung-Gook Kim ,  Hee-Bom Kim

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  G03F1/78 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/0451 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/15 ,  H01J2237/31771 ,  H01J2237/31776

摘要： A pattern forming method includes providing a resist, irradiating a first electron beam to a first region of the resist, and irradiating a second electron beam to a second region which is defined along a boundary of the first region of the resist, wherein the first electron beam has a first cross section having a polygonal shape, and the second electron beam has a second cross section having a polygonal shape.

摘要翻译： 图案形成方法包括提供抗蚀剂，将第一电子束照射到抗蚀剂的第一区域，并且将第二电子束照射到沿着抗蚀剂的第一区域的边界限定的第二区域，其中第一电子 梁具有具有多边形形状的第一横截面，并且第二电子束具有具有多边形形状的第二横截面。

公开(公告)号：US20100111427A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12607238

申请日：2009-10-28

申请人： Hee-Bom Kim ,  Myoung-Soo Lee ,  Young-Su Sung

发明人： Hee-Bom Kim ,  Myoung-Soo Lee ,  Young-Su Sung

IPC分类号： G06K9/68

CPC分类号： G06T7/0006 ,  G03F1/86 ,  G03F7/70625 ,  G06T2207/30148

摘要： A method for inspecting a uniformity of CD (CD) of a photo mask pattern increases a production yield. The method obtains a CD by precisely measuring a photo mask by using, an electron microscope. Then, a measurement image having, a plurality of patterns formed in the photo mask is obtained by photographing the photo mask at a high speed through an optical microscope. A gray level based on the CD is calculated by capturing just a pattern area in the measurement image, and an estimated value and a correlation coefficient is obtained, when an open density of the measurement image is relatively low. Accordingly, a uniformity of CD can be confirmed more clearly in a measurement of high speed for a measurement image having a relatively low open density.

摘要翻译： 用于检查光掩模图案的CD（CD）的均匀性的方法提高了产量。 该方法通过使用电子显微镜精确测量光掩模来获得CD。 然后，通过光学显微镜高速拍摄光掩模，获得具有形成在光掩模中的多个图案的测量图像。 当测量图像的开放密度相对较低时，通过仅捕获测量图像中的图案区域来计算基于CD的灰度级，并且获得估计值和相关系数。 因此，对于具有较低开放密度的测量图像的高速测量，可以更清楚地确认CD的均匀性。

公开(公告)号：US08673522B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US13571043

申请日：2012-08-09

申请人： Jin Choi ,  Byung-Gook Kim ,  Hee-Bom Kim ,  Sang-Hee Lee

发明人： Jin Choi ,  Byung-Gook Kim ,  Hee-Bom Kim ,  Sang-Hee Lee

IPC分类号： G03F1/38

CPC分类号： G03F1/44

摘要： A method for manufacturing a photomask includes forming a photoresist film on a substrate, and forming a defect detecting pattern on the photoresist film. The defect detecting pattern has a first pattern elongated in a first direction and a second pattern overlapping one end of the first pattern and elongated in a second direction different from the first direction. The first pattern and the second pattern are formed using electron beams (e-beam) diffracted by a same amplifier.

摘要翻译： 光掩模的制造方法包括在基板上形成光致抗蚀剂膜，在光致抗蚀剂膜上形成缺陷检测图案。 缺陷检测图案具有沿第一方向延伸的第一图案和与第一图案的一端重叠的第二图案，并且在与第一方向不同的第二方向上延伸。 使用由同一放大器衍射的电子束（e-beam）形成第一图案和第二图案。

公开(公告)号：US08213722B2

公开(公告)日：2012-07-03

申请号：US12607238

申请日：2009-10-28

申请人： Hee-Bom Kim ,  Myoung-Soo Lee ,  Young-Su Sung

发明人： Hee-Bom Kim ,  Myoung-Soo Lee ,  Young-Su Sung

IPC分类号： G06K9/68

CPC分类号： G06T7/0006 ,  G03F1/86 ,  G03F7/70625 ,  G06T2207/30148

摘要： A method for inspecting a uniformity of CD (CD) of a photo mask pattern increases a production yield. The method obtains a CD by precisely measuring a photo mask by using, an electron microscope. Then, a measurement image having, a plurality of patterns formed in the photo mask is obtained by photographing the photo mask at a high speed through an optical microscope. A gray level based on the CD is calculated by capturing just a pattern area in the measurement image, and an estimated value and a correlation coefficient is obtained, when an open density of the measurement image is relatively low. Accordingly, a uniformity of CD can be confirmed more clearly in a measurement of high speed for a measurement image having a relatively low open density.

摘要翻译： 用于检查光掩模图案的CD（CD）的均匀性的方法提高了产量。 该方法通过使用电子显微镜精确测量光掩模来获得CD。 然后，通过光学显微镜以高速拍摄光掩模，获得具有形成在光掩模中的多个图案的测量图像。 当测量图像的开放密度相对较低时，通过仅捕获测量图像中的图案区域来计算基于CD的灰度级，并且获得估计值和相关系数。 因此，对于具有较低开放密度的测量图像的高速测量，可以更清楚地确认CD的均匀性。

公开(公告)号：US06767672B2

公开(公告)日：2004-07-27

申请号：US09886984

申请日：2001-06-25

申请人： Ji-Suk Hong ,  Hee-Bom Kim ,  Sang-Sool Koo

发明人： Ji-Suk Hong ,  Hee-Bom Kim ,  Sang-Sool Koo

IPC分类号： G03F900

CPC分类号： G03F1/32

摘要： The present invention relates to a method for forming a multi-transmittance phase-shifting mask for the manufacture of highly integrated semiconductor devices in which portions of a plurality of light blocking layers are selectively removed to modify the transmittance of various regions of the mask and suppress undesired patterns, such as ghost images and side lobe effects to permit increased integration levels and improved yield in the production of the semiconductor devices.

摘要翻译： 本发明涉及一种形成多透射相移掩模的方法，用于制造高度集成的半导体器件，其中选择性地去除多个遮光层的部分以改变掩模的各个区域的透射率并抑制 不期望的图案，例如重影图像和旁瓣效应，以允许增加的集成度和提高半导体器件生产中的产量。