公开(公告)号：US20130143150A1

公开(公告)日：2013-06-06

申请号：US13571043

申请日：2012-08-09

申请人： JIN CHOI ,  Byung-Gook Kim ,  Hee-Bom Kim ,  Sang-Hee Lee

发明人： JIN CHOI ,  Byung-Gook Kim ,  Hee-Bom Kim ,  Sang-Hee Lee

IPC分类号： G03F1/44

CPC分类号： G03F1/44

摘要： A method for manufacturing a photomask includes forming a photoresist film on a substrate, and forming a defect detecting pattern on the photoresist film. The defect detecting pattern has a first pattern elongated in a first direction and a second pattern overlapping one end of the first pattern and elongated in a second direction different from the first direction. The first pattern and the second pattern are formed using electron beams (e-beam) diffracted by a same amplifier.

摘要翻译： 光掩模的制造方法包括在基板上形成光致抗蚀剂膜，在光致抗蚀剂膜上形成缺陷检测图案。 缺陷检测图案具有沿第一方向延伸的第一图案和与第一图案的一端重叠的第二图案，并且在与第一方向不同的第二方向上延伸。 使用由同一放大器衍射的电子束（e-beam）形成第一图案和第二图案。

公开(公告)号：US20100266959A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：US12662402

申请日：2010-04-15

申请人： Sang-Hee Lee ,  Jin Choi ,  Byung-Gook Kim ,  Hee-Bom Kim

发明人： Sang-Hee Lee ,  Jin Choi ,  Byung-Gook Kim ,  Hee-Bom Kim

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  G03F1/78 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/0451 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/15 ,  H01J2237/31771 ,  H01J2237/31776

摘要： A pattern forming method includes providing a resist, irradiating a first electron beam to a first region of the resist, and irradiating a second electron beam to a second region which is defined along a boundary of the first region of the resist, wherein the first electron beam has a first cross section having a polygonal shape, and the second electron beam has a second cross section having a polygonal shape.

摘要翻译： 图案形成方法包括提供抗蚀剂，将第一电子束照射到抗蚀剂的第一区域，并且将第二电子束照射到沿着抗蚀剂的第一区域的边界限定的第二区域，其中第一电子 梁具有具有多边形形状的第一横截面，并且第二电子束具有具有多边形形状的第二横截面。

公开(公告)号：US08673522B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US13571043

申请日：2012-08-09

申请人： Jin Choi ,  Byung-Gook Kim ,  Hee-Bom Kim ,  Sang-Hee Lee

发明人： Jin Choi ,  Byung-Gook Kim ,  Hee-Bom Kim ,  Sang-Hee Lee

IPC分类号： G03F1/38

CPC分类号： G03F1/44

摘要： A method for manufacturing a photomask includes forming a photoresist film on a substrate, and forming a defect detecting pattern on the photoresist film. The defect detecting pattern has a first pattern elongated in a first direction and a second pattern overlapping one end of the first pattern and elongated in a second direction different from the first direction. The first pattern and the second pattern are formed using electron beams (e-beam) diffracted by a same amplifier.

摘要翻译： 光掩模的制造方法包括在基板上形成光致抗蚀剂膜，在光致抗蚀剂膜上形成缺陷检测图案。 缺陷检测图案具有沿第一方向延伸的第一图案和与第一图案的一端重叠的第二图案，并且在与第一方向不同的第二方向上延伸。 使用由同一放大器衍射的电子束（e-beam）形成第一图案和第二图案。

公开(公告)号：US08329381B2

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：US13399090

申请日：2012-02-17

申请人： Jin Choi ,  Byung-Gook Kim ,  Hee-Bom Kim ,  Sang-Hee Lee

发明人： Jin Choi ,  Byung-Gook Kim ,  Hee-Bom Kim ,  Sang-Hee Lee

IPC分类号： G03C5/00

CPC分类号： H01J37/3026 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31776

摘要： A pattern forming method includes providing a first mask with a first aperture, forming a first transfer pattern on a resist by irradiating a first electron beam through the first aperture, the first transfer pattern extending in a first direction and having a boundary along a circumference thereof, and the first electron beam having a cross section of a first square when emerging from the first aperture, and forming a second transfer pattern on the resist by irradiating a second electron beam through the first aperture, the second transfer pattern extending in the first direction and overlapping a portion the boundary of the first transfer pattern, and the second electron beam having a cross section of a second square when emerging from the first aperture.

摘要翻译： 图案形成方法包括：提供具有第一孔的第一掩模，通过照射通过第一孔的第一电子束，在抗蚀剂上形成第一转印图案，第一转印图案沿着第一方向延伸并沿着其圆周具有边界 并且所述第一电子束在从所述第一孔出射时具有第一正方形的横截面，并且通过照射通过所述第一孔的第二电子束在所述抗蚀剂上形成第二转移图案，所述第二转移图案沿所述第一方向延伸 并且当从第一孔径出现时，与第一转印图案的边界的一部分重叠，并且第二电子束具有第二正方形的横截面。

公开(公告)号：US20120148959A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：US13399090

申请日：2012-02-17

申请人： Jin CHOI ,  Byung-Gook Kim ,  Hee-Bom Kim ,  Sang-Hee Lee

发明人： Jin CHOI ,  Byung-Gook Kim ,  Hee-Bom Kim ,  Sang-Hee Lee

IPC分类号： G03F7/22 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01J37/3026 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31776

摘要： A pattern forming method includes providing a first mask with a first aperture, forming a first transfer pattern on a resist by irradiating a first electron beam through the first aperture, the first transfer pattern extending in a first direction and having a boundary along a circumference thereof, and the first electron beam having a cross section of a first square when emerging from the first aperture, and forming a second transfer pattern on the resist by irradiating a second electron beam through the first aperture, the second transfer pattern extending in the first direction and overlapping a portion the boundary of the first transfer pattern, and the second electron beam having a cross section of a second square when emerging from the first aperture.

摘要翻译： 图案形成方法包括：提供具有第一孔的第一掩模，通过照射通过第一孔的第一电子束，在抗蚀剂上形成第一转印图案，第一转印图案沿着第一方向延伸并沿着其圆周具有边界 并且所述第一电子束在从所述第一孔出射时具有第一正方形的横截面，并且通过照射通过所述第一孔的第二电子束在所述抗蚀剂上形成第二转移图案，所述第二转移图案沿所述第一方向延伸 并且当从第一孔径出现时，与第一转印图案的边界的一部分重叠，并且第二电子束具有第二正方形的横截面。

公开(公告)号：US20120314198A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13486064

申请日：2012-06-01

申请人： Sang-Hee Lee ,  Byung-Gook Kim ,  Hee-Bom Kim ,  Soo-Young Lee ,  Qing Dai

发明人： Sang-Hee Lee ,  Byung-Gook Kim ,  Hee-Bom Kim ,  Soo-Young Lee ,  Qing Dai

IPC分类号： G03B27/32

CPC分类号： H01J37/3174 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J2237/31769

摘要： In a method of estimating a PSF in the electron-beam lithography process, a linear resist test pattern may be formed on a substrate. A line response function (LRF) may be determined using a cross-sectional profile of the linear resist test pattern. A development rate distribution in a first direction, the first direction may be substantially perpendicular to an extending direction of the linear resist test pattern, may be calculated using the LRF. A line spread function (LSF), which may represent an exposure distribution in the first direction, may be calculated using the development rate distribution. The PSF may be estimated using the LSF.

摘要翻译： 在电子束光刻工艺中估计PSF的方法中，可以在衬底上形成线性抗蚀剂测试图案。 线路响应函数（LRF）可以使用线性抗蚀剂测试图案的横截面轮廓来确定。 可以使用LRF计算第一方向上的显影速率分布，第一方向可以基本上垂直于线性抗蚀剂测试图案的延伸方向。 可以使用开发速率分布来计算可以表示第一方向上的曝光分布的线扩展函数（LSF）。 可以使用LSF估计PSF。

公开(公告)号：US20100111427A1

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：US12607238

申请日：2009-10-28

申请人： Hee-Bom Kim ,  Myoung-Soo Lee ,  Young-Su Sung

发明人： Hee-Bom Kim ,  Myoung-Soo Lee ,  Young-Su Sung

IPC分类号： G06K9/68

CPC分类号： G06T7/0006 ,  G03F1/86 ,  G03F7/70625 ,  G06T2207/30148

摘要： A method for inspecting a uniformity of CD (CD) of a photo mask pattern increases a production yield. The method obtains a CD by precisely measuring a photo mask by using, an electron microscope. Then, a measurement image having, a plurality of patterns formed in the photo mask is obtained by photographing the photo mask at a high speed through an optical microscope. A gray level based on the CD is calculated by capturing just a pattern area in the measurement image, and an estimated value and a correlation coefficient is obtained, when an open density of the measurement image is relatively low. Accordingly, a uniformity of CD can be confirmed more clearly in a measurement of high speed for a measurement image having a relatively low open density.

摘要翻译： 用于检查光掩模图案的CD（CD）的均匀性的方法提高了产量。 该方法通过使用电子显微镜精确测量光掩模来获得CD。 然后，通过光学显微镜高速拍摄光掩模，获得具有形成在光掩模中的多个图案的测量图像。 当测量图像的开放密度相对较低时，通过仅捕获测量图像中的图案区域来计算基于CD的灰度级，并且获得估计值和相关系数。 因此，对于具有较低开放密度的测量图像的高速测量，可以更清楚地确认CD的均匀性。

公开(公告)号：US08213722B2

公开(公告)日：2012-07-03

申请号：US12607238

申请日：2009-10-28

申请人： Hee-Bom Kim ,  Myoung-Soo Lee ,  Young-Su Sung

发明人： Hee-Bom Kim ,  Myoung-Soo Lee ,  Young-Su Sung

IPC分类号： G06K9/68

CPC分类号： G06T7/0006 ,  G03F1/86 ,  G03F7/70625 ,  G06T2207/30148

摘要： A method for inspecting a uniformity of CD (CD) of a photo mask pattern increases a production yield. The method obtains a CD by precisely measuring a photo mask by using, an electron microscope. Then, a measurement image having, a plurality of patterns formed in the photo mask is obtained by photographing the photo mask at a high speed through an optical microscope. A gray level based on the CD is calculated by capturing just a pattern area in the measurement image, and an estimated value and a correlation coefficient is obtained, when an open density of the measurement image is relatively low. Accordingly, a uniformity of CD can be confirmed more clearly in a measurement of high speed for a measurement image having a relatively low open density.

摘要翻译： 用于检查光掩模图案的CD（CD）的均匀性的方法提高了产量。 该方法通过使用电子显微镜精确测量光掩模来获得CD。 然后，通过光学显微镜以高速拍摄光掩模，获得具有形成在光掩模中的多个图案的测量图像。 当测量图像的开放密度相对较低时，通过仅捕获测量图像中的图案区域来计算基于CD的灰度级，并且获得估计值和相关系数。 因此，对于具有较低开放密度的测量图像的高速测量，可以更清楚地确认CD的均匀性。

公开(公告)号：US07865866B2

公开(公告)日：2011-01-04

申请号：US12122399

申请日：2008-05-16

申请人： Hee-Bom Kim ,  Min-Kyu Ji ,  Sun-Young Choi ,  Hyun-Joo Baik

发明人： Hee-Bom Kim ,  Min-Kyu Ji ,  Sun-Young Choi ,  Hyun-Joo Baik

IPC分类号： G06F17/50

CPC分类号： G03F1/84

摘要： A method of precisely inspecting the entire surface of a mask at a high speed in consideration of optical effects of the mask. The method includes designing a target mask layout for a pattern to be formed on a wafer, and extracting an effective mask layout using an inspection image measured from the target mask layout using an aerial image inspection apparatus as a mask inspection apparatus. The effective mask layout is input to a wafer simulation tool for calculating a wafer image to be formed on the wafer. Optical effects of the mask are detected by comparing the target mask layout with the effective mask layout.

摘要翻译： 考虑到掩模的光学效果，高速地高效地检查掩模的整个表面的方法。 该方法包括设计用于在晶片上形成的图案的目标掩模布局，以及使用使用空间图像检查装置作为掩模检查装置的从目标掩模布局测量的检查图像来提取有效掩模布局。 将有效掩模布局输入到晶片模拟工具，以计算要在晶片上形成的晶片图像。 通过将目标掩模布局与有效掩模布局进行比较来检测掩模的光学效果。

公开(公告)号：US06767672B2

公开(公告)日：2004-07-27

申请号：US09886984

申请日：2001-06-25

申请人： Ji-Suk Hong ,  Hee-Bom Kim ,  Sang-Sool Koo

发明人： Ji-Suk Hong ,  Hee-Bom Kim ,  Sang-Sool Koo

IPC分类号： G03F900

CPC分类号： G03F1/32

摘要： The present invention relates to a method for forming a multi-transmittance phase-shifting mask for the manufacture of highly integrated semiconductor devices in which portions of a plurality of light blocking layers are selectively removed to modify the transmittance of various regions of the mask and suppress undesired patterns, such as ghost images and side lobe effects to permit increased integration levels and improved yield in the production of the semiconductor devices.

摘要翻译： 本发明涉及一种形成多透射相移掩模的方法，用于制造高度集成的半导体器件，其中选择性地去除多个遮光层的部分以改变掩模的各个区域的透射率并抑制 不期望的图案，例如重影图像和旁瓣效应，以允许增加的集成度和提高半导体器件生产中的产量。