公开(公告)号：US20130341617A1

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：US14004020

申请日：2012-03-08

申请人： Hiroaki Tao ,  Aya Miki ,  Shinya Morita ,  Satoshi Yasuno ,  Toshihiro Kugimiya ,  Jae Woo Park ,  Je Hun Lee ,  Byung Du Ahn ,  Gun Hee Kim

发明人： Hiroaki Tao ,  Aya Miki ,  Shinya Morita ,  Satoshi Yasuno ,  Toshihiro Kugimiya ,  Jae Woo Park ,  Je Hun Lee ,  Byung Du Ahn ,  Gun Hee Kim

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L21/02554 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L29/12 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： The oxide of the present invention for thin-film transistors is an In—Zn—Sn-based oxide containing In, Zn, and Sn, wherein when the respective contents (atomic %) of metal elements contained in the In—Zn—Sn-based oxide are expressed by [Zn], [Sn], and [In], the In—Zn—Sn-based oxide fulfills the following expressions (2) and (4) when [In]/([In]+[Sn])≦0.5; or the following expressions (1), (3), and (4) when [In]/([In]+[Sn])≧0.5. [In]/([In]+[Zn]+[Sn])≦0.3 - - - (1), [In]/([In]+[Zn]+[Sn])≦1.4×{[Zn]/([Zn]+[Sn])}−0.5 - - - (2), [Zn]/([In]+[Zn]+[Sn])≦0.83 - - - (3), and 0.1≦[In]/([In]+[Zn]+[Sn]) - - - (4). According to the present invention, oxide thin films for thin-film transistors can be obtained, which provide TFTs with excellent switching characteristics, and which have high sputtering rate in the sputtering and properly controlled etching rate in the wet etching.

摘要翻译： 用于薄膜晶体管的本发明的氧化物是含有In，Zn和Sn的In-Zn-Sn系氧化物，其中，当In-Zn-Sn系中含有的金属元素的含量（原子％ 当[In] /（[In] + [Sn]）[Zn]，[In] + [Sn]表示[Zn]，[Sn]和[In]时，In-Zn-Sn系氧化物满足下述（2） ]）@ 0.5; 或[In] /（[In] + [Sn]）> = 0.5时的以下表达式（1），（3）和（4）。 [In] + [Zn] + [Sn]）@ 0.3 - - - （1），[In] /（[In] + [Zn] + [Sn]）@ 1.4×{[Zn] /([Zn]+[Sn])}-0.5 - - - （2），[Zn] /（[In] + [Zn] + [Sn]）@ 0.83 - - - （3） In] /（[In] + [Zn] + [Sn]） - - - （4）。 根据本发明，可以获得用于薄膜晶体管的氧化物薄膜，其提供具有优异的开关特性的TFT，并且在溅射中具有高溅射速率并且在湿蚀刻中具有适当控制的蚀刻速率。

公开(公告)号：US20130248855A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：US13989944

申请日：2011-11-28

申请人： Aya Miki ,  Shinya Morita ,  Toshihiro Kugimiya ,  Satoshi Yasuno ,  Jae Woo Park ,  Je Hun Lee ,  Byung Du Ahn ,  Gun Hee Kim

发明人： Aya Miki ,  Shinya Morita ,  Toshihiro Kugimiya ,  Satoshi Yasuno ,  Jae Woo Park ,  Je Hun Lee ,  Byung Du Ahn ,  Gun Hee Kim

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C01G19/006 ,  C01P2006/10 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/548 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78693

摘要： This oxide for a semiconductor layer of a thin-film transistor contains Zn, Sn and In, and the content (at %) of the metal elements contained in the oxide satisfies formulas (1) to (3) when denoted as [Zn], [Sn] and [In], respectively. [In]/([In]+[Zn]+[Sn])≧−0.53×[Zn]/([Zn]+[Sn])+0.36 (1) [In]/([In]+[Zn]+[Sn])≧2.28×[Zn]/([Zn]+[Sn])−2.01 (2) [In]/([In]+[Zn]+[Sn])≦1.1×[Zn]/([Zn]+[Sn])−0.32 (3) The present invention enables a thin-film transistor oxide that achieves high mobility and has excellent stress resistance (negligible threshold voltage shift before and after applying stress) to be provided.

摘要翻译： 用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物含有Zn，Sn和In，并且当表示为[Zn]时，包含在氧化物中的金属元素的含量（at％）满足式（1）至（3） [Sn]和[In]。 [In] /（[In] + [Zn] + [Sn]）> = - 0.53×[Zn] /（[Zn] + [Sn]）+ 0.36（1）[In] Zn] + [Sn]）> = 2.28×[Zn] /（[Zn] + [Sn]）-2.01（2）[In] /（[In] + [Zn] + [Sn] Zn] /（[Zn] + [Sn]） - 0.32（3）本发明使得能够提供实现高迁移率且具有优异的应力阻力（施加应力之前和之后的阈值电压偏移可忽略）的薄膜晶体管氧化物 。

公开(公告)号：US09178073B2

公开(公告)日：2015-11-03

申请号：US13989944

申请日：2011-11-28

申请人： Aya Miki ,  Shinya Morita ,  Toshihiro Kugimiya ,  Satoshi Yasuno ,  Jae Woo Park ,  Je Hun Lee ,  Byung Du Ahn ,  Gun Hee Kim

发明人： Aya Miki ,  Shinya Morita ,  Toshihiro Kugimiya ,  Satoshi Yasuno ,  Jae Woo Park ,  Je Hun Lee ,  Byung Du Ahn ,  Gun Hee Kim

IPC分类号： H01L29/786 ,  C01G19/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02 ,  C04B35/453 ,  C23C14/54 ,  C23C14/58 ,  C04B35/01 ,  C04B35/457 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C01G19/006 ,  C01P2006/10 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/548 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78693

摘要： This oxide for a semiconductor layer of a thin-film transistor contains Zn, Sn and In, and the content (at %) of the metal elements contained in the oxide satisfies formulas (1) to (3) when denoted as [Zn], [Sn] and [In], respectively. [In]/([In]+[Zn]+[Sn])≧−0.53×[Zn]/([Zn]+[Sn])+0.36 (1) [In]/([In]+[Zn]+[Sn])≧2.28×[Zn]/([Zn]+[Sn])−2.01 (2) [In]/([In]+[Zn]+[Sn])≦1.1×[Zn]/([Zn]+[Sn])−0.32 (3) The present invention enables a thin-film transistor oxide that achieves high mobility and has excellent stress resistance (negligible threshold voltage shift before and after applying stress) to be provided.

摘要翻译： 用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物含有Zn，Sn和In，并且当表示为[Zn]时，包含在氧化物中的金属元素的含量（at％）满足式（1）至（3） [Sn]和[In]。 [In] /（[In] + [Zn] + [Sn]）≥-0.53×[Zn] /（[Zn] + [Sn]）+0.36（1）[In] /（[In] ] + [Sn]）≥2.28×[Zn] /（[Zn] + [Sn]）-2.01（2）[In] /（[In] + [Zn] + [Sn]）＆ ] /（[Zn] + [Sn]） - 0.32（3）本发明能够提供实现高迁移率并具有优异的应力阻力（施加应力之前和之后的阈值电压偏移可忽略）的薄膜晶体管氧化物。

公开(公告)号：US09190523B2

公开(公告)日：2015-11-17

申请号：US13554393

申请日：2012-07-20

申请人： Byung Du Ahn ,  Je Hun Lee ,  Sei-Yong Park ,  Jun Hyun Park ,  Gun Hee Kim ,  Ji Hun Lim ,  Jae Woo Park ,  Jin Seong Park ,  Toshihiro Kugimiya ,  Aya Miki ,  Shinya Morita ,  Tomoya Kishi ,  Hiroaki Tao

发明人： Byung Du Ahn ,  Je Hun Lee ,  Sei-Yong Park ,  Jun Hyun Park ,  Gun Hee Kim ,  Ji Hun Lim ,  Jae Woo Park ,  Jin Seong Park ,  Toshihiro Kugimiya ,  Aya Miki ,  Shinya Morita ,  Tomoya Kishi ,  Hiroaki Tao

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66969

摘要： An oxide semiconductor includes a first material including at least one selected from the group consisting of zinc (Zn) and tin (Sn), and a second material, where a value acquired by subtracting an electronegativity difference value between the second material and oxygen (O) from the electronegativity difference value between the first material and oxygen (O) is less than about 1.3.

摘要翻译： 氧化物半导体包括包含选自锌（Zn）和锡（Sn）中的至少一种的第一材料和第二材料，其中通过减去第二材料和氧之间的电负性差值获得的值（O ）从第一材料和氧（O）之间的电负性差值小于约1.3。

公开(公告)号：US08743307B2

公开(公告)日：2014-06-03

申请号：US13490978

申请日：2012-06-07

申请人： Jae Woo Park ,  Je Hun Lee ,  Byung Du Ahn ,  Sei-Yong Park ,  Jun Hyun Park ,  Gun Hee Kim ,  Ji Hun Lim ,  Kyoung Won Lee ,  Toshihiro Kugimiya ,  Aya Miki ,  Shinya Morita ,  Tomoya Kishi ,  Hiroaki Tao ,  Hiroshi Goto

发明人： Jae Woo Park ,  Je Hun Lee ,  Byung Du Ahn ,  Sei-Yong Park ,  Jun Hyun Park ,  Gun Hee Kim ,  Ji Hun Lim ,  Kyoung Won Lee ,  Toshihiro Kugimiya ,  Aya Miki ,  Shinya Morita ,  Tomoya Kishi ,  Hiroaki Tao ,  Hiroshi Goto

IPC分类号： G02F1/136

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L29/7869

摘要： A display device includes a first substrate, a gate line disposed on the first substrate and including a gate electrode, a gate insulating layer disposed on the gate line, a semiconductor layer disposed on the gate insulating layer, a data line disposed on the semiconductor layer and connected to a source electrode, a drain electrode disposed on the semiconductor layer and facing the source electrode and a passivation layer disposed on the data line, in which the semiconductor layer is formed of an oxide semiconductor including indium, tin, and zinc. The indium is present in an amount of about 5 atomic percent (at %) to about 50 at %, and a ratio of the zinc to the tin is about 1.38 to about 3.88.

摘要翻译： 显示装置包括：第一基板，设置在第一基板上的栅极线，包括栅电极，设置在栅极线上的栅极绝缘层，设置在栅极绝缘层上的半导体层，设置在半导体层上的数据线 并连接到源电极，设置在半导体层上并面对源电极的漏电极和设置在数据线上的钝化层，其中半导体层由包含铟，锡和锌的氧化物半导体形成。 铟以约5原子％（at％）至约50原子％的量存在，并且锌与锡的比例为约1.38至约3.88。

公开(公告)号：US08907334B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US13642314

申请日：2011-04-18

申请人： Aya Miki ,  Yumi Iwanari ,  Toshihiro Kugimiya ,  Shinya Morita ,  Yasuaki Terao ,  Satoshi Yasuno ,  Jae Woo Park ,  Je Hun Lee ,  Byung Du Ahn

发明人： Aya Miki ,  Yumi Iwanari ,  Toshihiro Kugimiya ,  Shinya Morita ,  Yasuaki Terao ,  Satoshi Yasuno ,  Jae Woo Park ,  Je Hun Lee ,  Byung Du Ahn

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： Disclosed is an oxide for a semiconductor layer of a thin-film transistor, said oxide being excellent in the switching characteristics of a thin-film transistor, specifically enabling favorable characteristics to be stably obtained even in a region of which the ZnO concentration is high and even after forming a passivation layer and after applying stress. The oxide is used in a semiconductor layer of a thin-film transistor, and the aforementioned oxide contains Zn and Sn, and further contains at least one element selected from group X consisting of Al, Hf, Ta, Ti, Nb, Mg, Ga, and the rare-earth elements.

摘要翻译： 公开了一种用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物的薄膜晶体管的开关特性优异，特别是即使在ZnO浓度高的区域也能够稳定地获得良好的特性， 甚至在形成钝化层之后和施加应力之后。 氧化物用于薄膜晶体管的半导体层，上述氧化物含有Zn和Sn，还含有选自由Al，Hf，Ta，Ti，Nb，Mg，Ga组成的组X中的至少一种元素 ，和稀土元素。

公开(公告)号：US09299474B2

公开(公告)日：2016-03-29

申请号：US13812277

申请日：2011-07-28

申请人： Shinya Morita ,  Aya Miki ,  Yumi Iwanari ,  Toshihiro Kugimiya ,  Satoshi Yasuno ,  Jae Woo Park ,  Je Hun Lee ,  Byung Du Ahn

发明人： Shinya Morita ,  Aya Miki ,  Yumi Iwanari ,  Toshihiro Kugimiya ,  Satoshi Yasuno ,  Jae Woo Park ,  Je Hun Lee ,  Byung Du Ahn

IPC分类号： H01B1/08 ,  H01L29/24 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01B1/08 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

摘要： There is provided an oxide for semiconductor layers of thin-film transistors, which oxide can provide thin-film transistors with excellent switching characteristics and by which oxide favorable characteristics can stably be obtained even after the formation of passivation layers. The oxide to be used for semiconductor layers of thin-film transistors according to the present invention includes Zn, Sn, and Si.

摘要翻译： 提供了用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，该氧化物可以提供具有优异的开关特性的薄膜晶体管，并且即使在形成钝化层之后也可以稳定地获得氧化物有利特性。 根据本发明的用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物包括Zn，Sn和Si。

公开(公告)号：US20130032798A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：US13642314

申请日：2011-04-18

申请人： Aya Miki ,  Yumi Iwanari ,  Toshihiro Kugimiya ,  Shinya Morita ,  Yasuaki Terao ,  Satoshi Yasuno ,  Jae Woo Park ,  Je Hun Lee ,  Byung Du Ahn

发明人： Aya Miki ,  Yumi Iwanari ,  Toshihiro Kugimiya ,  Shinya Morita ,  Yasuaki Terao ,  Satoshi Yasuno ,  Jae Woo Park ,  Je Hun Lee ,  Byung Du Ahn

IPC分类号： C01G19/02 ,  C23C14/08 ,  C01G35/00 ,  H01L29/786 ,  C01F7/02

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： Disclosed is an oxide for a semiconductor layer of a thin-film transistor, said oxide being excellent in the switching characteristics of a thin-film transistor, specifically enabling favorable characteristics to be stably obtained even in a region of which the ZnO concentration is high and even after forming a passivation layer and after applying stress. The oxide is used in a semiconductor layer of a thin-film transistor, and the aforementioned oxide contains Zn and Sn, and further contains at least one element selected from group X consisting of Al, Hf, Ta, Ti, Nb, Mg, Ga, and the rare-earth elements.

摘要翻译： 公开了一种用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物具有优异的薄膜晶体管的开关特性，特别是即使在ZnO浓度高的区域也能够稳定地获得良好的特性， 甚至在形成钝化层之后和施加应力之后。 氧化物用于薄膜晶体管的半导体层，上述氧化物含有Zn和Sn，还含有选自由Al，Hf，Ta，Ti，Nb，Mg，Ga组成的组X中的至少一种元素 ，和稀土元素。

公开(公告)号：US20130240802A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13989948

申请日：2011-11-28

申请人： Aya Miki ,  Shinya Morita ,  Toshihiro Kugimiya ,  Satoshi Yasuno ,  Jae Woo Park ,  Je Hun Lee ,  Byung Du Ahn

发明人： Aya Miki ,  Shinya Morita ,  Toshihiro Kugimiya ,  Satoshi Yasuno ,  Jae Woo Park ,  Je Hun Lee ,  Byung Du Ahn

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/548 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78693

摘要： This oxide for a semiconductor layer of a thin-film transistor contains Zn, Sn and In, and at least one type of element (X group element) selected from an X group comprising Si, Hf, Ga, Al, Ni, Ge, Ta, W and Nb. The present invention enables a thin-film transistor oxide that achieves high mobility and has excellent stress resistance (negligible threshold voltage shift before and after applying stress) to be provided.

摘要翻译： 用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物含有Zn，Sn和In，以及从Si，Hf，Ga，Al，Ni，Ge，Ta的X族中选出的至少一种元素（X族元素） ，W和Nb。 本发明能够提供实现高迁移率且具有优异的应力阻力（施加应力之前和之后的阈值电压偏移可忽略）的薄膜晶体管氧化物。

公开(公告)号：US20130119324A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：US13812277

申请日：2011-07-28

申请人： Shinya Morita ,  Aya Miki ,  Yumi Iwanari ,  Toshihiro Kugimiya ,  Satoshi Yasuno ,  Jae Woo Park ,  Je Hun Lee ,  Byung Du Ahn

发明人： Shinya Morita ,  Aya Miki ,  Yumi Iwanari ,  Toshihiro Kugimiya ,  Satoshi Yasuno ,  Jae Woo Park ,  Je Hun Lee ,  Byung Du Ahn

IPC分类号： H01L29/24

CPC分类号： H01B1/08 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

摘要： There is provided an oxide for semiconductor layers of thin-film transistors, which oxide can provide thin-film transistors with excellent switching characteristics and by which oxide favorable characteristics can stably be obtained even after the formation of passivation layers. The oxide to be used for semiconductor layers of thin-film transistors according to the present invention includes Zn, Sn, and Si.

摘要翻译： 提供了用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，该氧化物可以提供具有优异的开关特性的薄膜晶体管，并且即使在形成钝化层之后也可以稳定地获得氧化物有利特性。 根据本发明的用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物包括Zn，Sn和Si。