公开(公告)号：US20090034134A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US12236331

申请日：2008-09-23

申请人： Hiromi Yuasa ,  Yuzo Kamiguchi ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Katsuhiko Koul ,  Hitoshi Iwasaki ,  Tomohiko Nagata ,  Takeo Sakakubo ,  Masashi Sahashi

发明人： Hiromi Yuasa ,  Yuzo Kamiguchi ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Katsuhiko Koul ,  Hitoshi Iwasaki ,  Tomohiko Nagata ,  Takeo Sakakubo ,  Masashi Sahashi

IPC分类号： G11B5/33

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3227 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： A magnetoresistance effect element includes a magnetoresistance effect film including a magnetically pinned layer having a magnetic material film whose direction of magnetization is pinned substantially in one direction, a magnetically free layer having a magnetic material film whose direction of magnetization changes in response to an external magnetic field, and a nonmagnetic metal intermediate layer located between said pinned layer and said free layer. The element also includes a pair of electrodes electrically connected to the magnetoresistance effect film to supply a sense current perpendicularly to a film plane of the magnetoresistance effect film. At least one of the pinned layer and the free layer may include a thin-film insertion layer. The nonmagnetic metal intermediate layer includes a resistance adjusting layer including at least one of oxides, nitrides and fluorides, and the thin-film insertion layer includes at least one element selected from the group consisting of iron (Fe), cobalt (Co) and nickel (Ni).

摘要翻译： 磁阻效应元件包括磁阻效应膜，该磁阻效应膜包括具有磁性材料膜的磁性被钉扎层，该磁性材料膜的磁化方向基本上被固定在一个方向上;磁性层，具有响应于外部磁性的磁化方向变化的磁性材料膜 以及位于所述被钉扎层和所述自由层之间的非磁性金属中间层。 该元件还包括电连接到磁阻效应膜的一对电极，以提供垂直于磁阻效应膜的膜平面的感测电流。 被钉扎层和自由层中的至少一个可以包括薄膜插入层。 非磁性金属中间层包括电阻调节层，其包含氧化物，氮化物和氟化物中的至少一种，薄膜插入层包括选自铁（Fe），钴（Co）和镍中的至少一种元素 （Ni）。

公开(公告)号：US07443004B2

公开(公告)日：2008-10-28

申请号：US11283873

申请日：2005-11-22

申请人： Hiromi Yuasa ,  Yuzo Kamiguchi ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Katsuhiko Koui ,  Hitoshi Iwasaki ,  Tomohiko Nagata ,  Takeo Sakakubo ,  Masashi Sahashi

发明人： Hiromi Yuasa ,  Yuzo Kamiguchi ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Katsuhiko Koui ,  Hitoshi Iwasaki ,  Tomohiko Nagata ,  Takeo Sakakubo ,  Masashi Sahashi

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3227 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： In a spin valve type element, an interface insertion layer (32, 34) of a material exhibiting large spin-dependent interface scattering is inserted in a location of a magnetically pinned layer (16) or a magnetically free layer (20) closer to a nonmagnetic intermediate layer (18). A nonmagnetic back layer (36) may be additionally inserted as an interface not in contact with the nonmagnetic intermediate layer to increase the output by making use of spin-dependent interface scattering along the interface between the pinned layer and the nonmagnetic back layer or between the free layer and the nonmagnetic back layer.

摘要翻译： 在自旋阀型元件中，将表现出大的自旋相关界面散射的材料的界面插入层（32,34）插入到更靠近磁性固定层（16）或磁性层（20）的位置 非磁性中间层（18）。 可以另外插入非磁性背层（36）作为不与非磁性中间层接触的界面，以通过利用沿被钉扎层和非磁性背层之间的界面处的自旋相关界面散射来增加输出， 自由层和非磁背层。

公开(公告)号：US07071522B2

公开(公告)日：2006-07-04

申请号：US10887080

申请日：2004-07-09

申请人： Hiromi Yuasa ,  Yuzo Kamiguchi ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Katsuhiko Koui ,  Hitoshi Iwasaki ,  Tomohiko Nagata ,  Takeo Sakakubo ,  Masashi Sahashi

发明人： Hiromi Yuasa ,  Yuzo Kamiguchi ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Katsuhiko Koui ,  Hitoshi Iwasaki ,  Tomohiko Nagata ,  Takeo Sakakubo ,  Masashi Sahashi

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L43/00

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3227 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： In a spin valve type element, an interface insertion layer (32, 34) of a material exhibiting large spin-dependent interface scattering is inserted in a location of a magnetically pinned layer (16) or a magnetically free layer (20) closer to a nonmagnetic intermediate layer (18). A nonmagnetic back layer (36) may be additionally inserted as an interface not in contact with the nonmagnetic intermediate layer to increase the output by making use of spin-dependent interface scattering along the interface between the pinned layer and the nonmagnetic back layer or between the free layer and the nonmagnetic back layer.

公开(公告)号：US08085511B2

公开(公告)日：2011-12-27

申请号：US12236331

申请日：2008-09-23

申请人： Hiromi Yuasa ,  Yuzo Kamiguchi ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Katsuhiko Koui ,  Hitoshi Iwasaki ,  Tomohiko Nagata ,  Takeo Sakakubo ,  Masashi Sahashi

发明人： Hiromi Yuasa ,  Yuzo Kamiguchi ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Katsuhiko Koui ,  Hitoshi Iwasaki ,  Tomohiko Nagata ,  Takeo Sakakubo ,  Masashi Sahashi

IPC分类号： G11B5/39 ,  H01L29/82

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3227 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： A magnetoresistance effect element includes a magnetoresistance effect film including a magnetically pinned layer having a magnetic material film whose direction of magnetization is pinned substantially in one direction, a magnetically free layer having a magnetic material film whose direction of magnetization changes in response to an external magnetic field, and a nonmagnetic metal intermediate layer located between said pinned layer and said free layer. The element also includes a pair of electrodes electrically connected to the magnetoresistance effect film to supply a sense current perpendicularly to a film plane of the magnetoresistance effect film. At least one of the pinned layer and the free layer may include a thin-film insertion layer. The nonmagnetic metal intermediate layer includes a resistance adjusting layer including at least one of oxides, nitrides and fluorides, and the thin-film insertion layer includes at least one element selected from the group consisting of iron (Fe), cobalt (Co) and nickel (Ni).

摘要翻译： 磁阻效应元件包括磁阻效应膜，该磁阻效应膜包括具有磁性材料膜的磁性被钉扎层，该磁性材料膜的磁化方向基本上被固定在一个方向上;磁性层，具有响应于外部磁性的磁化方向变化的磁性材料膜 以及位于所述被钉扎层和所述自由层之间的非磁性金属中间层。 元件还包括电连接到磁阻效应膜的一对电极，以提供垂直于磁阻效应膜的膜平面的感测电流。 被钉扎层和自由层中的至少一个可以包括薄膜插入层。 非磁性金属中间层包括电阻调节层，其包含氧化物，氮化物和氟化物中的至少一种，薄膜插入层包括选自铁（Fe），钴（Co）和镍中的至少一种元素 （Ni）。

公开(公告)号：US20060071287A1

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：US11283873

申请日：2005-11-22

申请人： Hiromi Yuasa ,  Yuzo Kamiguchi ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Katsuhiko Koui ,  Hitoshi Iwasaki ,  Tomohiko Nagata ,  Takeo Sakakubo ,  Masashi Sahashi

发明人： Hiromi Yuasa ,  Yuzo Kamiguchi ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Katsuhiko Koui ,  Hitoshi Iwasaki ,  Tomohiko Nagata ,  Takeo Sakakubo ,  Masashi Sahashi

IPC分类号： H01L43/00

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3227 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： In a spin valve type element, an interface insertion layer (32, 34) of a material exhibiting large spin-dependent interface scattering is inserted in a location of a magnetically pinned layer (16) or a magnetically free layer (20) closer to a nonmagnetic intermediate layer (18). A nonmagnetic back layer (36) may be additionally inserted as an interface not in contact with the nonmagnetic intermediate layer to increase the output by making use of spin-dependent interface scattering along the interface between the pinned layer and the nonmagnetic back layer or between the free layer and the nonmagnetic back layer.

摘要翻译： 在自旋阀型元件中，将表现出大的自旋相关界面散射的材料的界面插入层（32,34）插入到更靠近磁性固定层（16）或磁性层（20）的位置 非磁性中间层（18）。 可以另外插入非磁性背层（36）作为不与非磁性中间层接触的界面，以通过利用沿被钉扎层和非磁性背层之间的界面处的自旋相关界面散射来增加输出， 自由层和非磁背层。

公开(公告)号：US06784509B2

公开(公告)日：2004-08-31

申请号：US10217410

申请日：2002-08-14

申请人： Hiromi Yuasa ,  Yuzo Kamiguchi ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Katsuhiko Koui ,  Hitoshi Iwasaki ,  Tomohiko Nagata ,  Takeo Sakakubo ,  Masashi Sahashi

发明人： Hiromi Yuasa ,  Yuzo Kamiguchi ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Katsuhiko Koui ,  Hitoshi Iwasaki ,  Tomohiko Nagata ,  Takeo Sakakubo ,  Masashi Sahashi

IPC分类号： H01L2982

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3227 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： In a spin valve type element, an interface insertion layer (32, 34) of a material exhibiting large spin-dependent interface scattering is inserted in a location of a magnetically pinned layer (16) or a magnetically free layer (20) closer to a nonmagnetic intermediate layer (18). A nonmagnetic back layer (36) may be additionally inserted as an interface not in contact with the nonmagnetic intermediate layer to increase the output by making use of spin-dependent interface scattering along the interface between the pinned layer and the nonmagnetic back layer or between the free layer and the nonmagnetic back layer.

摘要翻译： 在自旋阀型元件中，将表现出大的自旋相关界面散射的材料的界面插入层（32,34）插入到更靠近磁性固定层（16）或磁性层（20）的位置 非磁性中间层（18）。 可以另外插入非磁性背层（36）作为不与非磁性中间层接触的界面，以通过利用沿被钉扎层和非磁性背层之间的界面处的自旋相关界面散射来增加输出， 自由层和非磁背层。

公开(公告)号：US07223485B2

公开(公告)日：2007-05-29

申请号：US11072270

申请日：2005-03-07

申请人： Hiromi Yuasa ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Yuzo Kamiguchi ,  Hitoshi Iwasaki ,  Masashi Sahashi

发明人： Hiromi Yuasa ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Yuzo Kamiguchi ,  Hitoshi Iwasaki ,  Masashi Sahashi

IPC分类号： G11B5/39 ,  G11B5/127

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/012 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3906 ,  G11C11/16 ,  H01F10/324 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/10 ,  Y10T428/1107 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1129 ,  Y10T428/1143 ,  Y10T428/115 ,  Y10T428/1171 ,  Y10T428/1193 ,  Y10T428/12465 ,  Y10T428/12868 ,  Y10T428/12917 ,  Y10T428/12951 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/32

摘要： A magnetoresistive device includes a magnetization pinned layer, a magnetization free layer, a nonmagnetic intermediate layer formed between the magnetization pinned layer and the magnetization free layer, and electrodes allowing a sense current to flow in a direction substantially perpendicular to the plane of the stack including the magnetization pinned layer, the nonmagnetic intermediate layer and the magnetization free layer. At least one of the magnetization pinned layer and the magnetization free layer is substantially formed of a binary or ternary alloy represented by the formula FeaCobNic (where a+b+c=100 at %, and a≦75 at %, b≦75 at %, and c≦63 at %), or formed of an alloy having a body-centered cubic crystal structure.

摘要翻译： 磁阻装置包括磁化固定层，磁化自由层，形成在磁化固定层和磁化自由层之间的非磁性中间层，以及允许感测电流在基本垂直于堆叠平面的方向上流动的电极，包括 磁化钉扎层，非磁性中间层和无磁化层。 磁化固定层和无磁化层中的至少一个基本上由二元或三元合金形成，由二元或三元合金表示，其由式Fe / SUB>（其中a + b + c = 100at％，a≤75at％，b <= 75at％，c <= 63at％），或者由具有体心立方 晶体结构。

公开(公告)号：US07897274B2

公开(公告)日：2011-03-01

申请号：US11685490

申请日：2007-03-13

申请人： Hiromi Yuasa ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Yuzo Kamiguchi ,  Hitoshi Iwasaki ,  Masashi Sahashi

发明人： Hiromi Yuasa ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Yuzo Kamiguchi ,  Hitoshi Iwasaki ,  Masashi Sahashi

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/012 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3906 ,  G11C11/16 ,  H01F10/324 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/10 ,  Y10T428/1107 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1129 ,  Y10T428/1143 ,  Y10T428/115 ,  Y10T428/1171 ,  Y10T428/1193 ,  Y10T428/12465 ,  Y10T428/12868 ,  Y10T428/12917 ,  Y10T428/12951 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/32

摘要： A magnetoresistive device includes a magnetization pinned layer, a magnetization free layer, a nonmagnetic intermediate layer formed between the magnetization pinned layer and the magnetization free layer, and electrodes allowing a sense current to flow in a direction substantially perpendicular to the plane of the stack including the magnetization pinned layer, the nonmagnetic intermediate layer and the magnetization free layer. At least one of the magnetization pinned layer and the magnetization free layer is substantially formed of a binary or ternary alloy represented by the formula FeaCobNic (where a+b+c=100 at %, and a≦75 at %, b≦75 at %, and c≦63 at %), or formed of an alloy having a body-centered cubic crystal structure.

摘要翻译： 磁阻装置包括磁化固定层，磁化自由层，形成在磁化固定层和磁化自由层之间的非磁性中间层，以及允许感测电流在基本垂直于堆叠平面的方向上流动的电极，包括 磁化钉扎层，非磁性中间层和无磁化层。 磁化固定层和磁化自由层中的至少一个基本上由式FeaCobNic（其中a + b + c = 100原子％，a＆nlE; 75原子％，b＆nlE; 75在 ％，c＆nlE; 63at％），或由具有体心立方晶体结构的合金形成。

公开(公告)号：US06905780B2

公开(公告)日：2005-06-14

申请号：US10060247

申请日：2002-02-01

申请人： Hiromi Yuasa ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Yuzo Kamiguchi ,  Hitoshi Iwasaki ,  Masashi Sahashi

发明人： Hiromi Yuasa ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Yuzo Kamiguchi ,  Hitoshi Iwasaki ,  Masashi Sahashi

IPC分类号： G11B5/012 ,  G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10 ,  G11B5/127

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/012 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3906 ,  G11C11/16 ,  H01F10/324 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/10 ,  Y10T428/1107 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1129 ,  Y10T428/1143 ,  Y10T428/115 ,  Y10T428/1171 ,  Y10T428/1193 ,  Y10T428/12465 ,  Y10T428/12868 ,  Y10T428/12917 ,  Y10T428/12951 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/32

摘要： A magnetoresistive device includes a magnetization pinned layer, a magnetization free layer, a nonmagnetic intermediate layer formed between the magnetization pinned layer and the magnetization free layer, and electrodes allowing a sense current to flow in a direction substantially perpendicular to the plane of the stack including the magnetization pinned layer, the nonmagnetic intermediate layer and the magnetization free layer. At least one of the magnetization pinned layer and the magnetization free layer is substantially formed of a binary or ternary alloy represented by the formula FeaCobNic (where a+b+c=100 at %, and a≦75 at %, b≦75 at %, and c≦63 at %), or formed of an alloy having a body-centered cubic crystal structure.

摘要翻译： 磁阻装置包括磁化固定层，磁化自由层，形成在磁化固定层和磁化自由层之间的非磁性中间层，以及允许感测电流在基本垂直于堆叠平面的方向上流动的电极，包括 磁化钉扎层，非磁性中间层和无磁化层。 磁化固定层和无磁化层中的至少一个基本上由二元或三元合金形成，由二元或三元合金表示，其由式Fe / SUB>（其中a + b + c = 100at％，a≤75at％，b <= 75at％，c <= 63at％），或者由具有体心立方 晶体结构。

公开(公告)号：US20070154740A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：US11685490

申请日：2007-03-13

申请人： Hiromi Yuasa ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Yuzo Kamiguchi ,  Hitoshi Iwasaki ,  Masashi Sahashi

发明人： Hiromi Yuasa ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Yuzo Kamiguchi ,  Hitoshi Iwasaki ,  Masashi Sahashi

IPC分类号： G11B5/33 ,  G11B5/127

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/012 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3906 ,  G11C11/16 ,  H01F10/324 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/10 ,  Y10T428/1107 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1129 ,  Y10T428/1143 ,  Y10T428/115 ,  Y10T428/1171 ,  Y10T428/1193 ,  Y10T428/12465 ,  Y10T428/12868 ,  Y10T428/12917 ,  Y10T428/12951 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/32

摘要： A magnetoresistive device includes a magnetization pinned layer, a magnetization free layer, a nonmagnetic intermediate layer formed between the magnetization pinned layer and the magnetization free layer, and electrodes allowing a sense current to flow in a direction substantially perpendicular to the plane of the stack including the magnetization pinned layer, the nonmagnetic intermediate layer and the magnetization free layer. At least one of the magnetization pinned layer and the magnetization free layer is substantially formed of a binary or ternary alloy represented by the formula FeaCobNic (where a+b+c=100 at %, and a≦75 at %, b≦75 at %, and c≦63 at %), or formed of an alloy having a body-centered cubic crystal structure.

摘要翻译： 磁阻装置包括磁化固定层，磁化自由层，形成在磁化固定层和磁化自由层之间的非磁性中间层，以及允许感测电流在基本垂直于堆叠平面的方向上流动的电极，包括 磁化钉扎层，非磁性中间层和无磁化层。 磁化固定层和无磁化层中的至少一个基本上由二元或三元合金形成，由二元或三元合金表示，其由式Fe / SUB>（其中a + b + c = 100at％，a≤75at％，b <= 75at％，c <= 63at％），或者由具有体心立方 晶体结构。