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    NONVOLATILE MEMORY DEVICE
    3.
    发明申请
    NONVOLATILE MEMORY DEVICE 审中-公开
    非易失性存储器件

    公开(公告)号：US20110303888A1

    公开(公告)日：2011-12-15

    申请号：US13044865

    申请日：2011-03-10

    申请人： Hiroyuki FUKUMIZU ,  Yasuhiro Nojiri ,  Tsukasa Nakai ,  Kazuhiko Yamamoto

    发明人： Hiroyuki FUKUMIZU ,  Yasuhiro Nojiri ,  Tsukasa Nakai ,  Kazuhiko Yamamoto

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L27/2481 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/065 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1675

    摘要： According to one embodiment, a nonvolatile memory device includes a memory cell connected to a first interconnect and a second interconnect. The memory cell includes a plurality of layers. The plurality of layers includes a carbon-containing memory layer sandwiched between a first electrode film and a second electrode film and a carbon-containing barrier layer provided at least one of between the first electrode film and the memory layer and between the second electrode film and the memory layer. The barrier layer has lower electrical resistivity than the memory layer.

    摘要翻译： 根据一个实施例，非易失性存储器件包括连接到第一互连和第二互连的存储单元。 存储单元包括多个层。 多个层包括夹在第一电极膜和第二电极膜之间的含碳存储层和设置在第一电极膜和存储层之间以及第二电极膜和第二电极膜之间的至少一个的含碳阻挡层， 内存层。 阻挡层的电阻率比存储层低。

    NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
    4.
    发明申请
    NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 有权
    非易失性半导体存储器件

    公开(公告)号：US20120273743A1

    公开(公告)日：2012-11-01

    申请号：US13512774

    申请日：2010-11-29

    申请人： Shuichi Kuboi ,  Masayuki Takata ,  Tsukasa Nakai ,  Hiroyuki Fukumizu ,  Yasuhiro Nojiri ,  Kenichi Ootsuka

    发明人： Shuichi Kuboi ,  Masayuki Takata ,  Tsukasa Nakai ,  Hiroyuki Fukumizu ,  Yasuhiro Nojiri ,  Kenichi Ootsuka

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/148

    摘要： A nonvolatile semiconductor memory device includes: a first interconnect; a second interconnect at a position opposing the first interconnect; and a variable resistance layer between the first interconnect and the second interconnect, the variable resistance layer being capable of reversibly changing between a first state and a second state by a voltage applied via the first interconnect and the second interconnect or a current supplied via the first interconnect and the second interconnect, the first state having a first resistivity, the second state having a second resistivity higher than the first resistivity. Wherein the variable resistance layer has a compound of carbon and silicon as a main component and including hydrogen.

    摘要翻译： 非易失性半导体存储器件包括：第一互连; 在与所述第一互连相对的位置处的第二互连; 以及第一互连和第二互连之间的可变电阻层，可变电阻层能够通过经由第一互连和第二互连施加的电压在第一状态和第二状态之间可逆地改变，或者经由第一互连 互连和第二互连，第一状态具有第一电阻率，第二状态具有比第一电阻率高的第二电阻率。 其中可变电阻层具有碳和硅作为主要成分并包括氢的化合物。

    Nonvolatile semiconductor memory device
    6.
    发明授权
    Nonvolatile semiconductor memory device 有权
    非易失性半导体存储器件

    公开(公告)号：US08735859B2

    公开(公告)日：2014-05-27

    申请号：US13512774

    申请日：2010-11-29

    申请人： Shuichi Kuboi ,  Masayuki Takata ,  Tsukasa Nakai ,  Hiroyuki Fukumizu ,  Yasuhiro Nojiri ,  Kenichi Ootsuka

    发明人： Shuichi Kuboi ,  Masayuki Takata ,  Tsukasa Nakai ,  Hiroyuki Fukumizu ,  Yasuhiro Nojiri ,  Kenichi Ootsuka

    IPC分类号： H01L29/02

    CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L45/04 ,  H01L45/148

    摘要： A nonvolatile semiconductor memory device includes: a first interconnect; a second interconnect at a position opposing the first interconnect; and a variable resistance layer between the first interconnect and the second interconnect, the variable resistance layer being capable of reversibly changing between a first state and a second state by a voltage applied via the first interconnect and the second interconnect or a current supplied via the first interconnect and the second interconnect, the first state having a first resistivity, the second state having a second resistivity higher than the first resistivity. Wherein the variable resistance layer has a compound of carbon and silicon as a main component and including hydrogen.

    摘要翻译： 非易失性半导体存储器件包括：第一互连; 在与所述第一互连相对的位置处的第二互连; 以及第一互连和第二互连之间的可变电阻层，可变电阻层能够通过经由第一互连和第二互连施加的电压在第一状态和第二状态之间可逆地改变，或者经由第一互连 互连和第二互连，第一状态具有第一电阻率，第二状态具有比第一电阻率高的第二电阻率。 其中可变电阻层具有碳和硅作为主要成分并包括氢的化合物。

    Nonvolatile semiconductor memory device including a variable resistance layer including carbon
    10.
    发明授权
    Nonvolatile semiconductor memory device including a variable resistance layer including carbon 有权
    包括包含碳的可变电阻层的非易失性半导体存储器件

    公开(公告)号：US08334525B2

    公开(公告)日：2012-12-18

    申请号：US12825975

    申请日：2010-06-29

    申请人： Tsukasa Nakai ,  Hiroyuki Fukumizu ,  Yasuhiro Nojiri ,  Motoya Kishida ,  Kazuyuki Yahiro ,  Yasuhiro Satoh

    发明人： Tsukasa Nakai ,  Hiroyuki Fukumizu ,  Yasuhiro Nojiri ,  Motoya Kishida ,  Kazuyuki Yahiro ,  Yasuhiro Satoh

    IPC分类号： H01L29/02

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/14 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625

    摘要： According to one embodiment, a variable resistance layer includes a mixture of a first compound and a second compound. The first compound includes carbon (C) as well as at least one element selected from a group of elements G1. The group of elements G1 consists of hydrogen (H), boron (B), nitrogen (N), silicon (Si), and titanium (Ti). The second compound includes at least one compound selected from a group of compounds G2. The group of compounds G2 consists of silicon oxide (SiO2), silicon oxynitride (SiON), silicon nitride (Si3N4), carbon nitride (C3N4), boron nitride (BN), aluminum nitride (AlN), aluminum oxide (Al2O3), and silicon carbide (SiC). Concentration of the first compound in the variable resistance layer is not less than 30 volume percent, and not more than 70 volume percent.

    摘要翻译： 根据一个实施方案，可变电阻层包括第一化合物和第二化合物的混合物。 第一化合物包括碳（C）以及选自元素组G1的至少一种元素。 元素组G1由氢（H），硼（B），氮（N），硅（Si）和钛（Ti）组成。 第二化合物包括选自化合物G2的至少一种化合物。 化合物组G2由氧化硅（SiO 2），氮氧化硅（SiON），氮化硅（Si 3 N 4），碳氮化物（C 3 N 4），氮化硼（BN），氮化铝（AlN），氧化铝（Al 2 O 3）和 碳化硅（SiC）。 可变电阻层中第一化合物的浓度不小于30体积％，不大于70体积％。