利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

23 条记录 (耗时 0.021 秒)

    METHOD FOR PATTERNING A PHOTOSENSITIVE LAYER
    1.
    发明申请
    METHOD FOR PATTERNING A PHOTOSENSITIVE LAYER 有权
    用于绘制感光层的方法

    公开(公告)号：US20120114872A1

    公开(公告)日：2012-05-10

    申请号：US13346917

    申请日：2012-01-10

    申请人： Hsiao-Tzu Lu ,  Keui Shun Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Vencent Chang ,  George Liu

    发明人： Hsiao-Tzu Lu ,  Keui Shun Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Vencent Chang ,  George Liu

    IPC分类号： B05D3/00 ,  B05D5/00 ,  B05D1/36

    CPC分类号： G03F7/405 ,  G03F7/0035

    摘要： The method of patterning a photosensitive layer includes providing a substrate including a first layer formed thereon, treating the substrate including the first layer with cations, forming a first photosensitive layer over the first layer, patterning the first photosensitive layer to form a first pattern, treating the first pattern with cations, forming a second photosensitive layer over the treated first pattern, patterning the second photosensitive layer to form a second pattern, and processing the first layer using the first and second patterns as a mask.

    摘要翻译： 图案化感光层的方法包括提供包括其上形成的第一层的基板，用阳离子处理包括第一层的基板，在第一层上形成第一感光层，图案化第一感光层以形成第一图案，处理 具有阳离子的第一图案，在经处理的第一图案上形成第二感光层，图案化第二感光层以形成第二图案，并且使用第一图案和第二图案作为掩模来处理第一层。

    METHOD FOR PATTERNING A PHOTOSENSITIVE LAYER
    2.
    发明申请
    METHOD FOR PATTERNING A PHOTOSENSITIVE LAYER 有权
    用于绘制感光层的方法

    公开(公告)号：US20090081591A1

    公开(公告)日：2009-03-26

    申请号：US11861064

    申请日：2007-09-25

    申请人： Hsiao-Tzu Lu ,  Keui Shun Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Vencent Chang ,  George Liu

    发明人： Hsiao-Tzu Lu ,  Keui Shun Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Vencent Chang ,  George Liu

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/405 ,  G03F7/0035

    摘要： The method of patterning a photosensitive layer includes providing a substrate including a first layer formed thereon, treating the substrate including the first layer with cations, forming a first photosensitive layer over the first layer, patterning the first photosensitive layer to form a first pattern, treating the first pattern with cations, forming a second photosensitive layer over the treated first pattern, patterning the second photosensitive layer to form a second pattern, and processing the first layer using the first and second patterns as a mask.

    摘要翻译： 图案化感光层的方法包括提供包括其上形成的第一层的基板，用阳离子处理包括第一层的基板，在第一层上形成第一感光层，图案化第一感光层以形成第一图案，处理 具有阳离子的第一图案，在经处理的第一图案上形成第二感光层，图案化第二感光层以形成第二图案，并且使用第一图案和第二图案作为掩模来处理第一层。

    Method for patterning a photosensitive layer
    3.
    发明授权
    Method for patterning a photosensitive layer 有权
    图案感光层的方法

    公开(公告)号：US08124323B2

    公开(公告)日：2012-02-28

    申请号：US11861064

    申请日：2007-09-25

    申请人： Hsiao-Tzu Lu ,  Keui Shun Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Vencent Chang ,  George Liu

    发明人： Hsiao-Tzu Lu ,  Keui Shun Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Vencent Chang ,  George Liu

    IPC分类号： G03F7/26

    CPC分类号： G03F7/405 ,  G03F7/0035

    摘要： The method of patterning a photosensitive layer includes providing a substrate including a first layer formed thereon, treating the substrate including the first layer with cations, forming a first photosensitive layer over the first layer, patterning the first photosensitive layer to form a first pattern, treating the first pattern with cations, forming a second photosensitive layer over the treated first pattern, patterning the second photosensitive layer to form a second pattern, and processing the first layer using the first and second patterns as a mask.

    摘要翻译： 图案化感光层的方法包括提供包括其上形成的第一层的基板，用阳离子处理包括第一层的基板，在第一层上形成第一感光层，图案化第一感光层以形成第一图案，处理 具有阳离子的第一图案，在经处理的第一图案上形成第二感光层，图案化第二感光层以形成第二图案，并且使用第一图案和第二图案作为掩模来处理第一层。

    Method for patterning a photosensitive layer
    4.
    发明授权
    Method for patterning a photosensitive layer 有权
    图案感光层的方法

    公开(公告)号：US08394576B2

    公开(公告)日：2013-03-12

    申请号：US13346917

    申请日：2012-01-10

    申请人： Hsiao-Tzu Lu ,  Kuei Shun Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Vencent Chang ,  George Liu

    发明人： Hsiao-Tzu Lu ,  Kuei Shun Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Vencent Chang ,  George Liu

    IPC分类号： G03F7/26

    CPC分类号： G03F7/405 ,  G03F7/0035

    摘要： The method of patterning a photosensitive layer includes providing a substrate including a first layer formed thereon, treating the substrate including the first layer with cations, forming a first photosensitive layer over the first layer, patterning the first photosensitive layer to form a first pattern, treating the first pattern with cations, forming a second photosensitive layer over the treated first pattern, patterning the second photosensitive layer to form a second pattern, and processing the first layer using the first and second patterns as a mask.

    摘要翻译： 图案化感光层的方法包括提供包括其上形成的第一层的基板，用阳离子处理包括第一层的基板，在第一层上形成第一感光层，图案化第一感光层以形成第一图案，处理 具有阳离子的第一图案，在经处理的第一图案上形成第二感光层，图案化第二感光层以形成第二图案，并且使用第一图案和第二图案作为掩模来处理第一层。

    Method and System For Making Photo-Resist Patterns
    5.
    发明申请
    Method and System For Making Photo-Resist Patterns 审中-公开
    制作防光图案的方法和系统

    公开(公告)号：US20080102648A1

    公开(公告)日：2008-05-01

    申请号：US11555558

    申请日：2006-11-01

    申请人： Chin-Hsiang Lin ,  Hsiao-Tzu Lu ,  Kuei Shun Chen ,  Ching-Yu Chang ,  Vencent Chang

    发明人： Chin-Hsiang Lin ,  Hsiao-Tzu Lu ,  Kuei Shun Chen ,  Ching-Yu Chang ,  Vencent Chang

    IPC分类号： H01L21/302 ,  G03G13/10

    CPC分类号： H01L21/0271 ,  G03F7/095

    摘要： A method of forming a resist pattern in a semiconductor device layer includes forming a buffer layer on a semiconductor device layer and forming a resist layer on the buffer layer. A decomposing agent is released into a portion of the buffer layer by a portion of the resist layer whereupon the portion of the buffer layer and the portion of the resist layer are removed to form a process window substantially free of resist residue that can be subsequently exploited for etching of the semiconductor device layer.

    摘要翻译： 在半导体器件层中形成抗蚀剂图案的方法包括在半导体器件层上形成缓冲层，并在缓冲层上形成抗蚀剂层。 分解剂通过抗蚀剂层的一部分释放到缓冲层的一部分中，随后缓冲层的部分和抗蚀剂层的一部分被去除以形成基本上不含抗蚀剂残留物的工艺窗口，其可以被随后利用 用于蚀刻半导体器件层。

    Manipulating parameterized cell devices in a custom layout design
    7.
    发明授权
    Manipulating parameterized cell devices in a custom layout design 有权
    在自定义布局设计中操作参数化单元设备

    公开(公告)号：US08707226B2

    公开(公告)日：2014-04-22

    申请号：US13154068

    申请日：2011-06-06

    申请人： Hsiao-Tzu Lu ,  Duncan Robert McDonald ,  Chih-Wei Yuan ,  Wen-Lung Kang

    发明人： Hsiao-Tzu Lu ,  Duncan Robert McDonald ,  Chih-Wei Yuan ,  Wen-Lung Kang

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G06F17/5072 ,  G06F17/5068

    摘要： A system, apparatus and computer-implemented method for manipulating a parameterized cell device into a custom layout design. The method begins by receiving at least one parameterized cell representing a physical circuit from, for example, a database or configuration file. The parameterized cell has a plurality of configurable attributes. The method continues by adjusting one of the configurable attributes of the parameterized cell according to a capability associated with the one attribute. The attributes may include one or more of a parameter mapping capability, a port mapping capability, an abutment capability, a directional extension capability, a channel width capability, and a boundary layer capability. The method then calculates a new configuration for the parameterized cell based upon the adjustment, and applies the new configuration for the parameterized cell to a layout of the represented physical circuit.

    摘要翻译： 一种用于将参数化的单元设备操作成定制布局设计的系统，设备和计算机实现的方法。 该方法通过从例如数据库或配置文件接收表示物理电路的至少一个参数化单元开始。 参数化单元具有多个可配置属性。 该方法通过根据与该属性相关联的能力来调整参数化单元的可配置属性之一来继续。 属性可以包括参数映射能力，端口映射能力，邻接能力，定向扩展能力，信道宽度能力和边界层能力中的一个或多个。 然后，该方法基于调整来计算参数化单元的新配置，并将用于参数化单元的新配置应用于所表示的物理电路的布局。

    System and method for contact module processing
    8.
    发明申请
    System and method for contact module processing 审中-公开
    接触模块处理系统和方法

    公开(公告)号：US20060157776A1

    公开(公告)日：2006-07-20

    申请号：US11039159

    申请日：2005-01-20

    申请人： Cheng-Hung Chang ,  Hsiao-Tzu Lu ,  Chu-Yun Fu ,  Weng Chang ,  Shwang-Ming Jeng

    发明人： Cheng-Hung Chang ,  Hsiao-Tzu Lu ,  Chu-Yun Fu ,  Weng Chang ,  Shwang-Ming Jeng

    IPC分类号： H01L29/792

    CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

    摘要： System and method for improving the process performance of a contact module. A preferred embodiment comprises improving the process performance of a contact module by reducing surface variations of an interlayer dielectric. The interlayer dielectric comprises a plurality of layers, a first layer (for example, a contact etch stop layer 610) protects devices on a substrate from subsequent etching operations, while a second layer (for example, a first dielectric layer 620) covers the first layer. A third layer (for example, a second dielectric layer 630) fills gaps that may be due to the topography of the devices. A fourth layer (for example, a third dielectric layer 640), brings the interlayer dielectric layer to a desired thickness and is formed using a process that yields a very flat surface completes the interlayer dielectric. Using multiple layers permit the elimination of variations (filling gaps and leveling bumps) without resorting to chemical-mechanical polishing.

    摘要翻译： 提高接触模块工艺性能的系统和方法。 优选实施例包括通过减少层间电介质的表面变化来提高接触模块的工艺性能。 层间电介质包括多层，第一层（例如，接触蚀刻停止层610）保护衬底上的器件免受后续蚀刻操作，而第二层（例如，第一介电层620）覆盖第一层 层。 第三层（例如，第二介电层630）填充可能是由于器件的形貌造成的间隙。 第四层（例如，第三介电层640）使得层间电介质层达到期望的厚度并且使用产生非常平坦的表面的工艺形成来完成层间电介质。 使用多层可以消除变化（填充间隙和调平凸起），而无需采用化学机械抛光。