公开(公告)号：US07220668B2

公开(公告)日：2007-05-22

申请号：US11169367

申请日：2005-06-28

申请人： Hyun-Mog Park ,  Boyan Boyanov ,  Grant M. Kloster ,  Vijayakumar S. RamachandraRao

发明人： Hyun-Mog Park ,  Boyan Boyanov ,  Grant M. Kloster ,  Vijayakumar S. RamachandraRao

IPC分类号： H01L24/4763

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76844

摘要： A method of patterning a porous dielectric material that includes an ash process to treat the porous dielectric material. The treated porous dielectric material allows for the formation of a substantially continuous barrier layer, which can inhibit diffusion of, for example, a conductive material into to the dielectric material. Other embodiments are described and claimed.

摘要翻译： 图案化多孔电介质材料的方法，其包括用于处理多孔介电材料的灰过程。 经处理的多孔介电材料允许形成基本上连续的阻挡层，其可阻止例如导电材料扩散到电介质材料中。 描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US07238604B2

公开(公告)日：2007-07-03

申请号：US10422432

申请日：2003-04-24

申请人： Grant M. Kloster ,  Kevin P. O'Brien ,  David H. Gracias ,  Hyun-Mog Park ,  Vijayakumar S. Ramachandrarao

发明人： Grant M. Kloster ,  Kevin P. O'Brien ,  David H. Gracias ,  Hyun-Mog Park ,  Vijayakumar S. Ramachandrarao

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76885

摘要： A thin hard mask is formed over a semiconductor substrate. The thin hard mask allows diffusion of a sacrificial material or pore-forming agent therethrough to form an underlying air gap or porous dielectric region. The thin hard mask may be a polymer or an initially porous material that may be later densified. The thin hard mask may be used to prevent etch steps used in forming an unlanded via from reaching layers below the hard mask.

摘要翻译： 在半导体衬底上形成薄的硬掩模。 薄的硬掩模允许牺牲材料或成孔剂通过其扩散以形成下面的气隙或多孔介电区域。 薄的硬掩模可以是聚合物或可以稍后致密化的最初多孔材料。 可以使用薄的硬掩模来防止用于形成未上空通孔的蚀刻步骤到达硬掩模下方的层。

公开(公告)号：US07544896B2

公开(公告)日：2009-06-09

申请号：US11367180

申请日：2006-03-03

申请人： Boyan Boyanov ,  Grant M. Kloster ,  Vijay Ramachandrarao ,  Hyun-Mog Park

发明人： Boyan Boyanov ,  Grant M. Kloster ,  Vijay Ramachandrarao ,  Hyun-Mog Park

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31695 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/78 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Embodiments of those methods include forming a dielectric layer utilizing a plasma, wherein the plasma comprises a porogen and substantially no oxidizing agent, and then applying energy to the dielectric layer, wherein the porogen disposed within the dielectric layer decomposes to form at least one pore.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括使用等离子体形成电介质层，其中等离子体包括致孔剂并且基本上不含氧化剂，然后向电介质层施加能量，其中设置在电介质层内的致孔剂分解形成至少一个孔。

公开(公告)号：US07179755B2

公开(公告)日：2007-02-20

申请号：US11027104

申请日：2004-12-30

申请人： Boyan Boyanov ,  Grant M. Kloster ,  Vijay Ramachandrarao ,  Hyun-Mog Park

发明人： Boyan Boyanov ,  Grant M. Kloster ,  Vijay Ramachandrarao ,  Hyun-Mog Park

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31695 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/78 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Methods of forming a microelectronic structure are described. Embodiments of those methods include forming a dielectric layer utilizing a plasma, wherein the plasma comprises a porogen and substantially no oxidizing agent, and then applying energy to the dielectric layer, wherein the porogen disposed within the dielectric layer decomposes to form at least one pore.

摘要翻译： 描述形成微电子结构的方法。 这些方法的实施例包括使用等离子体形成电介质层，其中等离子体包括致孔剂并且基本上不含氧化剂，然后向电介质层施加能量，其中设置在电介质层内的致孔剂分解形成至少一个孔。

公开(公告)号：US07332406B2

公开(公告)日：2008-02-19

申请号：US10986414

申请日：2004-11-10

申请人： Hyun-Mog Park ,  Grant M. Kloster

发明人： Hyun-Mog Park ,  Grant M. Kloster

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： B81B7/0006 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

摘要： A low-k dielectric sacrificial material is formed within a microelectronic structure covered with a layer defining an exhaust vent. At an appropriate time, the underlying sacrificial material is decomposed and exhausted away through the exhaust vent. Residue from the exhausted sacrificial material accumulates at the vent location during exhaustion until the vent is substantially occluded. As a result, an air gap is created having desirable characteristics as a dielectric.

摘要翻译： 在覆盖有限定排气口的层的微电子结构内形成低k电介质牺牲材料。 在适当的时间，潜在的牺牲材料通过排气口分解和排出。 耗尽的牺牲材料的残留物在排气期间在通风位置积聚直到通气孔基本上被封闭。 结果，产生具有作为电介质的期望特性的气隙。

公开(公告)号：US06861332B2

公开(公告)日：2005-03-01

申请号：US10301956

申请日：2002-11-21

申请人： Hyun-Mog Park ,  Grant M. Kloster

发明人： Hyun-Mog Park ,  Grant M. Kloster

IPC分类号： B81B7/00 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/76 ,  H01L21/4763 ,  H01L29/00

CPC分类号： B81B7/0006 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/7682 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

摘要： A low-k dielectric sacrificial material is formed within a microelectronic structure covered with a layer defining an exhaust vent. At an appropriate time, the underlying sacrificial material is decomposed and exhausted away through the exhaust vent. Residue from the exhausted sacrificial material accumulates at the vent location during exhaustion until the vent is substantially occluded. As a result, an air gap is created having desirable characteristics as a dielectric.

摘要翻译： 在覆盖有限定排气口的层的微电子结构内形成低k电介质牺牲材料。 在适当的时间，潜在的牺牲材料通过排气口分解和排出。 耗尽的牺牲材料的残留物在排气期间在通风位置积聚直到通气孔基本上被封闭。 结果，产生具有作为电介质的期望特性的气隙。

公开(公告)号：US06734094B2

公开(公告)日：2004-05-11

申请号：US10134264

申请日：2002-04-29

申请人： Grant M. Kloster ,  Jihperng Leu ,  Hyun-Mog Park

发明人： Grant M. Kloster ,  Jihperng Leu ,  Hyun-Mog Park

IPC分类号： H01L21764

CPC分类号： H01L21/76811 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1036

摘要： An ultraviolet sensitive material may be formed within a semiconductor structure covered with a suitable hard mask. At an appropriate time, the underlying ultraviolet sensitive material may be exposed to ultraviolet radiation, causing the material to exhaust through the overlying hard mask. As a result, an air gap may be created having desirable characteristics as a dielectric.

摘要翻译： 可以在被合适的硬掩模覆盖的半导体结构内形成紫外线敏感材料。 在适当的时间，底层紫外线敏感材料可能暴露于紫外线辐射，导致材料通过上覆的硬掩模排出。 结果，可以产生具有作为电介质的期望特性的气隙。

公开(公告)号：US07365375B2

公开(公告)日：2008-04-29

申请号：US11089954

申请日：2005-03-25

申请人： Michael D. Goodner ,  Mansour Moinpour ,  Grant M. Kloster ,  Boyan Boyanov

发明人： Michael D. Goodner ,  Mansour Moinpour ,  Grant M. Kloster ,  Boyan Boyanov

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

摘要： An organic-framework zeolite interlayer dielectric is disclosed. The interlayer dielectric's resistance to chemical attack, its dielectric constant, its mechanical strength, or combinations thereof can be tailored by (1) varying the ratio of carbon-to-oxygen in the organic-framework zeolite, (2) by including tetravalent atoms other than silicon at tetrahedral sites in the organic-framework zeolite, or (3) by including combinations of pentavalent/trivalent atoms at tetrahedral sites in the organic-framework zeolite.

摘要翻译： 公开了一种有机骨架沸石层间电介质。 层间电介质耐化学侵蚀，其介电常数，机械强度或其组合可以通过（1）改变有机 - 骨架沸石中的碳与氧的比例来调节，（2）通过包括其它四价原子 在有机骨架沸石中的四面体位置处的硅，或（3）通过在有机骨架沸石中的四面体位置包含五价/三价原子的组合。

公开(公告)号：US07303989B2

公开(公告)日：2007-12-04

申请号：US10995925

申请日：2004-11-22

申请人： Boyan Boyanov ,  Grant M. Kloster ,  Michael D. Goodner

发明人： Boyan Boyanov ,  Grant M. Kloster ,  Michael D. Goodner

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76835 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for impregnating the pores of a zeolite low-k dielectric layer with a polymer, and forming an interconnect structure therein, thus mechanically strengthening the dielectric layer and preventing metal deposits within the pores.

摘要翻译： 用聚合物浸渍沸石低k电介质层的孔，并在其中形成互连结构的方法，从而机械地增强电介质层并防止孔内的金属沉积。

公开(公告)号：US06903461B2

公开(公告)日：2005-06-07

申请号：US10739778

申请日：2003-12-18

申请人： Grant M. Kloster ,  Jihperng Leu ,  Hyun-Mog Park

发明人： Grant M. Kloster ,  Jihperng Leu ,  Hyun-Mog Park

IPC分类号： H01L21/764 ,  H01L21/768 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L21/76811 ,  H01L21/764 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1036

摘要： An ultraviolet sensitive material may be formed within a semiconductor structure covered with a suitable hard mask. At an appropriate time, the underlying ultraviolet sensitive material may be exposed to ultraviolet radiation, causing the material to exhaust through the overlying hard mask. As a result, an air gap may be created having desirable characteristics as a dielectric.

摘要翻译： 可以在被合适的硬掩模覆盖的半导体结构内形成紫外线敏感材料。 在适当的时间，底层紫外线敏感材料可能暴露于紫外线辐射，导致材料通过上覆的硬掩模排出。 结果，可以产生具有作为电介质的期望特性的气隙。