公开(公告)号：US20220388908A1

公开(公告)日：2022-12-08

申请号：US17885147

申请日：2022-08-10

申请人： IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

发明人： Kazuyoshi INOUE ,  Masatoshi SHIBATA ,  Emi KAWASHIMA ,  Yuki TSURUMA ,  Shigekazu TOMAI

IPC分类号： C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786

摘要： A sintered oxide contains In element, Y element, and Ga element at respective atomic ratios as defined in formulae (1) to (3) below, 0.80≤In/(In+Y+Ga)≤0.96  (1), 0.02≤Y/(In+Y+Ga)≤0.10  (2), and 0.02≤Ga/(In+Y+Ga)≤0.10  (3), and Al element at an atomic ratio as defined in a formula (4) below, 0.005≤Al/(In+Y+Ga+Al)≤0.07  (4), where In, Y, Ga, and Al in the formulae represent the number of atoms of the In element, Y element, Ga element, and Al element in the sintered oxide, respectively.

公开(公告)号：US20190006473A1

公开(公告)日：2019-01-03

申请号：US16064210

申请日：2016-12-21

申请人： IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

发明人： Yuki TSURUMA ,  Takashi SEKIYA ,  Shigekazu TOMAI ,  Emi KAWASHIMA ,  Yoshihiro UEOKA

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/02 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/247 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

摘要： A semiconductor device 1 which comprises a pair of an ohmic electrode 20 and a Schottky electrode 10 separated from each other, and a semiconductor layer 30 in contact with the ohmic electrode 20 and the Schottky electrode 10, and which satisfies the following formula (I): n

公开(公告)号：US20200266304A1

公开(公告)日：2020-08-20

申请号：US16065239

申请日：2016-12-26

申请人： IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

发明人： Yoshihiro UEOKA ,  Takashi SEKIYA ,  Shigekazu TOMAI ,  Emi KAWASHIMA ,  Yuki TSURUMA ,  Motohiro TAKESHIMA

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786

摘要： A laminated body comprising a substrate, one or more layers selected from a contact resistance reducing layer and a reduction suppressing layer, a Schottky electrode layer and a metal oxide semiconductor layer in this order.

公开(公告)号：US20160343554A1

公开(公告)日：2016-11-24

申请号：US15107993

申请日：2014-12-18

申请人： IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

发明人： Shigekazu TOMAI ,  Kazuyoshi INOUE ,  Kazuaki EBATA ,  Masatoshi SHIBATA ,  Futoshi UTSUNO ,  Yuki TSURUMA ,  Yu ISHIHARA

IPC分类号： H01J37/34 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C04B35/01 ,  C04B35/64

CPC分类号： H01J37/3429 ,  C04B35/01 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3491 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： An oxide sintered body comprising a bixbyite phase composed of In2O3 and an A3B5O12 phase (wherein A is one or more elements selected from the group consisting of Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and Lu, and B is one or more elements selected from the group consisting of Al and Ga).

摘要翻译： 一种氧化物烧结体，包括由In 2 O 3和A 3 B 5 O 12相构成的双相晶相（其中A是选自Sc，Y，La，Ce，Pr，Nd，Pm，Sm，Eu，Gd，Tb中的一种或多种元素 ，Dy，Ho，Er，Tm，Yb和Lu，B是选自Al和Ga的一种或多种元素）。

公开(公告)号：US20190237556A1

公开(公告)日：2019-08-01

申请号：US16341055

申请日：2017-10-11

申请人： Idemitsu Kosan Co., Ltd.

发明人： Yuki TSURUMA ,  Emi KAWASHIMA ,  Yoshikazu NAGASAKI ,  Takashi SEKIYA ,  Yoshihiro UEOKA

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L27/146 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L31/07 ,  H01L31/108

CPC分类号： H01L29/47 ,  H01L27/146 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L31/07 ,  H01L31/10 ,  H01L31/108 ,  Y02E10/50

摘要： A structure including a metal oxide semiconductor layer and a noble metal oxide layer, wherein the metal oxide semiconductor layer and the noble metal oxide layer are adjacent to each other, and a film thickness of the noble metal oxide layer is more than 10 nm.

公开(公告)号：US20190013389A1

公开(公告)日：2019-01-10

申请号：US16065943

申请日：2016-12-26

申请人： IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

发明人： Emi KAWASHIMA ,  Takashi SEKIYA ,  Yuki TSURUMA ,  Yoshihiro UEOKA ,  Shigekazu TOMAI ,  Motohiro TAKESHIMA

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L29/47 ,  H01L21/28 ,  H01L21/44 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

摘要： A laminated body comprising a substrate, an ohmic electrode layer, a metal oxide semiconductor layer, a Schottky electrode layer and a buffer electrode layer in this order, wherein a reduction suppressing layer is provided between the Schottky electrode layer and the buffer electrode layer.

公开(公告)号：US20180219098A1

公开(公告)日：2018-08-02

申请号：US15748356

申请日：2016-07-29

申请人： IDEMITSU KOSAN CO., LTD.

发明人： Kazuyoshi INOUE ,  Futoshi UTSUNO ,  Yuki TSURUMA ,  Shigekazu TOMAI ,  Kazuaki EBATA

IPC分类号： H01L29/786 ,  C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58 ,  C30B1/02 ,  C30B29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L21/02 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C01G15/00 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/70 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/40 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/5806 ,  C30B1/023 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969

摘要： A crystalline oxide semiconductor thin film that is composed mainly of indium oxide and comprises surface crystal grains having a single crystal orientation.