公开(公告)号：US06830998B1

公开(公告)日：2004-12-14

申请号：US10462667

申请日：2003-06-17

申请人： James Pan ,  Paul Besser ,  Christy Mei-Chu Woo ,  Minh Van Ngo ,  Jinsong Yin

发明人： James Pan ,  Paul Besser ,  Christy Mei-Chu Woo ,  Minh Van Ngo ,  Jinsong Yin

IPC分类号： H01L213205

CPC分类号： H01L29/66606 ,  H01L21/28088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545

摘要： Gate dielectric degradation due to plasma damage during replacement metal gate processing is cured and prevented from further plasma degradation by treatment of the gate dielectric after removing the polysilicon gate. Embodiments include low temperature vacuum annealing after metal deposition and CMP, annealing in oxygen and argon, ozone or a forming gas before metal deposition, or heat soaking in silane or disilane, before metal deposition.

摘要翻译： 在更换金属栅极处理期间由于等离子体损坏引起的栅极介质劣化被固化并且通过在去除多晶硅栅极之后处理栅极电介质来防止进一步的等离子体劣化。 实施例包括在金属沉积之前的金属沉积和CMP之后的低温真空退火，在氧气和氩气中的退火，在金属沉积之前的臭氧或形成气体，或者在金属沉积之前的硅烷或乙硅烷中的热浸渍。

公开(公告)号：US07071086B2

公开(公告)日：2006-07-04

申请号：US10420721

申请日：2003-04-23

申请人： Christy Woo ,  Paul Besser ,  Minh van Ngo ,  James Pan ,  Jinsong Yin

发明人： Christy Woo ,  Paul Besser ,  Minh van Ngo ,  James Pan ,  Jinsong Yin

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/3215 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/78

摘要： A method for forming a semiconductor structure having a metal gate with a controlled work function includes the step of forming a precursor having a substrate with active regions separated by a channel, a temporary gate over the channel and within a dielectric layer. The temporary gate is removed to form a recess with a bottom and sidewalls in the dielectric layer. A non-silicon containing metal layer is deposited in the recess. Silicon is incorporated into the metal layer and a metal is deposited on the metal layer. The incorporation of the silicon is achieved by silane treatments that are performed before, after or both before and after the depositing of the metal layer. The amount of silicon incorporated into the metal layer controls the work function of the metal gate that is formed.

摘要翻译： 用于形成具有受控功函数的金属栅极的半导体结构的方法包括形成具有基板的前体的步骤，该基板具有被沟道分隔的有源区，在该沟道上的介电层内的临时栅极。 移除临时栅极以形成具有介电层中的底部和侧壁的凹部。 在凹槽中沉积非硅的金属层。 将硅结合到金属层中，并且在金属层上沉积金属。 通过在沉积金属层之前，之后或之后进行的硅烷处理来实现硅的引入。 结合到金属层中的硅的量控制形成的金属栅的功函数。

公开(公告)号：US06258697B1

公开(公告)日：2001-07-10

申请号：US09502333

申请日：2000-02-11

申请人： Jayendra Bhakta ,  Paul Besser ,  Minh Van Ngo

发明人： Jayendra Bhakta ,  Paul Besser ,  Minh Van Ngo

IPC分类号： H01L2176

CPC分类号： H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76224

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device forms a trench of a trench isolation region in a portion of a top surface of a semiconductor substrate. Oxide is deposited as a trench liner in the trench using low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) high temperature oxidation (HTO). As LPCVD is a stress neutral process, stress defects in an interface between the silicon substrate and the oxide layer are avoided, so that subsequent etching steps in a local interconnect process are less likely to overetch at the interface. This reduces the possibility of junction leakage when the local interconnect is formed.

摘要翻译： 半导体器件的制造方法在半导体衬底的顶表面的一部分中形成沟槽隔离区的沟槽。 使用低压化学气相沉积（LPCVD）高温氧化（HTO）将氧化物作为沟槽衬垫沉积在沟槽中。 由于LPCVD是应力中性过程，因此避免了硅衬底和氧化物层之间的界面中的应力缺陷，使得局部互连工艺中的后续蚀刻步骤不太可能在界面处过蚀刻。 当局部互连形成时，这减少了结漏电的可能性。

公开(公告)号：US06333218B1

公开(公告)日：2001-12-25

申请号：US09501995

申请日：2000-02-11

申请人： Minh Van Ngo ,  Jayendra Bhakta ,  Paul Besser

发明人： Minh Van Ngo ,  Jayendra Bhakta ,  Paul Besser

IPC分类号： H01L218238

CPC分类号： H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76224

摘要： A method for manufacturing a semiconductor device forms a trench of a trench isolation region in a portion of a top surface of a semiconductor substrates. Oxide is deposited as a trench liner in the trench using high temperature high density plasma (HDP) deposition. As the high temperature HDP oxide deposition is a stress neutral process, stress defects in an interface between the silicon substrate and the oxide layer are avoided, so that subsequent etching steps in a local interconnect process are less likely to overreach at the interface. This reduces the possibility of junction leakage when the local interconnect is formed.

摘要翻译： 半导体器件的制造方法在半导体衬底的顶表面的一部分中形成沟槽隔离区的沟槽。 使用高温高密度等离子体（HDP）沉积，氧化物作为沟槽衬垫沉积在沟槽中。 由于高温HDP氧化物沉积是应力中性过程，因此避免了硅衬底和氧化物层之间的界面处的应力缺陷，使得局部互连工艺中的后续蚀刻步骤不太可能在界面处超范围。 当局部互连形成时，这减少了结漏电的可能性。

公开(公告)号：US06483153B1

公开(公告)日：2002-11-19

申请号：US09418316

申请日：1999-10-14

申请人： Angela Hui ,  Paul Besser ,  Minh-Van Ngo

发明人： Angela Hui ,  Paul Besser ,  Minh-Van Ngo

IPC分类号： H01L2976

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/76895

摘要： A method to improve LDD corner control during a local interconnect trench oxide etch on a semiconductor device by providing a first etch stop layer over the gate and active regions in the substrate and further providing thereon a second etch stop layer made of polysilicon and having of a different composition than that of the first etch stop layer. By forming a second etch stop layer of polysilicon the present invention improves the selectivity of the local interconnect trench oxide etch, thereby improving the ability of the first and second etch stop layers to stop the etch process at the critical interfaces.

摘要翻译： 一种在半导体器件上的局部互连沟槽氧化物蚀刻期间，通过在衬底上的栅极和有源区上提供第一蚀刻停止层并且还在其上提供由多晶硅制成的第二蚀刻停止层来改善LDD拐角控制的方法， 不同于第一蚀刻停止层的组成。 通过形成多晶硅的第二蚀刻停止层，本发明改善了局部互连沟槽氧化物蚀刻的选择性，从而提高了第一和第二蚀刻停止层在关键界面处停止蚀刻工艺的能力。

公开(公告)号：US06297148B1

公开(公告)日：2001-10-02

申请号：US09477808

申请日：2000-01-05

申请人： Paul Besser ,  Minh Van Ngo ,  Yowjuang Bill Liu

发明人： Paul Besser ,  Minh Van Ngo ,  Yowjuang Bill Liu

IPC分类号： H01L214763

CPC分类号： H01L21/28518

摘要： A method of performing ultra-shallow junctions in a semiconductor wafer uses a silicon layer to achieve ultra-low silicon consumption during a salicide formation process. A refractory metal layer, such as a cobalt layer, is deposited over the gate and source/drain junctions of the semiconductor device. After a rapid thermal annealing is performed to form the high-ohmic phase of the salicide, a silicon layer is deposited at a low temperature over the semiconductor device. The silicon layer provides a source of silicon for consumption during a second thermal annealing step, reducing the amount of silicon of the source/drain junctions that is consumed. The second thermal annealing step is performed in a nitrogen and oxygen atmosphere so at the silicon layer is transformed into a silicon oxynitride bottom anti-reflective coating layer.

摘要翻译： 在半导体晶片中进行超浅结的方法使用硅层，以在自对准硅化物形成工艺期间实现超低硅消耗。 诸如钴层的难熔金属层沉积在半导体器件的栅极和源极/漏极结上。 在进行快速热退火以形成硅化物的高欧姆相后，在低温下在半导体器件上沉积硅层。 硅层在第二热退火步骤期间提供用于消耗的硅源，减少消耗的源极/漏极结的硅的量。 第二热退火步骤在氮和氧气氛中进行，因此在硅层转变为氮氧化硅底部抗反射涂层。

公开(公告)号：US08039391B1

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US11388976

申请日：2006-03-27

申请人： Jinsong Yin ,  Wen Yu ,  Connie Pin-Chin Wang ,  Paul Besser ,  Keizaburo Yoshie

发明人： Jinsong Yin ,  Wen Yu ,  Connie Pin-Chin Wang ,  Paul Besser ,  Keizaburo Yoshie

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76856

摘要： A method of forming a contact in a semiconductor device provides a titanium contact layer in a contact hole and a MOCVD-TiN barrier metal layer on the titanium contact layer. Impurities are removed from the MOCVD-TiN barrier metal layer by a plasma treatment in a nitrogen-hydrogen plasma. The time period for plasma treating the titanium nitride layer is controlled so that penetration of nitrogen into the underlying titanium contact layer is substantially prevented, preserving the titanium contact layer for subsequently forming a titanium silicide at the bottom of the contact.

摘要翻译： 在半导体器件中形成接触的方法在接触孔中提供钛接触层和钛接触层上的MOCVD-TiN阻挡金属层。 在氮 - 氢等离子体中通过等离子体处理从MOCVD-TiN阻挡金属层除去杂质。 控制等离子体处理氮化钛层的时间段，以便基本上防止氮渗透到下面的钛接触层中，保留钛接触层以在接触的底部随后形成硅化钛。

公开(公告)号：US06927162B1

公开(公告)日：2005-08-09

申请号：US10782874

申请日：2004-02-23

申请人： Wen Yu ,  Jinsong Yin ,  Connie Pin-Chin Wang ,  Paul Besser ,  Keizaburo Yoshie

发明人： Wen Yu ,  Jinsong Yin ,  Connie Pin-Chin Wang ,  Paul Besser ,  Keizaburo Yoshie

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856

摘要： A method of forming a contact in a semiconductor device deposits a refractory metal contact layer in a contact hole on a conductive region portion in a silicon substrate. The refractory metal contact layer is reacted with the silicide region prior to a plasma treatment of a contact barrier metal layer formed within the contact hole. This prevents portions of the refractory metal contact layer from being nitridated prior to conversion to silicide.

摘要翻译： 在半导体器件中形成接触的方法将难熔金属接触层沉积在硅衬底中的导电区域上的接触孔中。 在等离子体处理形成在接触孔内的接触阻挡金属层之前，难熔金属接触层与硅化物区域反应。 这样可以防止难熔金属接触层的部分在转化成硅化物之前被氮化。

公开(公告)号：US20060267107A1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：US11252493

申请日：2005-10-17

申请人： Robert Chiu ,  Jeffrey Patton ,  Paul Besser ,  Minh Ngo

发明人： Robert Chiu ,  Jeffrey Patton ,  Paul Besser ,  Minh Ngo

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28518

摘要： A structure of an integrated circuit is provided. A gate dielectric is formed on a semiconductor substrate, and a gate is formed over a gate dielectric on the semiconductor substrate. Source/drain junctions are formed in the semiconductor substrate. Ultra-uniform suicides are formed on the source/drain junctions, and a dielectric layer is deposited above the semiconductor substrate. Contacts are then formed in the dielectric layer to the ultra-uniform silicides.

摘要翻译： 提供集成电路的结构。 在半导体衬底上形成栅极电介质，并且在半导体衬底上的栅极电介质上形成栅极。 在半导体衬底中形成源极/漏极结。 在源极/漏极结上形成超均匀的硅化物，并且在半导体衬底上沉积电介质层。 然后在电介质层中形成与超均匀硅化物的接触。

公开(公告)号：US20050085073A1

公开(公告)日：2005-04-21

申请号：US10687186

申请日：2003-10-16

申请人： Sergey Lopatin ,  Paul Besser ,  Alline Myers ,  Jeremias Romero ,  Minh Tran ,  Lu You ,  Connie Wang

发明人： Sergey Lopatin ,  Paul Besser ,  Alline Myers ,  Jeremias Romero ,  Minh Tran ,  Lu You ,  Connie Wang

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76846 ,  H01L21/76877

摘要： An exemplary embodiment is related to a method of using an adhesion precursor in an integrated circuit fabrication process. The method includes providing a gas of material over a dielectric material and providing a copper layer over an adhesion precursor layer. The adhesion precursor layer is formed by the gas, and the dielectric material includes an aperture.

摘要翻译： 示例性实施例涉及在集成电路制造工艺中使用粘附前体的方法。 该方法包括在介电材料上提供材料的气体并在粘附前体层上提供铜层。 粘附前体层由气体形成，电介质材料包括孔。