公开(公告)号：US20070093073A1

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：US11444946

申请日：2006-06-01

申请人： Robert Farrell ,  Troy Baker ,  Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  P. Pattison ,  Rajat Sharma ,  Umesh Mishra ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Robert Farrell ,  Troy Baker ,  Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  P. Pattison ,  Rajat Sharma ,  Umesh Mishra ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L33/16 ,  B82Y20/00 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L33/0004 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

摘要： A method for growth and fabrication of semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures, and devices, comprising identifying desired material properties for a particular device application, selecting a semipolar growth orientation based on the desired material properties, selecting a suitable substrate for growth of the selected semipolar growth orientation, growing a planar semipolar (Ga, Al, In, B)N template or nucleation layer on the substrate, and growing the semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures or devices on the planar semipolar (Ga, Al, In, B)N template or nucleation layer. The method results in a large area of the semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures, and devices being parallel to the substrate surface.

摘要翻译： 一种用于生长和制造半极性（Ga，Al，In，B）N薄膜，异质结构和器件的方法，包括鉴定特定器件应用的所需材料性质，基于所需材料性质选择半极性生长取向，选择 用于生长选择的半极性生长取向的合适底物，在衬底上生长平面半极性（Ga，Al，In，B）N模板或成核层，以及生长半极（Ga，Al，In，B）N薄膜 ，平面半极性（Ga，Al，In，B）N模板或成核层上的异质结构或器件。 该方法导致大面积的半极性（Ga，Al，In，B）N薄膜，异质结构和器件平行于衬底表面。

公开(公告)号：US20060246722A1

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：US11403288

申请日：2006-04-13

申请人： James Speck ,  Benjamin Haskell ,  P. Pattison ,  Troy Baker

发明人： James Speck ,  Benjamin Haskell ,  P. Pattison ,  Troy Baker

IPC分类号： C23F1/00 ,  B44C1/22 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/30612 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/32

摘要： An etching technique for the fabrication of thin (Al, In, Ga)N layers. A suitable template or substrate is selected and implanted with foreign ions over a desired area to create ion implanted material. A regrowth of a device structure is then performed on the implanted template or substrate. The top growth surface of the template is bonded to a carrier wafer to created a bonded template/carrier wafer structure. The substrate is removed, as is any residual material, to expose the ion implanted material. The ion implanted material on the bonded template/carrier wafer structure is then exposed to a suitable etchant for a sufficient time to remove the ion implanted material.

摘要翻译： 用于制造薄（Al，In，Ga）N层的蚀刻技术。 选择合适的模板或衬底并在期望的区域上注入外来离子以产生离子注入材料。 然后在植入的模板或衬底上执行器件结构的再生长。 模板的顶部生长表面被结合到载体晶片以产生结合的模板/载体晶片结构。 像任何残留的材料一样去除衬底以暴露离子注入的材料。 然后将接合的模板/载体晶片结构上的离子注入材料暴露于合适的蚀刻剂足够的时间以除去离子注入的材料。

公开(公告)号：US20070096127A1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：US11510240

申请日：2006-08-25

申请人： P. Pattison ,  Rajat Sharma ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： P. Pattison ,  Rajat Sharma ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/465 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405

摘要： A spontaneously light emitting nitride-based active region placed within a micro-cavity bounded by a first mirror and a second mirror, wherein the micro-cavity has been thinned to a resonant thickness within a micro-cavity regime.

摘要翻译： 位于由第一反射镜和第二反射镜限定的微腔内的自发发光的氮化物基有源区，其中微腔已经在微腔状态内变薄到​​共振厚度。