公开(公告)号：US09077151B2

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：US13041120

申请日：2011-03-04

申请人： Po Shan Hsu ,  Kathryn M. Kelchner ,  Robert M. Farrell ,  Daniel A. Haeger ,  Hiroaki Ohta ,  Anurag Tyagi ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  S. James Speck

发明人： Po Shan Hsu ,  Kathryn M. Kelchner ,  Robert M. Farrell ,  Daniel A. Haeger ,  Hiroaki Ohta ,  Anurag Tyagi ,  Shuji Nakamura ,  Steven P. DenBaars ,  S. James Speck

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02 ,  H01S5/343 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/30 ,  H01S5/34

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0735 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3404 ,  H01S2304/04

摘要： An optoelectronic device grown on a miscut of GaN, wherein the miscut comprises a semi-polar GaN crystal plane (of the GaN) miscut x degrees from an m-plane of the GaN and in a c-direction of the GaN, where −15

摘要翻译： 在杂交GaN上生长的光电子器件，其中杂交包括GaN的半极性GaN晶体平面（从GaN的m面）和GaN的c方向偏离x度，其中-15

公开(公告)号：US20080149216A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US12004203

申请日：2007-12-20

申请人： James Speck

发明人： James Speck

IPC分类号： B65B31/02 ,  B65B3/12

CPC分类号： B65B31/003 ,  B05C17/01

摘要： A filling head gun includes a housing; a handle assembly connected to the housing; a filling head attached to the housing; a plunger extends through an opening of the housing and an activator reservoir attached to the plunger, wherein the reservoir is moved into contact with the filling head via the plunger to manually feed activator through the filling head depressing a valve of the aerosol can.

摘要翻译： 一种灌装头枪包括壳体; 连接到壳体的手柄组件; 附接到壳体的填充头; 柱塞延伸穿过壳体的开口和附接到柱塞的活化器储存器，其中储存器经由柱塞移动到与填充头接触，以手动地通过压缩气雾罐的阀的填充头进给活化剂。

公开(公告)号：US20070267654A1

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：US11801283

申请日：2007-05-09

申请人： Arpan Chakraborty ,  Kwang-Choong Kim ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Umesh Mishra

发明人： Arpan Chakraborty ,  Kwang-Choong Kim ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Umesh Mishra

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/02639 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007

摘要： A method for growing reduced defect density planar gallium nitride (GaN) films is disclosed. The method includes the steps of (a) growing at least one silicon nitride (SiNx) nanomask layer over a GaN template, and (b) growing a thickness of a GaN film on top of the SiNx nanomask layer.

摘要翻译： 公开了一种用于生长减少缺陷密度的平面氮化镓（GaN）膜的方法。 该方法包括以下步骤：（a）在GaN模板上生长至少一个氮化硅（SiN x N）纳米掩模层，以及（b）在SiN的顶部生长GaN膜的厚度， SUB> x 纳米掩模层。

公开(公告)号：US20070218703A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11655573

申请日：2007-01-19

申请人： John Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin Haskell ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： John Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin Haskell ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/31 ,  B05D3/12 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/02433 ,  C30B23/025 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for improved growth of a semipolar (Al,In,Ga,B)N semiconductor thin film using an intentionally miscut substrate. Specifically, the method comprises intentionally miscutting a substrate, loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 使用有意识的基板改善半极性（Al，In，Ga，B）N半导体薄膜生长的方法。 具体地说，该方法包括有意地对基片进行杂交，将基底加载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热基底，沉积In x 在加热的衬底上的N-X成核层，在In N x Ga 1-x N成核层上沉积半极性氮化物半导体薄膜，并冷却 底物在氮气过压下。

公开(公告)号：US20070145397A1

公开(公告)日：2007-06-28

申请号：US11608439

申请日：2006-12-08

申请人： Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  James Speck

发明人： Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  James Speck

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/20 ,  G02B6/0018 ,  H01L33/507 ,  H01L33/508 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0091

摘要： An (Al, Ga, In)N light emitting diode (LED), wherein light extraction from chip and/or phosphor conversion layer is optimized. By novel shaping of LED and package optics, a high efficiency light emitting diode is achieved.

摘要翻译： 一种（Al，Ga，In）N发光二极管（LED），其中从芯片和/或磷光体转换层的光提取被优化。 通过LED和封装光学器件的新颖成形，实现了高效率的发光二极管。

公开(公告)号：US20070093073A1

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：US11444946

申请日：2006-06-01

申请人： Robert Farrell ,  Troy Baker ,  Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  P. Pattison ,  Rajat Sharma ,  Umesh Mishra ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Robert Farrell ,  Troy Baker ,  Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  P. Pattison ,  Rajat Sharma ,  Umesh Mishra ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L33/16 ,  B82Y20/00 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L33/0004 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

摘要： A method for growth and fabrication of semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures, and devices, comprising identifying desired material properties for a particular device application, selecting a semipolar growth orientation based on the desired material properties, selecting a suitable substrate for growth of the selected semipolar growth orientation, growing a planar semipolar (Ga, Al, In, B)N template or nucleation layer on the substrate, and growing the semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures or devices on the planar semipolar (Ga, Al, In, B)N template or nucleation layer. The method results in a large area of the semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures, and devices being parallel to the substrate surface.

摘要翻译： 一种用于生长和制造半极性（Ga，Al，In，B）N薄膜，异质结构和器件的方法，包括鉴定特定器件应用的所需材料性质，基于所需材料性质选择半极性生长取向，选择 用于生长选择的半极性生长取向的合适底物，在衬底上生长平面半极性（Ga，Al，In，B）N模板或成核层，以及生长半极（Ga，Al，In，B）N薄膜 ，平面半极性（Ga，Al，In，B）N模板或成核层上的异质结构或器件。 该方法导致大面积的半极性（Ga，Al，In，B）N薄膜，异质结构和器件平行于衬底表面。

公开(公告)号：US20050214992A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US11123805

申请日：2005-05-06

申请人： Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  Stacia Keller ,  James Speck ,  Steven Denbaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

发明人： Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  Stacia Keller ,  James Speck ,  Steven Denbaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/15 ,  H01L31/0312 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/0242 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/18 ,  Y10S438/938

摘要： A method for the fabrication of nonpolar indium gallium nitride (InGaN) films as well as nonpolar InGaN-containing device structures using metalorganic chemical vapor deposition (MOVCD). The method is used to fabricate nonpolar InGaN/GaN violet and near-ultraviolet light emitting diodes and laser diodes.

摘要翻译： 制造非极性铟镓氮（InGaN）膜以及使用金属有机化学气相沉积（MOVCD）的非极性含InGaN的器件结构的方法。 该方法用于制造非极性InGaN / GaN紫外线和近紫外发光二极管和激光二极管。

公开(公告)号：US4558833A

公开(公告)日：1985-12-17

申请号：US649272

申请日：1984-09-10

申请人： F. James Speck

发明人： F. James Speck

IPC分类号： B65H49/30 ,  B65H61/00 ,  B65H75/24

CPC分类号： B65H49/30 ,  B65H61/00 ,  B65H2551/22 ,  Y10S242/912

摘要： An improved electrical cable reel is provided which quickly and easily loads and unloads a coil of wire. The reel has an outer circular plate coupled to a vertical post for rotation about a horizontal axis. Four spaced, radially movable fingers adjacent the plate simultaneously retract inwardly as the plate is turned to a coil loading position. Once the wire coil is in place, means are provided for selectively releasing the fingers for radially outward movement under the influence of a set of springs. Consequently, the fingers rapidly engage the coil at its inner core. Subsequently, a clutch means may be operated to render the reel rotatable in either direction. The maintenance-free operating structure is safely and conveniently placed out of reach. Advantageously, the reel is mounted on a four wheeled electrical cart containing a measuring device and a wire cutter, such that various coils may be quickly changed for use on the cart.

摘要翻译： 提供了一种改进的电缆卷轴，其快速且容易地加载和卸载线圈。 卷轴具有联接到垂直杆的外圆板，用于围绕水平轴线旋转。 当板转向线圈装载位置时，邻近板的四个间隔开的可径向移动的手指同时向内缩回。 一旦线圈就位，设置有用于在一组弹簧的影响下用于选择性地释放用于径向向外运动的手指的装置。 因此，手指在其内芯处迅速地接合线圈。 随后，可以操作离合器装置以使卷轴可在任一方向上旋转。 免维护的操作结构安全方便地放置在距离范围之外。 有利地，卷轴安装在包含测量装置和线切割器的四轮电动推车上，使得可以快速地改变各种线圈以在推车上使用。

公开(公告)号：US08492185B1

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：US13548931

申请日：2012-07-13

申请人： Mark P. D'Evelyn ,  James Speck ,  William Houck ,  Mathew Schmidt ,  Arpan Chakraborty

发明人： Mark P. D'Evelyn ,  James Speck ,  William Houck ,  Mathew Schmidt ,  Arpan Chakraborty

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02395 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/0075

摘要： A method for fabricating large-area nonpolar or semipolar GaN wafers with high quality, low stacking fault density, and relatively low dislocation density is described. The wafers are useful as seed crystals for subsequent bulk growth or as substrates for LEDs and laser diodes.

摘要翻译： 描述了制造具有高质量，低堆垛层错密度和相对低的位错密度的大面积非极性或半极性GaN晶片的方法。 晶圆可用作后续体积生长的晶种，也可用作LED和激光二极管的基板。

公开(公告)号：US08469063B2

公开(公告)日：2013-06-25

申请号：US12004203

申请日：2007-12-20

申请人： James Speck

发明人： James Speck

IPC分类号： B65B1/04 ,  B65B3/04

CPC分类号： B65B31/003 ,  B05C17/01

摘要： A filling head gun includes a housing; a handle assembly connected to the housing; a filling head attached to the housing; a plunger extends through an opening of the housing and an activator reservoir attached to the plunger, wherein the reservoir is moved into contact with the filling head via the plunger to manually feed activator through the filling head depressing a valve of the aerosol can.

摘要翻译： 一种灌装头枪包括壳体; 连接到壳体的手柄组件; 附接到壳体的填充头; 柱塞延伸穿过壳体的开口和附接到柱塞的活化器储存器，其中储存器经由柱塞移动到与填充头接触，以手动地通过压缩气雾罐的阀的填充头进给活化剂。