公开(公告)号：US20070093073A1

公开(公告)日：2007-04-26

申请号：US11444946

申请日：2006-06-01

申请人： Robert Farrell ,  Troy Baker ,  Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  P. Pattison ,  Rajat Sharma ,  Umesh Mishra ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Robert Farrell ,  Troy Baker ,  Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  P. Pattison ,  Rajat Sharma ,  Umesh Mishra ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L33/16 ,  B82Y20/00 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L33/0004 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

摘要： A method for growth and fabrication of semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures, and devices, comprising identifying desired material properties for a particular device application, selecting a semipolar growth orientation based on the desired material properties, selecting a suitable substrate for growth of the selected semipolar growth orientation, growing a planar semipolar (Ga, Al, In, B)N template or nucleation layer on the substrate, and growing the semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures or devices on the planar semipolar (Ga, Al, In, B)N template or nucleation layer. The method results in a large area of the semipolar (Ga, Al, In, B)N thin films, heterostructures, and devices being parallel to the substrate surface.

摘要翻译： 一种用于生长和制造半极性（Ga，Al，In，B）N薄膜，异质结构和器件的方法，包括鉴定特定器件应用的所需材料性质，基于所需材料性质选择半极性生长取向，选择 用于生长选择的半极性生长取向的合适底物，在衬底上生长平面半极性（Ga，Al，In，B）N模板或成核层，以及生长半极（Ga，Al，In，B）N薄膜 ，平面半极性（Ga，Al，In，B）N模板或成核层上的异质结构或器件。 该方法导致大面积的半极性（Ga，Al，In，B）N薄膜，异质结构和器件平行于衬底表面。

公开(公告)号：US20050214992A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US11123805

申请日：2005-05-06

申请人： Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  Stacia Keller ,  James Speck ,  Steven Denbaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

发明人： Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  Stacia Keller ,  James Speck ,  Steven Denbaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/15 ,  H01L31/0312 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L21/0242 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/18 ,  Y10S438/938

摘要： A method for the fabrication of nonpolar indium gallium nitride (InGaN) films as well as nonpolar InGaN-containing device structures using metalorganic chemical vapor deposition (MOVCD). The method is used to fabricate nonpolar InGaN/GaN violet and near-ultraviolet light emitting diodes and laser diodes.

摘要翻译： 制造非极性铟镓氮（InGaN）膜以及使用金属有机化学气相沉积（MOVCD）的非极性含InGaN的器件结构的方法。 该方法用于制造非极性InGaN / GaN紫外线和近紫外发光二极管和激光二极管。

公开(公告)号：US20070111488A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11621479

申请日：2007-01-09

申请人： Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  Stacia Keller ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

发明人： Arpan Chakraborty ,  Benjamin Haskell ,  Stacia Keller ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

摘要： A method for the fabrication of nonpolar indium gallium nitride (InGaN) films as well as nonpolar InGaN-containing device structures using metalorganic chemical vapor deposition (MOVCD). The method is used to fabricate nonpolar InGaN/GaN violet and near-ultraviolet light emitting diodes and laser diodes.

摘要翻译： 制造非极性铟镓氮（InGaN）膜以及使用金属有机化学气相沉积（MOVCD）的非极性含InGaN的器件结构的方法。 该方法用于制造非极性InGaN / GaN紫外线和近紫外发光二极管和激光二极管。

公开(公告)号：US20070218703A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11655573

申请日：2007-01-19

申请人： John Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin Haskell ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： John Kaeding ,  Dong-Seon Lee ,  Michael Iza ,  Troy Baker ,  Hitoshi Sato ,  Benjamin Haskell ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/31 ,  B05D3/12 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/02433 ,  C30B23/025 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

摘要： A method for improved growth of a semipolar (Al,In,Ga,B)N semiconductor thin film using an intentionally miscut substrate. Specifically, the method comprises intentionally miscutting a substrate, loading a substrate into a reactor, heating the substrate under a flow of nitrogen and/or hydrogen and/or ammonia, depositing an InxGa1-xN nucleation layer on the heated substrate, depositing a semipolar nitride semiconductor thin film on the InxGa1-xN nucleation layer, and cooling the substrate under a nitrogen overpressure.

摘要翻译： 使用有意识的基板改善半极性（Al，In，Ga，B）N半导体薄膜生长的方法。 具体地说，该方法包括有意地对基片进行杂交，将基底加载到反应器中，在氮气和/或氢气和/或氨气流下加热基底，沉积In x 在加热的衬底上的N-X成核层，在In N x Ga 1-x N成核层上沉积半极性氮化物半导体薄膜，并冷却 底物在氮气过压下。

公开(公告)号：US20070111531A1

公开(公告)日：2007-05-17

申请号：US11621482

申请日：2007-01-09

申请人： Troy Baker ,  Benjamin Haskell ,  Paul Fini ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Troy Baker ,  Benjamin Haskell ,  Paul Fini ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007 ,  Y10S438/938

摘要： A method for growing planar, semi-polar nitride film on a miscut spinel substrate, in which a large area of the planar, semi-polar nitride film is parallel to the substrate's surface. The planar films and substrates are: (1) {10 11} gallium nitride (GaN) grown on a {100} spinel substrate miscut in specific directions, (2) {10 13} gallium nitride (GaN) grown on a {110} spinel substrate, (3) {11 22} gallium nitride (GaN) grown on a {1 100} sapphire substrate, and (4) {10 13} gallium nitride (GaN) grown on a {1 100} sapphire substrate

摘要翻译： 一种在杂交尖晶石衬底上生长平面，半极性氮化物膜的方法，其中大面积的平面半极性氮化物膜平行于衬底的表面。 平面膜和衬底是：（1）在{100}尖晶石衬底上在特定方向上生长的{10 11}氮化镓（GaN），（2）{10 22}氮化镓 “100”蓝宝石衬底，以及（4）在{1 100}蓝宝石衬底上生长的{10 13}氮化镓（GaN）

公开(公告)号：US20060205199A1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：US11372914

申请日：2006-03-10

申请人： Troy Baker ,  Benjamin Haskell ,  Paul Fini ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

发明人： Troy Baker ,  Benjamin Haskell ,  Paul Fini ,  Steven DenBaars ,  James Speck ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/007 ,  Y10S438/938

摘要： A method for growing planar, semi-polar nitride film on a miscut spinel substrate, in which a large area of the planar, semi-polar nitride film is parallel to the substrate's surface. The planar films and substrates are: (1) {10{overscore (1)}1} gallium nitride (GaN) grown on a {100} spinel substrate miscut in specific directions, (2) {10{overscore (1)}3} gallium nitride (GaN) grown on a {110} spinel substrate, (3) {11{overscore (2)}2} gallium nitride (GaN) grown on a {1{overscore (1)}00} sapphire substrate, and (4) {11{overscore (1)}3} gallium nitride (GaN) grown on a {1{overscore (1)}00} sapphire substrate

摘要翻译： 一种在杂交尖晶石衬底上生长平面，半极性氮化物膜的方法，其中大面积的平面半极性氮化物膜平行于衬底的表面。 平面膜和衬底是：（1）在{100}尖晶石衬底上在{100}尖晶石衬底上生长的（10）{（氮化镓）氮化镓（GaN）（2）{10 {超（13）氮化镓（GaN） 在{110}尖晶石衬底上生长，（3）在{1 {超（100）蓝宝石衬底上生长的{11（超（22）个氮化镓（GaN））和（4）{11 {超（13） （GaN）生长在{1 {超（100）蓝宝石衬底上

公开(公告)号：US20070096127A1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：US11510240

申请日：2006-08-25

申请人： P. Pattison ,  Rajat Sharma ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： P. Pattison ,  Rajat Sharma ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/465 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405

摘要： A spontaneously light emitting nitride-based active region placed within a micro-cavity bounded by a first mirror and a second mirror, wherein the micro-cavity has been thinned to a resonant thickness within a micro-cavity regime.

摘要翻译： 位于由第一反射镜和第二反射镜限定的微腔内的自发发光的氮化物基有源区，其中微腔已经在微腔状态内变薄到​​共振厚度。

公开(公告)号：US20060278865A1

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：US11472033

申请日：2006-06-21

申请人： Michael Craven ,  Stacia Keller ,  Steven DenBaars ,  Tal Margalith ,  James Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

发明人： Michael Craven ,  Stacia Keller ,  Steven DenBaars ,  Tal Margalith ,  James Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： A method for forming non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices. Non-polar (11{overscore (2)}0) a-plane GaN layers are grown on an r-plane (1{overscore (1)}02) sapphire substrate using MOCVD. These non-polar (11{overscore (2)}0) a-plane GaN layers comprise templates for producing non-polar (Al, B, In, Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices.

摘要翻译： 一种形成非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的方法。 非极性（11个（超（20）个）a面GaN层使用MOCVD在r平面（1（超芯（102））蓝宝石衬底上生长，这些非极性（11个（超（20）个a面GaN层 包括用于生产非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的模板。

公开(公告)号：US20050040385A1

公开(公告)日：2005-02-24

申请号：US10413690

申请日：2003-04-15

申请人： Michael Craven ,  Stacia Keller ,  Steven Denbaars ,  Tal Margalith ,  James Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

发明人： Michael Craven ,  Stacia Keller ,  Steven Denbaars ,  Tal Margalith ,  James Speck ,  Shuji Nakamura ,  Umesh Mishra

IPC分类号： C23C16/04 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/10 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40 ,  C30B29/60 ,  H01L21/205 ,  H01S5/343 ,  H01L31/072

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

摘要： A method for forming non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices. Non-polar (11{overscore (2)}0) a-plane GaN layers are grown on an r-plane (1{overscore (1)}02) sapphire substrate using MOCVD. These non-polar (11{overscore (2)}0) a-plane GaN layers comprise templates for producing non-polar (Al,B,In,Ga)N quantum well and heterostructure materials and devices.

摘要翻译： 一种形成非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的方法。 非极性（11个（超（20）个）a面GaN层使用MOCVD在r平面（1（超芯（102））蓝宝石衬底上生长，这些非极性（11个（超（20）个a面GaN层 包括用于生产非极性（Al，B，In，Ga）N量子阱和异质结构材料和器件的模板。

公开(公告)号：US20070252164A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：US11676999

申请日：2007-02-20

申请人： Hong Zhong ,  John Kaeding ,  Rajat Sharma ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura

发明人： Hong Zhong ,  John Kaeding ,  Rajat Sharma ,  James Speck ,  Steven DenBaars ,  Shuji Nakamura

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/00 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L31/0236 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/778 ,  H01L31/18 ,  H01L33/0075 ,  Y02E10/50

摘要： A method of fabricating an optoelectronic device, comprising growing an active layer of the device on an oblique surface of a suitable material, wherein the oblique surface comprises a facetted surface. The present invention also discloses a method of fabricating the facetted surfaces. One fabrication process comprises growing an epitaxial layer on a suitable material, etching the epitaxial layer through a mask to form the facets having a specific crystal orientation, and depositing one or more active layers on the facets. Another method comprises growing a layer of material using a lateral overgrowth technique to produce a facetted surface, and depositing one or more active layers on the facetted surfaces. The facetted surfaces are typically semipolar planes.

摘要翻译： 一种制造光电器件的方法，包括在合适材料的倾斜表面上生长所述器件的有源层，其中所述倾斜表面包括刻面。 本发明还公开了一种制造分面表面的方法。 一个制造工艺包括在合适的材料上生长外延层，通过掩模蚀刻外延层以形成具有特定晶体取向的刻面，以及在该刻面上沉积一个或多个活性层。 另一种方法包括使用横向过度生长技术生长材料层以产生刻面，以及在刻面上沉积一个或多个活性层。 分面表面通常是半极性平面。