公开(公告)号：US20070251155A1

公开(公告)日：2007-11-01

申请号：US11412369

申请日：2006-04-27

申请人： Jeffrey Dysard ,  Paul Feeney ,  Sriram Anjur ,  Timothy Johns ,  Yun-Biao Xin ,  Li Wang

发明人： Jeffrey Dysard ,  Paul Feeney ,  Sriram Anjur ,  Timothy Johns ,  Yun-Biao Xin ,  Li Wang

IPC分类号： B24B7/30 ,  B24D11/00

CPC分类号： C09K3/1463 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

摘要： The inventive chemical-mechanical polishing system comprises a polishing component, a liquid carrier, and a polyether amine. The inventive method comprises chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing system.

摘要翻译： 本发明的化学机械抛光系统包括抛光组分，液体载体和聚醚胺。 本发明的方法包括用前述抛光系统对衬底进行化学机械抛光。

公开(公告)号：US20070077865A1

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：US11243140

申请日：2005-10-04

申请人： Jeffrey Dysard ,  Timothy Johns ,  Paul Feeney

发明人： Jeffrey Dysard ,  Timothy Johns ,  Paul Feeney

IPC分类号： B24B7/30 ,  B24B1/00

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02

摘要： The invention is directed to a method of chemically-mechanically polishing a substrate comprising polysilicon and a material selected from silicon oxide and silicon nitride with a chemical-mechanical polishing system comprising an abrasive, a polyethylene oxide/polypropylene oxide copolymer, water, and a polishing pad.

摘要翻译： 本发明涉及一种化学机械抛光包括多晶硅和选自氧化硅和氮化硅的材料的衬底的方法，该化学机械抛光系统包括研磨剂，聚环氧乙烷/聚丙烯氧化物共聚物，水和抛光 垫。

公开(公告)号：US20090156006A1

公开(公告)日：2009-06-18

申请号：US12226394

申请日：2007-04-30

申请人： Sriram Anjur ,  Jeffrey Dysard ,  Paul Feeney ,  Timothy Johns ,  Richard Jenkins

发明人： Sriram Anjur ,  Jeffrey Dysard ,  Paul Feeney ,  Timothy Johns ,  Richard Jenkins

IPC分类号： H01L21/304 ,  C09K13/00

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

摘要： The present invention provides a chemical-mechanical polishing (CMP) composition suitable for polishing semi-conductor materials. The composition comprises an abrasive, an organic amino compound, an acidic metal complexing agent and an aqueous carrier A CMP method for polishing a surface of a semiconductor material utilizing the composition is also disclosed.

摘要翻译： 本发明提供适用于抛光半导体材料的化学机械抛光（CMP）组合物。 该组合物还包括研磨剂，有机氨基化合物，酸性金属络合剂和含水载体。A CMP方法，用于利用该组合物抛光半导体材料的表面。

公开(公告)号：US20070298612A1

公开(公告)日：2007-12-27

申请号：US11448205

申请日：2006-06-07

申请人： Jeffrey Dysard ,  Sriram Anjur ,  Timothy Johns ,  Zhan Chen

发明人： Jeffrey Dysard ,  Sriram Anjur ,  Timothy Johns ,  Zhan Chen

IPC分类号： C03C15/00 ,  H01L21/302

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

摘要： The present invention provides a method for polishing silicon nitride-containing substrates. The method comprises abrading a surface of a silicon nitride substrate with a polishing composition, which comprises colloidal silica, at least one acidic component, and an aqueous carrier. The at least one acidic component has a pKa in the range of about 1 to 4.5. The composition has a pH in the range of about 0.5 pH units less than the pKa of the at least one acidic component to about 1.5 pH units greater than the pKa.

摘要翻译： 本发明提供一种研磨含氮化硅的基板的方法。 该方法包括用抛光组合物研磨氮化硅衬底的表面，抛光组合物包括胶体二氧化硅，至少一种酸性组分和水性载体。 所述至少一种酸性组分的pKa在约1至4.5的范围内。 所述组合物的pH值比所述至少一种酸性组分的pKa小约0.5pH单位至大于pKa约1.5pH单位。

公开(公告)号：US08759216B2

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：US11448205

申请日：2006-06-07

申请人： Jeffrey Dysard ,  Sriram Anjur ,  Timothy Johns ,  Zhan Chen

发明人： Jeffrey Dysard ,  Sriram Anjur ,  Timothy Johns ,  Zhan Chen

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/336 ,  C03C15/00 ,  C03C25/68

CPC分类号： C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

摘要： The present invention provides a method for polishing silicon nitride-containing substrates. The method comprises abrading a surface of a silicon nitride substrate with a polishing composition, which comprises colloidal silica, at least one acidic component, and an aqueous carrier. The at least one acidic component has a pKa in the range of about 1 to 4.5. The composition has a pH in the range of about 0.5 pH units less than the pKa of the at least one acidic component to about 1.5 pH units greater than the pKa.

摘要翻译： 本发明提供一种研磨含氮化硅的基板的方法。 该方法包括用抛光组合物研磨氮化硅衬底的表面，抛光组合物包括胶体二氧化硅，至少一种酸性组分和水性载体。 所述至少一种酸性组分的pKa在约1至4.5的范围内。 所述组合物的pH值比所述至少一种酸性组分的pKa小约0.5pH单位至大于pKa约1.5pH单位。

公开(公告)号：US20060108326A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US11294853

申请日：2005-12-06

申请人： Jeffrey Dysard ,  Timothy Johns

发明人： Jeffrey Dysard ,  Timothy Johns

IPC分类号： C09K13/00 ,  C03C15/00 ,  B44C1/22 ,  H01L21/302

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition comprising a cationic abrasive, a cationic polymer, an inorganic halide salt, and an aqueous carrier. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing composition. The polishing composition exhibits selectivity for removal of silicon nitride over removal of silicon oxide and polysilicon.

公开(公告)号：US09548211B2

公开(公告)日：2017-01-17

申请号：US12630288

申请日：2009-12-03

申请人： William Ward ,  Timothy Johns

发明人： William Ward ,  Timothy Johns

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  B44C1/22 ,  C23F1/00 ,  C03C15/00 ,  C03C25/68 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321 ,  C09G1/02 ,  H01L29/16

CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L29/1608

摘要： The present invention provides a method for selectively removing silicon carbide from the surface of a substrate in preference to silicon dioxide. The method comprises abrading a surface of substrate with a polishing composition that comprises a particulate abrasive, at least one acidic buffering agent, and an aqueous carrier.

摘要翻译： 本发明提供了一种从二氧化硅中优先选择性除去碳化硅表面的方法。 该方法包括用包含微粒磨料，至少一种酸性缓冲剂和水性载体的抛光组合物研磨衬底的表面。

公开(公告)号：US08697576B2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：US12971714

申请日：2010-12-17

申请人： Brian Reiss ,  Timothy Johns ,  Michael White ,  Lamon Jones ,  John Clark

发明人： Brian Reiss ,  Timothy Johns ,  Michael White ,  Lamon Jones ,  John Clark

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/3212

摘要： The invention provides a polishing composition comprising silica, an aminophosphonic acid, a polysaccharide, a tetraalkylammonium salt, a bicarbonate salt, an azole ring, and water, wherein the polishing composition has a pH of about 7 to about 11. The invention further provides a method of polishing a substrate with the polishing composition.

摘要翻译： 本发明提供一种抛光组合物，其包含二氧化硅，氨基膦酸，多糖，四烷基铵盐，碳酸氢盐，唑环和水，其中抛光组合物的pH为约7至约11.本发明还提供了一种 用抛光组合物研磨衬底的方法。

公开(公告)号：US20050184484A1

公开(公告)日：2005-08-25

申请号：US10781629

申请日：2004-02-20

申请人： Timothy Johns ,  Alexey Vihracheff ,  Harry Stagg ,  Anastacio Cruz

发明人： Timothy Johns ,  Alexey Vihracheff ,  Harry Stagg ,  Anastacio Cruz

IPC分类号： B60D1/02 ,  B60D1/36 ,  B60D1/00

CPC分类号： B60D1/02 ,  B60D1/363

摘要： A lifting system for a hitch mechanism is provided. The lifting system includes a raise/lower member; an intermediate mechanism to move the raise/lower member between a lower position and an upper position; and a control for causing the intermediate mechanism to move the raise/lower member from one position to the other.

摘要翻译： 提供了一种用于牵引机构的提升系统。 提升系统包括升/降构件; 用于在下位置和上位置之间移动上/下构件的中间机构; 以及用于使中间机构将升高/下部构件从一个位置移动到另一个位置的控制。

公开(公告)号：US20060099814A1

公开(公告)日：2006-05-11

申请号：US10982486

申请日：2004-11-05

申请人： Phillip Carter ,  Timothy Johns

发明人： Phillip Carter ,  Timothy Johns

IPC分类号： C09K13/00 ,  H01L21/302 ,  B44C1/22

CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02

摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition comprising a cationic abrasive, a cationic polymer, a carboxylic acid, and water. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing composition. The polishing composition exhibits selectivity for removal of silicon nitride over removal of silicon oxide.