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    Method of manufacturing semiconductor device
    3.
    发明授权
    Method of manufacturing semiconductor device 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US08617991B2

    公开(公告)日：2013-12-31

    申请号：US13526960

    申请日：2012-06-19

    申请人： Jung-Chan Lee ,  Yoo-Jung Lee ,  Ki-Hyung Ko ,  Dae-Young Kwak ,  Seung-Jae Lee ,  Jae-Sung Hur ,  Sang-Bom Kang ,  Cheol Kim ,  Bo-Un Yoon

    发明人： Jung-Chan Lee ,  Yoo-Jung Lee ,  Ki-Hyung Ko ,  Dae-Young Kwak ,  Seung-Jae Lee ,  Jae-Sung Hur ,  Sang-Bom Kang ,  Cheol Kim ,  Bo-Un Yoon

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L29/4983 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/82345 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/78

    摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes forming an interlayer dielectric film that has first and second trenches on first and second regions of a substrate, respectively, forming a first metal layer along a sidewall and a bottom surface of the first trench and along a top surface of the interlayer dielectric film in the first region, forming a second metal layer along a sidewall and a bottom surface of the second trench and along a top surface of the interlayer dielectric film in the second region, forming a first sacrificial layer pattern on the first metal layer such that the first sacrificial layer fills a portion of the first trench, forming a first electrode layer by etching the first metal layer and the second metal layer using the first sacrificial layer pattern, and removing the first sacrificial layer pattern.

    摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底的第一和第二区域上分别形成具有第一和第二沟槽的层间电介质膜，沿着第一沟槽的侧壁和底表面沿顶部形成第一金属层 在所述第一区域中的所述层间电介质膜的表面，沿着所述第二沟槽的侧壁和底表面沿着所述第二区域中的所述层间电介质膜的顶表面形成第二金属层，在所述第二区域中形成第一牺牲层图案 第一金属层，使得第一牺牲层填充第一沟槽的一部分，通过使用第一牺牲层图案蚀刻第一金属层和第二金属层形成第一电极层，以及去除第一牺牲层图案。

    SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME
    5.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20160064378A1

    公开(公告)日：2016-03-03

    申请号：US14826811

    申请日：2015-08-14

    申请人： Kee Sang KWON ,  Boun Yoon ,  Sangjine Park ,  Myunggeun Song ,  Ki-Hyung Ko ,  Jiwon Yun

    发明人： Kee Sang KWON ,  Boun Yoon ,  Sangjine Park ,  Myunggeun Song ,  Ki-Hyung Ko ,  Jiwon Yun

    IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L29/78

    CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/82345 ,  H01L27/088 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/7831 ,  H01L29/785

    摘要： Semiconductor devices may include a substrate, gate electrodes on the substrate, and source/drain regions at both sides of each of the gate electrodes. Each of the gate electrodes may include a gate insulating pattern on the substrate, a lower work-function electrode pattern that is on the gate insulating pattern and has a recessed upper surface, and an upper work-function electrode pattern that conformally extends on the recessed upper surface of the lower work-function electrode pattern. Topmost surfaces of the lower work-function electrode patterns may be disposed at an equal level, and the upper work-function electrode patterns may have different thicknesses from each other.

    摘要翻译： 半导体器件可以包括衬底，衬底上的栅极电极以及每个栅极电极的两侧的源极/漏极区域。 每个栅极电极可以包括在基板上的栅极绝缘图案，位于栅极绝缘图案上并具有凹陷的上表面的下部功函电极图案和在凹陷部分上保形延伸的上部功函电极图案 下工作电极图案的上表面。 下部功函电极图案的最表面可以设置在相同的水平，并且上部功函电极图案可以具有彼此不同的厚度。