公开(公告)号：US4389482A

公开(公告)日：1983-06-21

申请号：US330103

申请日：1981-12-14

申请人： Joachim Bargon ,  Hiroyuki Hiraoka ,  Lawrence W. Welsh, Jr.

发明人： Joachim Bargon ,  Hiroyuki Hiraoka ,  Lawrence W. Welsh, Jr.

IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/26 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  G03C5/24

CPC分类号： G03F7/40

摘要： A photoresist that has strong resistance to reactive ion etching, high photosensitivity to mid- and deep UV-light, and high resolution capability is formed by using as the resist material a copolymer of methacrylonitrile and methacrylic acid, and by baking the resist before the exposure to light for improved photosensitivity, and after exposure to light, development, and prior to treatment with reactive ion etching.

摘要翻译： 通过使用甲基丙烯腈和甲基丙烯酸的共聚物作为抗蚀剂材料，通过在曝光前烘烤抗蚀剂，形成对反应离子蚀刻具有很强抗性，对中等深度和深度UV光的高光敏性和高分辨能力的光致抗蚀剂 以改善光敏性，并且在暴露于光，显影之后和在用反应离子蚀刻处理之前。

公开(公告)号：US3964908A

公开(公告)日：1976-06-22

申请号：US615652

申请日：1975-09-22

申请人： Joachim Bargon ,  Edward Gipstein ,  Hiroyuki Hiraoka

发明人： Joachim Bargon ,  Edward Gipstein ,  Hiroyuki Hiraoka

IPC分类号： G03F7/038 ,  C08F8/32 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  G03C5/00 ,  G03C5/24

CPC分类号： G03F7/039 ,  C08F8/32 ,  Y10S430/143

摘要： A process for forming an image with a positive resist using a polymer containing dimethylglutarimide units. The polymer is sensitive to both electron beam and light radiation, has a high glass transition temperature, a high temperature resistance, and is capable of very fine spatial resolution, very suitable for micro circuitry processings.

摘要翻译： 使用含有二甲基戊二酰亚胺单元的聚合物形成具有正性抗蚀剂的图像的方法。 聚合物对电子束和光辐射敏感，具有高玻璃化转变温度，耐高温性，并且能够非常精细的空间分辨率，非常适合微电路处理。

公开(公告)号：US4452665A

公开(公告)日：1984-06-05

申请号：US541221

申请日：1983-10-12

申请人： Hiroyuki Hiraoka

发明人： Hiroyuki Hiraoka

IPC分类号： C23C14/12 ,  C23F1/00 ,  C23F1/02 ,  G03F1/20 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  B44C1/22 ,  B29C17/08 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

CPC分类号： G03F1/20 ,  G03F7/094 ,  H01L21/31138

摘要： A polymeric halocarbon is used as an etch barrier for plasma etching in a process to make high resolution, high aspect ratio polymer patterns.

摘要翻译： 在制造高分辨率，高纵横比聚合物图案的方法中，聚合卤化碳被用作等离子体蚀刻的蚀刻阻挡层。

公开(公告)号：US06312769B1

公开(公告)日：2001-11-06

申请号：US09069169

申请日：1998-04-29

申请人： Hiroyuki Hiraoka ,  Yasumasa Takeuchi ,  Shin-ichi Kimura ,  Yasuo Matsuki ,  Toshihiro Ogawa ,  Masayuki Kimura

发明人： Hiroyuki Hiraoka ,  Yasumasa Takeuchi ,  Shin-ichi Kimura ,  Yasuo Matsuki ,  Toshihiro Ogawa ,  Masayuki Kimura

IPC分类号： C09K1900

CPC分类号： G02F1/133723 ,  G02F1/133788 ,  Y10T428/10

摘要： A method of producing a liquid crystal alignment layer comprising exposing an organic film to polarized pulse laser beam to align molecules in a surface portion of the organic film. There is provided a liquid crystal alignment layer composed of a polyamide film having aligned molecules in a surface portion.

摘要翻译： 一种制造液晶取向层的方法，包括将有机膜暴露于偏振脉冲激光束以使分子在有机膜的表面部分中排列。 提供了由表面部分中具有排列分子的聚酰胺膜构成的液晶取向层。

公开(公告)号：US5368681A

公开(公告)日：1994-11-29

申请号：US073506

申请日：1993-06-09

申请人： Hiroyuki Hiraoka ,  Stefan A. Latsch ,  Rong-Fu Xiao

发明人： Hiroyuki Hiraoka ,  Stefan A. Latsch ,  Rong-Fu Xiao

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/28 ,  C30B23/02 ,  C30B29/04

CPC分类号： C23C14/28 ,  C23C14/0611 ,  C30B23/02 ,  C30B29/04

摘要： A method is disclosed for the deposition of crystalline diamond on a substrate such as a silicon wafer. A polymer (for example poly(methylmethacrylate)) is provided as a target for laser ablation using for example an ArF excimer laser or an Nd-Yag laser. The laser ablation is performed in the presence of a reactive gas such as oxygen or hydrogen. The substrate is heated to a temperature of between 450 and 700 degrees celsius.

摘要翻译： 公开了一种用于在诸如硅晶片的衬底上沉积结晶金刚石的方法。 使用例如ArF准分子激光器或Nd-Yag激光器提供聚合物（例如聚（甲基丙烯酸甲酯））作为用于激光烧蚀的靶。 在诸如氧气或氢气的反应气体的存在下进行激光烧蚀。 将基底加热至450-700℃的温度。

公开(公告)号：US5270151A

公开(公告)日：1993-12-14

申请号：US852865

申请日：1992-03-17

申请人： Peter A. Agostino ,  Ajay P. Giri ,  Hiroyuki Hiraoka ,  Carlton G. Willson ,  Daniel J. Dawson

发明人： Peter A. Agostino ,  Ajay P. Giri ,  Hiroyuki Hiraoka ,  Carlton G. Willson ,  Daniel J. Dawson

IPC分类号： G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/26

CPC分类号： G03F7/094 ,  G03F7/0757

摘要： Reaction products of organosilane compounds or polydiphenylsilazane compounds and a novolac resin having phenolic groups can be used as O.sub.2 RIE barrier materials in semiconductor etching processes. These materials have low O.sub.2 etch rates and can be spun on to form crack-free thick layers. Particular RIE barrier materials contemplated have the general formula: ##STR1## wherein A is a methyl or phenyl group.

摘要翻译： 有机硅烷化合物或聚二苯基硅氮烷化合物和具有酚基的酚醛清漆树脂的反应产物可用作半导体蚀刻工艺中的O 2 RIE阻挡材料。 这些材料具有低的氧化蚀刻速率，并且可以旋转以形成无裂纹的厚层。 考虑的特定RIE阻隔材料具有以下通式：其中A是甲基或苯基。

公开(公告)号：US4507331A

公开(公告)日：1985-03-26

申请号：US560638

申请日：1983-12-12

申请人： Hiroyuki Hiraoka

发明人： Hiroyuki Hiraoka

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  G03F7/30 ,  H01L21/30 ,  H01L21/311 ,  B05D3/06

CPC分类号： H01L21/31138 ,  G03F7/094 ,  H01L21/31144

摘要： A dry process for forming a positive tone micro pattern by coating a substrate with an organic polymer film then with a film of an oxygen etch barrier, selected from the group consisting of films of organometallic, including organosilicon compounds and metals, exposing the etch barrier film to a low energy proton beam in a patternwise manner, and developing the pattern by means of oxygen reactive ion etching.

摘要翻译： 一种用于通过用有机聚合物膜涂覆基底然后用氧蚀刻屏障的膜选择由有机金属的膜（包括有机硅化合物和金属）暴露蚀刻阻挡膜而形成正色调微图案的干法 以图案方式连接到低能量质子束，并通过氧反应离子蚀刻显影图案。

公开(公告)号：US4482427A

公开(公告)日：1984-11-13

申请号：US612189

申请日：1984-05-21

申请人： Hiroyuki Hiraoka

发明人： Hiroyuki Hiraoka

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H05K3/00 ,  B44C1/22 ,  B29C17/08 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H05K3/0017

摘要： A dry process for forming via holes with sloped walls by oxygen reactive ion etching through a perforated mask.

摘要翻译： 用于通过穿孔掩模通过氧反应离子蚀刻形成具有倾斜壁的通孔的干法。

公开(公告)号：US4379826A

公开(公告)日：1983-04-12

申请号：US298138

申请日：1981-08-31

申请人： James Economy ,  Roy J. Gritter ,  Hiroyuki Hiraoka

发明人： James Economy ,  Roy J. Gritter ,  Hiroyuki Hiraoka

IPC分类号： G03C1/72 ,  C08G8/00 ,  G03F7/039 ,  G03C1/58 ,  G03C5/00 ,  G03C5/22 ,  G03C5/34

CPC分类号： G03F7/039

摘要： The sensitivity of a positive working electron beam resist is increased by using as the resist material a resin which is a condensation product of formaldehyde with a phenol or a cresol having a chloro substituent ortho to the hydroxyl group on its aromatic ring.

摘要翻译： 通过使用作为抗氧化剂材料的树脂作为抗氧化剂材料，通过使用甲醛与苯酚或其芳环上具有羟基的氯取代基的甲酚的缩合产物来提高正电加工电子束抗蚀剂的灵敏度。

公开(公告)号：US4004043A

公开(公告)日：1977-01-18

申请号：US616980

申请日：1975-09-26

申请人： Hiroyuki Hiraoka

发明人： Hiroyuki Hiraoka

IPC分类号： C08F8/00 ,  C08F8/30 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  B05D3/06

CPC分类号： G03F7/039 ,  Y10S430/143

摘要： Positive resists are made using polymers and copolymers of methacrylic acid, methacrylic anhydride, methyl methacrylate, methacrylimide, and N-alkyl-methacrylimides which have been nitrated in up to about 10% of the monomer units on the methyl groups branching off the polymer chain. Inclusion of the nitro groups results in an increase of over an order of magnitude in the speed of development of images when the polymers are used as positive resists.

摘要翻译： 使用甲基丙烯酸，甲基丙烯酸酐，甲基丙烯酸甲酯，甲基丙烯酰亚胺和N-烷基 - 甲基丙烯酰亚胺的聚合物和共聚物制备正性抗蚀剂，其在高达聚合物链分支的甲基上高达约10％的单体单元被硝化。 当聚合物用作正性抗蚀剂时，纳入硝基导致图像显影速度超过一个数量级。