公开(公告)号：US09190495B2

公开(公告)日：2015-11-17

申请号：US12563473

申请日：2009-09-21

申请人： Jeong-Do Ryu ,  Dong-Chan Kim ,  Seong-Hoon Jeong ,  Si-Young Choi ,  Yu-Gyun Shin ,  Tai-Su Park ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Jong-Hoon Kang

发明人： Jeong-Do Ryu ,  Dong-Chan Kim ,  Seong-Hoon Jeong ,  Si-Young Choi ,  Yu-Gyun Shin ,  Tai-Su Park ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Jong-Hoon Kang

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/28 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/823412 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7851

摘要： A recessed channel array transistor may include a substrate, a gate oxide layer, a gate electrode and source/drain regions. The substrate may have an active region and an isolation region. A recess may be formed in the active region. The gate oxide layer may be formed on the recess and the substrate. The gate oxide layer may include a first portion on an intersection between a side end of the recess and a sidewall of the active region and a second portion on a side surface of the recess. The first portion may include a thickness greater than about 70% of a thickness of the second portion. The gate electrode may be formed on the gate oxide layer. The source/drain regions may be formed in the substrate. Thus, the recessed channel array transistor may have a decreased leakage current and an increased on-current.

摘要翻译： 凹陷通道阵列晶体管可以包括衬底，栅极氧化物层，栅极电极和源极/漏极区域。 衬底可以具有有源区和隔离区。 可以在活性区域中形成凹部。 栅极氧化物层可以形成在凹部和基板上。 栅极氧化物层可以包括在凹部的侧端和有源区的侧壁与凹部的侧表面上的第二部分之间的交叉处的第一部分。 第一部分可以包括大于第二部分厚度的约70％的厚度。 栅极电极可以形成在栅极氧化物层上。 源极/漏极区域可以形成在衬底中。 因此，凹陷通道阵列晶体管可能具有减小的漏电流和增加的导通电流。

公开(公告)号：US08252681B2

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US12536865

申请日：2009-08-06

申请人： Jeong-Do Ryu ,  Si-Young Choi ,  Yu-Gyun Shin ,  Tai-Su Park ,  Dong-Chan Kim ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Seong-Hoon Jeong ,  Jong-Hoon Kang

发明人： Jeong-Do Ryu ,  Si-Young Choi ,  Yu-Gyun Shin ,  Tai-Su Park ,  Dong-Chan Kim ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Seong-Hoon Jeong ,  Jong-Hoon Kang

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28061 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/3211 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104

摘要： Methods of forming integrated circuit devices include forming an electrically conductive layer containing silicon on a substrate and forming a mask pattern on the electrically conductive layer. The electrically conductive layer is selectively etched to define a first sidewall thereon, using the mask pattern as an etching mask. The first sidewall of the electrically conductive layer may be exposed to a nitrogen plasma to thereby form a first silicon nitride layer on the first sidewall. The electrically conductive layer is then selectively etched again to expose a second sidewall thereon that is free of the first silicon nitride layer. The mask pattern may be used again as an etching mask during this second step of selectively etching the electrically conductive layer.

摘要翻译： 形成集成电路器件的方法包括在衬底上形成含硅的导电层，并在导电层上形成掩模图案。 使用掩模图案作为蚀刻掩模，选择性地蚀刻导电层以限定其上的第一侧壁。 可以将导电层的第一侧壁暴露于氮等离子体，从而在第一侧壁上形成第一氮化硅层。 然后再次选择性地蚀刻导电层以暴露其上没有第一氮化硅层的第二侧壁。 在选择性蚀刻导电层的第二步骤期间，掩模图案可以再次用作蚀刻掩模。

公开(公告)号：US08691649B2

公开(公告)日：2014-04-08

申请号：US13151494

申请日：2011-06-02

申请人： Tai-Su Park ,  Jung-Sup Oh ,  Gun-Joong Lee ,  Jung-Soo An ,  Dong-Kyu Lee ,  Jung-Geun Park ,  Jeong-Do Ryu ,  Dong-Chan Kim ,  Seong-Hoon Jeong ,  Si-Young Choi ,  Yu-Gyun Shin ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Jong-Hoon Kang

发明人： Tai-Su Park ,  Jung-Sup Oh ,  Gun-Joong Lee ,  Jung-Soo An ,  Dong-Kyu Lee ,  Jung-Geun Park ,  Jeong-Do Ryu ,  Dong-Chan Kim ,  Seong-Hoon Jeong ,  Si-Young Choi ,  Yu-Gyun Shin ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Jong-Hoon Kang

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/823412 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/11 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7851

摘要： In methods of manufacturing a recessed channel array transistor, a recess may be formed in an active region of a substrate. A plasma oxidation process may be performed on the substrate to form a preliminary gate oxide layer on an inner surface of the recess and an upper surface of the substrate. Moistures may be absorbed in a surface of the preliminary gate oxide layer to form a gate oxide layer. A gate electrode may be formed on the gate oxide layer to fill up the recess. Source/drain regions may be formed in an upper surface of the substrate at both sides of the gate electrode. Thus, the oxide layer may have a uniform thickness distribution and a dense structure.

摘要翻译： 在制造凹陷通道阵列晶体管的方法中，可以在衬底的有源区中形成凹部。 可以在衬底上进行等离子体氧化处理，以在凹槽的内表面和衬底的上表面上形成预备栅氧化层。 可以在预选择栅极氧化物层的表面吸收水分以形成栅极氧化物层。 可以在栅极氧化物层上形成栅电极以填充凹部。 源极/漏极区域可以形成在栅电极的两侧的衬底的上表面中。 因此，氧化物层可以具有均匀的厚度分布和致密结构。

公开(公告)号：US20100072545A1

公开(公告)日：2010-03-25

申请号：US12563473

申请日：2009-09-21

申请人： Jeong-Do Ryu ,  Dong-Chan Kim ,  Seong-Hoon Jeong ,  Si-Young Choi ,  Yu-Gyun Shin ,  Tai-Su Park ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Jong-Hoon Kang

发明人： Jeong-Do Ryu ,  Dong-Chan Kim ,  Seong-Hoon Jeong ,  Si-Young Choi ,  Yu-Gyun Shin ,  Tai-Su Park ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Jong-Hoon Kang

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/823412 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7851

摘要： A recessed channel array transistor may include a substrate, a gate oxide layer, a gate electrode and source/drain regions. The substrate may have an active region and an isolation region. A recess may be formed in the active region. The gate oxide layer may be formed on the recess and the substrate. The gate oxide layer may include a first portion on an intersection between a side end of the recess and a sidewall of the active region and a second portion on a side surface of the recess. The first portion may include a thickness greater than about 70% of a thickness of the second portion. The gate electrode may be formed on the gate oxide layer. The source/drain regions may be formed in the substrate. Thus, the recessed channel array transistor may have a decreased leakage current and an increased on-current.

摘要翻译： 凹陷通道阵列晶体管可以包括衬底，栅极氧化物层，栅极电极和源极/漏极区域。 衬底可以具有有源区和隔离区。 可以在活性区域中形成凹陷。 栅极氧化物层可以形成在凹部和基板上。 栅极氧化物层可以包括在凹部的侧端和有源区的侧壁与凹部的侧表面上的第二部分之间的交叉处的第一部分。 第一部分可以包括大于第二部分厚度的约70％的厚度。 栅极电极可以形成在栅极氧化物层上。 源极/漏极区域可以形成在衬底中。 因此，凹陷通道阵列晶体管可能具有减小的漏电流和增加的导通电流。

公开(公告)号：US08501611B2

公开(公告)日：2013-08-06

申请号：US13551251

申请日：2012-07-17

申请人： Jeong-Do Ryu ,  Si-Young Choi ,  Yu-Gyun Shin ,  Tai-Su Park ,  Dong-Chan Kim ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Seong-Hoon Jeong ,  Jong-Hoon Kang

发明人： Jeong-Do Ryu ,  Si-Young Choi ,  Yu-Gyun Shin ,  Tai-Su Park ,  Dong-Chan Kim ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Seong-Hoon Jeong ,  Jong-Hoon Kang

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/28061 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/3211 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104

摘要： Methods of forming integrated circuit devices include forming an electrically conductive layer containing silicon on a substrate and forming a mask pattern on the electrically conductive layer. The electrically conductive layer is selectively etched to define a first sidewall thereon, using the mask pattern as an etching mask. The first sidewall of the electrically conductive layer may be exposed to a nitrogen plasma to thereby form a first silicon nitride layer on the first sidewall. The electrically conductive layer is then selectively etched again to expose a second sidewall thereon that is free of the first silicon nitride layer. The mask pattern may be used again as an etching mask during this second step of selectively etching the electrically conductive layer.

摘要翻译： 形成集成电路器件的方法包括在衬底上形成含硅的导电层，并在导电层上形成掩模图案。 使用掩模图案作为蚀刻掩模，选择性地蚀刻导电层以限定其上的第一侧壁。 可以将导电层的第一侧壁暴露于氮等离子体，从而在第一侧壁上形成第一氮化硅层。 然后再次选择性地蚀刻导电层以暴露其上没有第一氮化硅层的第二侧壁。 在选择性蚀刻导电层的第二步骤期间，掩模图案可以再次用作蚀刻掩模。

公开(公告)号：US20110237037A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US13151494

申请日：2011-06-02

申请人： Tai-Su Park ,  Jung-Sup Oh ,  Gun-Joong Lee ,  Jung-Soo An ,  Dong-Kyu Lee ,  Jung-Geun Park ,  Jeong-Do Ryu ,  Dong-Chan Kim ,  Seong-Hoon Jeong ,  Si-Young Choi ,  Yu-Gyun Shin ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Jong-Hoon Kang

发明人： Tai-Su Park ,  Jung-Sup Oh ,  Gun-Joong Lee ,  Jung-Soo An ,  Dong-Kyu Lee ,  Jung-Geun Park ,  Jeong-Do Ryu ,  Dong-Chan Kim ,  Seong-Hoon Jeong ,  Si-Young Choi ,  Yu-Gyun Shin ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Jong-Hoon Kang

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/823412 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/11 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7851

摘要： In methods of manufacturing a recessed channel array transistor, a recess may be formed in an active region of a substrate. A plasma oxidation process may be performed on the substrate to form a preliminary gate oxide layer on an inner surface of the recess and an upper surface of the substrate. Moistures may be absorbed in a surface of the preliminary gate oxide layer to form a gate oxide layer. A gate electrode may be formed on the gate oxide layer to fill up the recess. Source/drain regions may be formed in an upper surface of the substrate at both sides of the gate electrode. Thus, the oxide layer may have a uniform thickness distribution and a dense structure.

摘要翻译： 在制造凹陷通道阵列晶体管的方法中，可以在衬底的有源区中形成凹部。 可以在衬底上进行等离子体氧化处理，以在凹槽的内表面和衬底的上表面上形成预备栅氧化层。 可以在预选择栅极氧化物层的表面吸收水分以形成栅极氧化物层。 可以在栅极氧化物层上形成栅电极以填充凹部。 源极/漏极区域可以形成在栅电极的两侧的衬底的上表面中。 因此，氧化物层可以具有均匀的厚度分布和致密结构。

公开(公告)号：US20100035425A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12536865

申请日：2009-08-06

申请人： Jeong Do Ryu ,  Si-Young Choi ,  Yu-Gyun Shin ,  Tai-Su Park ,  Dong-Chan Kim ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Seong-Hoon Jeong ,  Jong-Hoon Kang

发明人： Jeong Do Ryu ,  Si-Young Choi ,  Yu-Gyun Shin ,  Tai-Su Park ,  Dong-Chan Kim ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Seong-Hoon Jeong ,  Jong-Hoon Kang

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/283

CPC分类号： H01L21/28061 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/3211 ,  H01L21/32137 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104

摘要： Methods of forming integrated circuit devices include forming an electrically conductive layer containing silicon on a substrate and forming a mask pattern on the electrically conductive layer. The electrically conductive layer is selectively etched to define a first sidewall thereon, using the mask pattern as an etching mask. The first sidewall of the electrically conductive layer may be exposed to a nitrogen plasma to thereby form a first silicon nitride layer on the first sidewall. The electrically conductive layer is then selectively etched again to expose a second sidewall thereon that is free of the first silicon nitride layer. The mask pattern may be used again as an etching mask during this second step of selectively etching the electrically conductive layer.

摘要翻译： 形成集成电路器件的方法包括在衬底上形成含硅的导电层，并在导电层上形成掩模图案。 使用掩模图案作为蚀刻掩模，选择性地蚀刻导电层以限定其上的第一侧壁。 可以将导电层的第一侧壁暴露于氮等离子体，从而在第一侧壁上形成第一氮化硅层。 然后再次选择性地蚀刻导电层以暴露其上没有第一氮化硅层的第二侧壁。 在选择性蚀刻导电层的第二步骤期间，掩模图案可以再次用作蚀刻掩模。

公开(公告)号：US20100025749A1

公开(公告)日：2010-02-04

申请号：US12534422

申请日：2009-08-03

申请人： Jong-Ryeol Yoo ,  Tai-Su Park ,  Jong-Hoon Kang ,  Dong-Chan Kim ,  Jeong-Do Ryu ,  Seong-Hoon Jeong ,  Si-Young Choi ,  Yu-Gyun Shin

发明人： Jong-Ryeol Yoo ,  Tai-Su Park ,  Jong-Hoon Kang ,  Dong-Chan Kim ,  Jeong-Do Ryu ,  Seong-Hoon Jeong ,  Si-Young Choi ,  Yu-Gyun Shin

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L27/092

CPC分类号： H01L21/823842 ,  H01L21/823828 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10894

摘要： A semiconductor device may include an isolation layer, gate electrodes, an insulating interlayer, an impurity region, a capping layer and a plug. The isolation layer may be formed in the substrate. The gate electrodes may be formed on the substrate. The insulating interlayer may be formed on the gate electrodes. The insulating interlayer may have a contact hole between the gate electrodes. The impurity region may be in the substrate exposed through the contact hole. The capping layer may be on the impurity region. The plug may be on the capping layer. Thus, the impurities may not be lost from the impurity region. As a result, the device may have improved electrical characteristics and reliability because depletion may not be generated in the electrode layer

摘要翻译： 半导体器件可以包括隔离层，栅电极，绝缘中间层，杂质区，封盖层和插塞。 隔离层可以形成在衬底中。 栅电极可以形成在衬底上。 绝缘中间层可以形成在栅电极上。 绝缘中间层可以在栅电极之间具有接触孔。 杂质区域可能在通过接触孔暴露的衬底中。 覆盖层可以在杂质区上。 插头可能在封盖层上。 因此，杂质可能不会从杂质区域中流失。 结果，由于在电极层中可能不产生耗尽，所以器件可能具有改善的电特性和可靠性

公开(公告)号：US20090325356A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12432500

申请日：2009-04-29

申请人： Dong-Woon SHIN ,  Si-Young Choi ,  Tai-Su Park ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Jong-Hoon Kang

发明人： Dong-Woon SHIN ,  Si-Young Choi ,  Tai-Su Park ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Jong-Hoon Kang

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/31 ,  H01L21/426

CPC分类号： H01L21/02274 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659

摘要： Provided are methods of forming a low temperature deposition layer and methods of manufacturing a semiconductor device using the same. The method of manufacturing a semiconductor device comprises forming a mask layer exposing a gate pattern on a substrate on which the gate pattern is formed, forming a sacrifice layer on the mask layer and on a substrate not covered by the mask layer using a plasma ion immersion implantation and deposition (PIIID), and doping a substrate adjacent to both sidewalls of the gate pattern with an impurity.

摘要翻译： 提供形成低温沉积层的方法和使用其制造半导体器件的方法。 制造半导体器件的方法包括：在掩模层上形成掩模层，在其上形成栅极图案的衬底上露出栅极图案，在掩模层上形成牺牲层，并在未被掩模层覆盖的衬底上使用等离子体离子浸没 注入和沉积（PIIID），并且用杂质掺杂与栅极图案的两个侧壁相邻的衬底。

公开(公告)号：US20080048262A1

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：US11892320

申请日：2007-08-22

申请人： Deok-Hyung Lee ,  Sun-Ghil Lee ,  Gyeong-Ho Buh ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Si-Young Choi ,  Tai-Su Park

发明人： Deok-Hyung Lee ,  Sun-Ghil Lee ,  Gyeong-Ho Buh ,  Jong-Ryeol Yoo ,  Si-Young Choi ,  Tai-Su Park

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/7851 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L2029/7858

摘要： Provided are a fin field effect transistor (FinFET) with recess source/drain regions, and a method of forming the same. One example embodiment may provide a semiconductor device including a fin provided on a substrate and extending in a first direction, the fin including a stepped portion, and a gate electrode extending in a second direction crossing the first direction, and provided on a top surface and side surfaces of the stepped portion of the fin.

摘要翻译： 提供具有凹陷源极/漏极区域的鳍式场效应晶体管（FinFET）及其形成方法。 一个示例性实施例可以提供一种半导体器件，其包括设置在基板上并沿第一方向延伸的鳍，所述鳍包括台阶部分，以及沿与第一方向交叉的第二方向延伸的栅电极，并且设置在顶表面上 翅片的台阶部分的侧表面。