公开(公告)号：US20120228619A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13472716

申请日：2012-05-16

申请人： Joo-Ae YOUN ,  Yang-Ho BAE ,  Chang-Oh JEONG ,  Chong-Chul CHAI ,  Pil-Sang YUN ,  Honglong NING ,  Byeong-Beom KIM

发明人： Joo-Ae YOUN ,  Yang-Ho BAE ,  Chang-Oh JEONG ,  Chong-Chul CHAI ,  Pil-Sang YUN ,  Honglong NING ,  Byeong-Beom KIM

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L33/08

CPC分类号： H01L33/0041 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

摘要： A display panel includes; a lower gate line, a lower data line disposed substantially perpendicular to the lower gate line, a thin film transistor (“TFT”) connected to the lower gate line and the lower data line, an insulating layer disposed on the lower gate line, the lower data line, and the TFT and having a plurality of trenches exposing the lower gate line and the lower data line, an upper gate line disposed in the trench on the lower gate line, an upper data line disposed in the trench on the lower data line, and a pixel electrode connected to the TFT.

摘要翻译： 显示面板包括： 下栅极线，基本上垂直于下栅极线设置的下数据线，连接到下栅极线和下数据线的薄膜晶体管（“TFT”），设置在下栅极线上的绝缘层， 下数据线和TFT，并且具有暴露下栅极线和下数据线的多个沟槽，设置在下栅极线上的沟槽中的上栅极线，设置在下数据上的沟槽中的上数据线 线和与TFT连接的像素电极。

公开(公告)号：US20090212290A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US12354115

申请日：2009-01-15

申请人： Joo-Ae YOUN ,  Yang-Ho BAE ,  Chang-Oh JEONG ,  Chong-Chul CHAI ,  Pil-Sang YUN ,  Honglong NING ,  Byeong-Beom KIM

发明人： Joo-Ae YOUN ,  Yang-Ho BAE ,  Chang-Oh JEONG ,  Chong-Chul CHAI ,  Pil-Sang YUN ,  Honglong NING ,  Byeong-Beom KIM

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L33/0041 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

摘要： A display panel includes; a lower gate line, a lower data line disposed substantially perpendicular to the lower gate line, a thin film transistor (“TFT”) connected to the lower gate line and the lower data line, an insulating layer disposed on the lower gate line, the lower data line, and the TFT and having a plurality of trenches exposing the lower gate line and the lower data line, an upper gate line disposed in the trench on the lower gate line, an upper data line disposed in the trench on the lower data line, and a pixel electrode connected to the TFT.

摘要翻译： 显示面板包括： 下栅极线，基本上垂直于下栅极线设置的下数据线，连接到下栅极线和下数据线的薄膜晶体管（“TFT”），设置在下栅极线上的绝缘层， 下数据线和TFT，并且具有暴露下栅极线和下数据线的多个沟槽，设置在下栅极线上的沟槽中的上栅极线，设置在下数据上的沟槽中的上数据线 线和与TFT连接的像素电极。

公开(公告)号：US20110097961A1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：US12981287

申请日：2010-12-29

申请人： Min-Seok OH ,  Yang-Ho BAE ,  Pil-Sang YUN ,  Byeong-Beom KIM ,  Seung-Ha CHOI ,  Sang-Gab KIM ,  Chang-Ho JEONG ,  Shin-Il CHOI ,  Hong-Kee CHIN ,  Yu-Gwang JEONG ,  Dong-Ju YANG

发明人： Min-Seok OH ,  Yang-Ho BAE ,  Pil-Sang YUN ,  Byeong-Beom KIM ,  Seung-Ha CHOI ,  Sang-Gab KIM ,  Chang-Ho JEONG ,  Shin-Il CHOI ,  Hong-Kee CHIN ,  Yu-Gwang JEONG ,  Dong-Ju YANG

IPC分类号： H01J9/20

CPC分类号： H01L27/12 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458

摘要： In a display panel and a method of manufacturing the display panel, a gate line, a data line, and source and drain electrodes including a same material as the data line are formed on a substrate constituting the display panel, and the data line includes an aluminum based alloy containing sufficient nickel to inhibit corrosion during dry etching. The corrosion resistance of the AlNi-containing alloy helps prevent corrosion of the data line, the source electrode, and the drain electrode during selective dry etching that shapes these lines and electrodes.

摘要翻译： 在显示面板和制造显示面板的方法中，在构成显示面板的基板上形成包括与数据线相同材料的栅极线，数据线以及源极和漏极，并且数据线包括 铝基合金含有足够的镍以在干蚀刻期间抑制腐蚀。 含有AlNi的合金的耐腐蚀性有助于防止在形成这些线和电极的选择性干蚀刻期间数据线，源电极和漏电极的腐蚀。

公开(公告)号：US20080213702A1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：US11932496

申请日：2007-10-31

申请人： Yang-Ho BAE ,  Chang-Oh JEONG ,  Byeong-Beom KIM ,  Jae-Gab LEE ,  Tae-Wook KWON

发明人： Yang-Ho BAE ,  Chang-Oh JEONG ,  Byeong-Beom KIM ,  Jae-Gab LEE ,  Tae-Wook KWON

IPC分类号： G03F7/00

CPC分类号： H01L51/0021 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/165 ,  H01L51/0023

摘要： A method for patterning a conductive polymer that adheres well to an oxide layer is presented. The method includes forming a self-assembled monolayer on a substrate, patterning the self-assembled monolayer, forming a catalyst layer on the self-assembled monolayer, and forming a conductive polymer layer on the self-assembled monolayer.

摘要翻译： 提出了一种用于图案化粘附到氧化物层的导电聚合物的方法。 该方法包括在衬底上形成自组装单层，图案化自组装单层，在自组装单层上形成催化剂层，并在自组装单层上形成导电聚合物层。

公开(公告)号：US20100244032A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12751136

申请日：2010-03-31

申请人： Pil Sang YUN ,  Byeong-Beom KIM ,  Changoh JEONG ,  Yangho BAE ,  Shigeki TOKUCHI ,  Ryoma TSUKUDA ,  Yoshinori MATSUURA ,  Takashi KUBOTA

发明人： Pil Sang YUN ,  Byeong-Beom KIM ,  Changoh JEONG ,  Yangho BAE ,  Shigeki TOKUCHI ,  Ryoma TSUKUDA ,  Yoshinori MATSUURA ,  Takashi KUBOTA

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/283 ,  C22C21/00 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01L29/458 ,  C22C21/00 ,  C23C14/16 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/4908

摘要： An Aluminum-Nickel alloy wiring material includes Aluminum, Nickel, Cerium, and Boron. A thin film transistor includes the Aluminum-Nickel alloy wiring material. A sputtering target comprises Aluminum, Nickel, Cerium and Boron. A method of manufacturing a thin film transistor substrate comprises disposing a thin film transistor on a substrate, wherein the thin film transistor includes a wiring circuit layer comprising Aluminum, Nickel, Cerium, and Boron. The Nickel, Cerium and Boron satisfy the following inequalities; 0.5≦X≦5.0, 0.01≦Y≦1.0, and 0.01≦Z≦1.0, respectively, wherein X represents an atomic percentage of Nickel content, Y represents an atomic percentage of Cerium content, and Z represents an atomic percentage of Boron content.

摘要翻译： 铝 - 镍合金布线材料包括铝，镍，铈和硼。 薄膜晶体管包括铝 - 镍合金布线材料。 溅射靶包括铝，镍，铈和硼。 制造薄膜晶体管基板的方法包括在基板上设置薄膜晶体管，其中薄膜晶体管包括包括铝，镍，铈和硼的布线电路层。 镍，铈和硼满足以下不平等： 其中X表示镍含量的原子百分数，Y表示铈含量的原子百分比，Z表示原子百分数，Z表示原子百分数，X表示原子百分数， 硼含量。

公开(公告)号：US20100155715A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12393521

申请日：2009-02-26

申请人： Pil-Sang YUN ,  Do-Hyun KIM ,  Byeong-Beom KIM ,  Bong-Kyun KIM

发明人： Pil-Sang YUN ,  Do-Hyun KIM ,  Byeong-Beom KIM ,  Bong-Kyun KIM

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/12 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78642

摘要： A display substrate according to the present invention comprises a gate line formed on a substrate. a data line, a thin film transistor connected to the gate line and the data line respectively and pixel electrode connected to the thin film transistor, wherein a channel of the thin film transistor is formed in a direction perpendicular to the substrate and, a layer where the channel is formed includes an oxide semiconductor pattern. ON current of thin film transistor of the display substrate can be increased without loss of aperture ratio.

摘要翻译： 根据本发明的显示基板包括形成在基板上的栅极线。 数据线，连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管以及与薄膜晶体管连接的像素电极，其中薄膜晶体管的沟道在垂直于衬底的方向上形成，层 沟道形成包括氧化物半导体图案。 可以在不损失开口率的情况下增加显示基板的薄膜晶体管的导通电流。

公开(公告)号：US20130306466A1

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：US13617741

申请日：2012-09-14

申请人： Hong Long NING ,  Byeong-Beom KIM ,  Joon Yong PARK ,  Chang Oh JEONG ,  Sang Won SHIN ,  Dong Min LEE ,  Xun Zhu

发明人： Hong Long NING ,  Byeong-Beom KIM ,  Joon Yong PARK ,  Chang Oh JEONG ,  Sang Won SHIN ,  Dong Min LEE ,  Xun Zhu

IPC分类号： C23C14/08

CPC分类号： C23C14/3407

摘要： A sputtering target includes a plurality of targets and edges of the targets overlap each other.

摘要翻译： 溅射靶包括多个靶，靶的边缘彼此重叠。

公开(公告)号：US20120286272A1

公开(公告)日：2012-11-15

申请号：US13487409

申请日：2012-06-04

申请人： Hong-Long NING ,  Byeong-Beom KIM ,  Chang-Oh JEONG ,  Sang-Won SHIN ,  Hyeong-Suk YOO ,  Xin-Xing LI ,  Joon-Yong PARK ,  Hyun-Ju KANG ,  Su-Kyoung YANG ,  Kyung-Seop KIM

发明人： Hong-Long NING ,  Byeong-Beom KIM ,  Chang-Oh JEONG ,  Sang-Won SHIN ,  Hyeong-Suk YOO ,  Xin-Xing LI ,  Joon-Yong PARK ,  Hyun-Ju KANG ,  Su-Kyoung YANG ,  Kyung-Seop KIM

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L33/08

CPC分类号： H01L29/78693 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： A thin film transistor includes a gate electrode on a substrate, a main active layer in electrical connection with the gate electrode and including an exposed channel portion, a source electrode in electrical connection with the main active layer, a drain electrode which is spaced apart from the source electrode and in electrical connection with the main active layer, and a sub active layer in electrical connection to the main active layer.

摘要翻译： 薄膜晶体管包括在基板上的栅电极，与栅电极电连接并包括暴露的沟道部分的主有源层，与主有源层电连接的源电极，与主有源层电连接的漏电极， 源电极并与主有源层电连接，以及与主活性层电连接的子有源层。

公开(公告)号：US20100044717A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12434942

申请日：2009-05-04

申请人： Seung-Ha CHOI ,  Ki-Yeup LEE ,  Sang-Gab KIM ,  Shin-Il CHOI ,  Dong-Ju YANG ,  Hong-Kee CHIN ,  Yu-Gwang JEONG ,  Ji-Young PARK ,  Dong-Hoon LEE ,  Byeong-Beom KIM

发明人： Seung-Ha CHOI ,  Ki-Yeup LEE ,  Sang-Gab KIM ,  Shin-Il CHOI ,  Dong-Ju YANG ,  Hong-Kee CHIN ,  Yu-Gwang JEONG ,  Ji-Young PARK ,  Dong-Hoon LEE ,  Byeong-Beom KIM

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/458 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908

摘要： After forming a signal line including aluminum, an upper layer of an oxide layer including aluminum that covers the signal line is formed in the same chamber and by using the same sputtering target as the signal line, or a buffer layer of an oxide layer including aluminum is formed in a contact hole exposing the signal line during the formation of the contact hole. Accordingly, the contact characteristic between an upper layer including indium tin oxide (“ITO”) or indium zinc oxide (“IZO”) and the signal line may be improved to enhance the adhesion therebetween while not increasing the production cost of the thin film transistor (“TFT”) array panel.

摘要翻译： 在形成包括铝的信号线之后，在相同的室中形成包含覆盖信号线的铝的氧化物层的上层，并且通过使用与信号线相同的溅射靶，或者包括铝的氧化物层的缓冲层 形成在接触孔形成期间暴露信号线的接触孔中。 因此，可以改善包括氧化铟锡（“ITO”）或氧化铟锌（“IZO”）的上层与信号线之间的接触特性，以增强其之间的粘附，同时不增加薄膜晶体管的生产成本 （“TFT”）阵列面板。