公开(公告)号：US08633481B2

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：US13819352

申请日：2011-08-26

申请人： Jun Nishimura ,  Yukinobu Nakata ,  Yoshihito Hara

发明人： Jun Nishimura ,  Yukinobu Nakata ,  Yoshihito Hara

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L27/04 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/82 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255

摘要： A semiconductor device (1000) includes a thin film transistor having a gate line (3a), source and drain lines (13as, 13ad), and an island-like oxide semiconductor layer (7), and a capacitor element (105) having a first electrode (3b) formed from the same conductive film as the gate line (3s), a second electrode (13b) formed from the same conductive film as the source line (13as), and a dielectric layer positioned between the first electrode and the second electrode. A gate insulating film (5) has a layered structure including a first insulating layer (5A) containing an oxide and a second insulating layer (5B) disposed on the side closer to the gate electrode closer than the first insulating film and having a higher dielectric constant than the first insulating film, the layered structure being in contact with the oxide semiconductor layer (7). The dielectric layer includes the second insulating film (5B) but does not include the first insulating film (5A). Accordingly, the deterioration of the oxide semiconductor layer due to oxygen deficiency can be suppressed without reducing the capacitance value of the capacitor element).

摘要翻译： 半导体器件（1000）包括具有栅极线（3a），源极和漏极线（13as，13ad）和岛状氧化物半导体层（7）的薄膜晶体管，以及电容器元件（105），其具有 由与栅极线（3s）相同的导电膜形成的第一电极（3b），由与源极线（13as）相同的导电膜形成的第二电极（13b）以及位于第一电极 第二电极。 栅极绝缘膜（5）具有层叠结构，该层叠结构具有包含氧化物的第一绝缘层（5A）和位于比第一绝缘膜更靠近栅电极的一侧的第二绝缘层（5B），并且具有较高的电介质 与第一绝缘膜恒定，层状结构与氧化物半导体层（7）接触。 电介质层包括第二绝缘膜（5B），但不包括第一绝缘膜（5A）。 因此，可以抑制氧缺陷导致的氧化物半导体层的劣化，而不会降低电容器元件的电容值）。

公开(公告)号：US20120229749A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13510740

申请日：2010-10-29

申请人： Jun Nishimura ,  Yoshihito Hara ,  Yukinobu Nakata

发明人： Jun Nishimura ,  Yoshihito Hara ,  Yukinobu Nakata

IPC分类号： G02F1/1333 ,  H01L33/08 ,  G02F1/1343

CPC分类号： G02F1/134309 ,  G02F1/13452 ,  G02F2001/133388

摘要： Disclosed is a liquid crystal display device having a transparent substrate that has a main surface including a pixel arrangement region and a peripheral region, a switching element that is formed in the pixel arrangement region, an interlayer insulating film that is formed on the main surface of the transparent substrate, a wiring line that is formed such that an end is exposed from the interlayer insulating film, and a transparent conductive film that is formed so as to reach the wiring line from the main surface of the transparent substrate. An anisotropic conductive film is disposed on an upper surface of the transparent conductive film that is located on the main surface of the transparent substrate.

摘要翻译： 公开了具有透明基板的液晶显示装置，该透明基板具有包括像素排列区域和周边区域的主表面，形成在像素排列区域中的开关元件，形成在像素排列区域的主表面上的层间绝缘膜 所述透明基板，形成为从所述层间绝缘膜露出端部的布线以及形成为从所述透明基板的主表面到达布线的透明导电膜。 各向异性导电膜设置在位于透明基板的主表面上的透明导电膜的上表面上。

公开(公告)号：US20130153904A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：US13819352

申请日：2011-08-26

申请人： Jun Nishimura ,  Yukinobu Nakata ,  Yoshihito Hara

发明人： Jun Nishimura ,  Yukinobu Nakata ,  Yoshihito Hara

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/04 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/82 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255

摘要： A semiconductor device (1000) includes a thin film transistor having a gate line (3a), source and drain lines (13as, 13ad), and an island-like oxide semiconductor layer (7), and a capacitor element (105) having a first electrode (3b) formed from the same conductive film as the gate line (3s), a second electrode (13b) formed from the same conductive film as the source line (13as), and a dielectric layer positioned between the first electrode and the second electrode. A gate insulating film (5) has a layered structure including a first insulating layer (5A) containing an oxide and a second insulating layer (5B) disposed on the side closer to the gate electrode closer than the first insulating film and having a higher dielectric constant than the first insulating film, the layered structure being in contact with the oxide semiconductor layer (7). The dielectric layer includes the second insulating film (5B) but does not include the first insulating film (5A). Accordingly, the deterioration of the oxide semiconductor layer due to oxygen deficiency can be suppressed without reducing the capacitance value of the capacitor element).

摘要翻译： 半导体器件（1000）包括具有栅极线（3a），源极和漏极线（13as，13ad）和岛状氧化物半导体层（7）的薄膜晶体管，以及电容器元件（105），其具有 由与栅极线（3s）相同的导电膜形成的第一电极（3b），由与源极线（13as）相同的导电膜形成的第二电极（13b）以及位于第一电极 第二电极。 栅极绝缘膜（5）具有层叠结构，该层叠结构具有包含氧化物的第一绝缘层（5A）和位于比第一绝缘膜更靠近栅电极的一侧的第二绝缘层（5B），并且具有较高的电介质 与第一绝缘膜恒定，层状结构与氧化物半导体层（7）接触。 电介质层包括第二绝缘膜（5B），但不包括第一绝缘膜（5A）。 因此，可以抑制氧缺陷导致的氧化物半导体层的劣化，而不会降低电容器元件的电容值）。

公开(公告)号：US09087752B2

公开(公告)日：2015-07-21

申请号：US13823872

申请日：2011-09-30

申请人： Yoshihito Hara ,  Yukinobu Nakata

发明人： Yoshihito Hara ,  Yukinobu Nakata

IPC分类号： H01L27/12 ,  G02F1/1345 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H05B33/02 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/32 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7869 ,  H05B33/02

摘要： A semiconductor device (100) according to the present invention includes a thin film transistor (10) having a gate electrode (62a), a first insulating layer (64), an oxide semiconductor layer (66a), a protection layer (68), a source electrode (72as), and a second insulating layer (74). A first connecting portion (30) includes a lower metal layer (72c), an upper metal layer (72c), and an insulating layer (74). A second connecting portion (40) includes a lower metal layer (72d) and an upper conductive layer (17d). A region in which the lower metal layer (72d) is in contact with the upper conductive layer (17d), and a region in which an insulating layer (74) made of a same material as the first insulating layer and a semiconductor layer (66d) made of a same material as the oxide semiconductor layer (66a) are stacked in between the lower metal layer (72d) and the upper conductive layer (17d), are formed in the second connecting portion (40). As a result, a semiconductor device with a higher performance can be provided with a high production efficiency.

摘要翻译： 根据本发明的半导体器件（100）包括具有栅电极（62a），第一绝缘层（64），氧化物半导体层（66a），保护层（68）， 源电极（72as）和第二绝缘层（74）。 第一连接部分（30）包括下金属层（72c），上金属层（72c）和绝缘层（74）。 第二连接部分（40）包括下金属层（72d）和上导电层（17d）。 下部金属层（72d）与上部导电层（17d）接触的区域和由与第一绝缘层相同的材料构成的绝缘层（74）的区域和半导体层（66d） ）形成在下金属层（72d）和上导电层（17d）之间的与氧化物半导体层（66a）相同的材料制成的第二连接部分（40）。 结果，可以提供具有高生产效率的具有更高性能的半导体器件。

公开(公告)号：US20140027769A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：US14110194

申请日：2012-04-02

申请人： Yoshihito Hara ,  Yukinobu Nakata

发明人： Yoshihito Hara ,  Yukinobu Nakata

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/1365 ,  G02F2202/22 ,  H01L29/7869

摘要： A semiconductor device (100) according to the present invention includes a diode element (10). The diode element (10) includes: a first electrode (3) made of the same electrically conductive film as a gate electrode of a thin film transistor; an oxide semiconductor layer (5); and a second electrode (6) and a third electrode (7) being made of the same electrically conductive film as a source electrode of the thin film transistor and being in contact with the oxide semiconductor layer (5). The oxide semiconductor layer (5) includes offset regions (19) respectively between the first electrode (3) and the second electrode (6) and between the first electrode (3) and the third electrode (7).

摘要翻译： 根据本发明的半导体器件（100）包括二极管元件（10）。 二极管元件（10）包括：由与薄膜晶体管的栅电极相同的导电膜制成的第一电极（3） 氧化物半导体层（5）; 以及第二电极（6）和第三电极（7），其由与薄膜晶体管的源电极相同的导电膜制成，并且与氧化物半导体层（5）接触。 氧化物半导体层（5）包括位于第一电极（3）和第二电极（6）之间以及第一电极（3）和第三电极（7）之间的偏移区域（19）。

公开(公告)号：US08629948B2

公开(公告)日：2014-01-14

申请号：US13884704

申请日：2012-01-24

申请人： Yoshihito Hara ,  Yukinobu Nakata

发明人： Yoshihito Hara ,  Yukinobu Nakata

IPC分类号： G02F1/1343 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1333

CPC分类号： H01L33/0095 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136259 ,  G02F2001/136268 ,  G02F2201/508 ,  H01L27/1255 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A liquid crystal display panel includes: a plurality of switching elements each provided on a transparent substrate (10) for each sub-pixel and having a drain electrode (14b); an interlayer insulating film (17) provided to cover the switching elements and including an inorganic insulating film (15) and an organic insulating film (16) sequentially layered; a capacitor electrode (18a) provided on the interlayer insulating film (17); a capacitor insulating film (19) provided to cover the capacitor electrode (18a); a plurality of pixel electrodes (20a) which are provided on the capacitor insulating film (19) and face the capacitor electrode (18a); and a connection region (R) at which the drain electrode (14b) and the capacitor electrode (18a) overlap each other via the inorganic insulating film (15) exposed from the organic insulating film (16).

摘要翻译： 液晶显示面板包括：多个开关元件，每个开关元件分别设置在每个子像素的透明基板上，并具有漏极电极; 设置成覆盖开关元件并且依次层叠有无机绝缘膜（15）和有机绝缘膜（16）的层间绝缘膜（17） 设置在层间绝缘膜（17）上的电容器电极（18a）; 设置为覆盖电容器电极（18a）的电容器绝缘膜（19）; 多个像素电极（20a），设置在所述电容绝缘膜（19）上并面对所述电容器电极（18a）; 以及通过从有机绝缘膜（16）露出的无机绝缘膜（15）使漏电极（14b）和电容电极（18a）重叠的连接区域（R）。

公开(公告)号：US20120319104A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13579286

申请日：2010-11-04

申请人： Yoshihito Hara ,  Yukinobu Nakata

发明人： Yoshihito Hara ,  Yukinobu Nakata

IPC分类号： H01L29/26 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78633

摘要： Provided is a method of producing a circuit board of which the aperture ratio is increased. The method of producing a circuit board of the present invention is a method of producing a circuit board that includes a thin film transistor, the thin film transistor including an oxide semiconductor layer, the method including steps of: forming the oxide semiconductor layer; and converting the oxide semiconductor layer into a conductive form.

摘要翻译： 提供一种制造开口率增加的电路板的方法。 本发明的制造电路板的方法是一种制造包括薄膜晶体管的电路板的方法，该薄膜晶体管包括氧化物半导体层，该方法包括以下步骤：形成氧化物半导体层; 并将氧化物半导体层转换为导电形式。

公开(公告)号：US20130235292A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：US13884704

申请日：2012-01-24

申请人： Yoshihito Hara ,  Yukinobu Nakata

发明人： Yoshihito Hara ,  Yukinobu Nakata

IPC分类号： H01L33/00 ,  G02F1/1343

CPC分类号： H01L33/0095 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136259 ,  G02F2001/136268 ,  G02F2201/508 ,  H01L27/1255 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A liquid crystal display panel includes: a plurality of switching elements each provided on a transparent substrate (10) for each sub-pixel and having a drain electrode (14b); an interlayer insulating film (17) provided to cover the switching elements and including an inorganic insulating film (15) and an organic insulating film (16) sequentially layered; a capacitor electrode (18a) provided on the interlayer insulating film (17); a capacitor insulating film (19) provided to cover the capacitor electrode (18a); a plurality of pixel electrodes (20a) which are provided on the capacitor insulating film (19) and face the capacitor electrode (18a); and a connection region (R) at which the drain electrode (14b) and the capacitor electrode (18a) overlap each other via the inorganic insulating film (15) exposed from the organic insulating film (16).

摘要翻译： 液晶显示面板包括：多个开关元件，每个开关元件分别设置在每个子像素的透明基板上，并具有漏极电极; 设置成覆盖开关元件并且依次层叠有无机绝缘膜（15）和有机绝缘膜（16）的层间绝缘膜（17） 设置在层间绝缘膜（17）上的电容器电极（18a）; 设置为覆盖电容器电极（18a）的电容器绝缘膜（19）; 多个像素电极（20a），设置在所述电容绝缘膜（19）上并面对所述电容器电极（18a）; 以及通过从有机绝缘膜（16）露出的无机绝缘膜（15）使漏电极（14b）和电容电极（18a）重叠的连接区域（R）。

公开(公告)号：US08829517B2

公开(公告)日：2014-09-09

申请号：US13810944

申请日：2011-07-14

申请人： Yoshihito Hara ,  Yukinobu Nakata

发明人： Yoshihito Hara ,  Yukinobu Nakata

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/32 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/78693 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/66969

摘要： A TFT substrate (20a) includes: an insulating substrate (10a); a plurality of source terminals (15) located on the insulating substrate (10a); and a first terminal cover (24) covering part of each of the source terminals (15) and made of an oxide semiconductor. The first terminal cover (24) is removed in a region R between adjacent ones of the source terminals (15).

摘要翻译： TFT基板（20a）包括：绝缘基板（10a）; 位于绝缘基板（10a）上的多个源极端子（15）; 以及覆盖每个源极端子（15）的一部分并由氧化物半导体制成的第一端子盖（24）。 在相邻的源极端子（15）之间的区域R中去除第一端子盖（24）。

公开(公告)号：US20130302929A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：US13979302

申请日：2012-01-25

申请人： Yoshihito Hara ,  Yukinobu Nakata

发明人： Yoshihito Hara ,  Yukinobu Nakata

IPC分类号： H01L33/08

CPC分类号： H01L33/08 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1345 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2201/501

摘要： In a display region of an active matrix substrate, an interlayer insulating film made of a photosensitive organic insulating film, an insulating film different from the interlayer insulating film, and a plurality of pixel electrodes formed on a surface of the interlayer insulating film are provided. In a non-display region of the active matrix substrate, a lead line extended from the display region is formed. In a formation region for a sealing member, the interlayer insulating film is removed, the insulating film is provided to cover part of the lead line, and the sealing member is formed directly on a surface of the insulating film.

摘要翻译： 在有源矩阵基板的显示区域中，设置由感光性有机绝缘膜构成的层间绝缘膜，与层间绝缘膜不同的绝缘膜，以及形成在层间绝缘膜的表面上的多个像素电极。 在有源矩阵基板的非显示区域中，形成从显示区域延伸的引线。 在密封构件的形成区域中，除去层间绝缘膜，设置绝缘膜以覆盖引线的一部分，并且密封构件直接形成在绝缘膜的表面上。