公开(公告)号：US08853441B2

公开(公告)日：2014-10-07

申请号：US13557893

申请日：2012-07-25

申请人： Jung Hoon Oh ,  Dae Kyung Yoon ,  Seung Duk Cho ,  So Jeong Park

发明人： Jung Hoon Oh ,  Dae Kyung Yoon ,  Seung Duk Cho ,  So Jeong Park

IPC分类号： C07C69/013 ,  C07C69/017 ,  C07C309/02 ,  C07C309/39 ,  C07C309/44 ,  C07C381/12 ,  G03F7/00 ,  C07C309/12 ,  G03F7/004 ,  C07D333/46 ,  C07C309/06 ,  C07D307/64 ,  G03C1/00 ,  G03F7/039

CPC分类号： C07C309/06 ,  C07C309/02 ,  C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  C07C2602/42 ,  C07C2603/74 ,  C07D307/64 ,  C07D333/46 ,  G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397

摘要： A sulfonium compound represented by the following formula (1), a photoacid generator containing the sulfonium compound, and a resist composition containing the photoacid generator are provided: wherein X represents an electron donor group; R1 and R2 each independently represent an alkyl group or the like; R4 to R6 each independently represent an alkyl group, or the like; R3 represents a cyclic alkenediyl group or the like; and −A represents an anion. The sulfonium compound has a photon yield that is controllable by introducing different absorbers to the cation region in one molecule, can address the inconvenience of using a mixture of different photoacid generators when the sulfonium compound is applied as a photoacid generator, has excellent miscibility in a resist, and has enhanced resolution and line edge roughness.

摘要翻译： 提供由下式（1）表示的锍化合物，含有锍化合物的光酸产生剂和含有光酸产生剂的抗蚀剂组合物，其中X表示电子给体基团; R1和R2各自独立地表示烷基等; R4至R6各自独立地表示烷基等; R3表示环状亚烯基等; -A表示阴离子。 锍化合物具有通过在一个分子中向阳离子区域引入不同吸收剂可控制的光子产率，可以解决当将锍化合物用作光致酸发生剂时使用不同光酸产生剂的混合物的不便之处，在 抗蚀，并具有增强的分辨率和线边缘粗糙度。

公开(公告)号：US20130035503A1

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：US13557893

申请日：2012-07-25

申请人： Jung Hoon OH ,  Dae Kyung Yoon ,  Seung Duk Cho ,  So Jeong Park

发明人： Jung Hoon OH ,  Dae Kyung Yoon ,  Seung Duk Cho ,  So Jeong Park

IPC分类号： C07C309/06

CPC分类号： C07C309/06 ,  C07C309/02 ,  C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  C07C2602/42 ,  C07C2603/74 ,  C07D307/64 ,  C07D333/46 ,  G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397

摘要： A sulfonium compound represented by the following formula (1), a photoacid generator containing the sulfonium compound, and a resist composition containing the photoacid generator are provided: wherein X represents an electron donor group; R1 and R2 each independently represent an alkyl group or the like; R4 to R6 each independently represent an alkyl group, or the like; R3 represents a cyclic alkenediyl group or the like; and −A represents an anion. The sulfonium compound has a photon yield that is controllable by introducing different absorbers to the cation region in one molecule, can address the inconvenience of using a mixture of different photoacid generators when the sulfonium compound is applied as a photoacid generator, has excellent miscibility in a resist, and has enhanced resolution and line edge roughness.

摘要翻译： 提供由下式（1）表示的锍化合物，含有锍化合物的光酸产生剂和含有光致酸发生剂的抗蚀剂组合物，其中X表示电子给体基团; R1和R2各自独立地表示烷基等; R4至R6各自独立地表示烷基等; R3表示环状亚烯基等; -A表示阴离子。 锍化合物具有通过在一个分子中向阳离子区域引入不同吸收剂可控制的光子产率，可以解决当将锍化合物用作光致酸发生剂时使用不同光酸产生剂的混合物的不便之处，在 抗蚀，并具有增强的分辨率和线边缘粗糙度。

公开(公告)号：US08889901B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US13367762

申请日：2012-02-07

申请人： Jung Hoon Oh ,  Dae Kyung Yoon ,  Yong Hwa Hong ,  Seung Duk Cho

发明人： Jung Hoon Oh ,  Dae Kyung Yoon ,  Yong Hwa Hong ,  Seung Duk Cho

IPC分类号： C07C309/10 ,  G03F7/00 ,  C07C381/12 ,  G03F7/039 ,  G03F7/004

CPC分类号： C07C309/10 ,  C07C381/12 ,  C07C2601/08 ,  C07C2601/14 ,  C07C2602/42 ,  C07C2603/74 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397

摘要： A photoacid generator represented by the following formula (1), a method for producing the photoacid generator, and a resist composition containing the photoacid generator are provided. wherein in the formula (1), Y, X, R1, R2, n1, n2 and A+ have the same meanings as defined in the detailed description of the invention. The photoacid generator can maintain an appropriate contact angle at the time of ArF liquid immersion lithography, can reduce defects occurring during liquid immersion lithography, and has excellent solubility in resist solvents and excellent compatibility with resins. Furthermore, the photoacid generator can be produced by an efficient and simple method using an epoxy compound that is industrially easily available.

摘要翻译： 提供由下式（1）表示的光致酸发生剂，光酸产生剂的制造方法和含有光酸产生剂的抗蚀剂组合物。 其中，在式（1）中，Y，X，R1，R2，n1，n2和A +具有与本发明的详细说明中所定义的相同的含义。 光致酸发生器可以在ArF液浸光刻时保持适当的接触角，可以减少液浸光刻过程中发生的缺陷，并且在抗蚀剂溶剂中具有优异的溶解性和与树脂的相容性优异。 此外，光致酸产生剂可以通过使用工业上容易获得的环氧化合物的有效且简单的方法制备。

公开(公告)号：US20120203030A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13367762

申请日：2012-02-07

申请人： Jung Hoon OH ,  Dae Kyung Yoon ,  Yong Hwa Hong ,  Seung Duk Cho

发明人： Jung Hoon OH ,  Dae Kyung Yoon ,  Yong Hwa Hong ,  Seung Duk Cho

IPC分类号： C07C309/19 ,  C07C309/10 ,  C07C303/22 ,  C07C309/24

CPC分类号： C07C309/10 ,  C07C381/12 ,  C07C2601/08 ,  C07C2601/14 ,  C07C2602/42 ,  C07C2603/74 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397

摘要： A photoacid generator represented by the following formula (1), a method for producing the photoacid generator, and a resist composition containing the photoacid generator are provided. wherein in the formula (1), Y, X, R1, R2, n1, n2 and A+ have the same meanings as defined in the detailed description of the invention. The photoacid generator can maintain an appropriate contact angle at the time of ArF liquid immersion lithography, can reduce defects occurring during liquid immersion lithography, and has excellent solubility in resist solvents and excellent compatibility with resins. Furthermore, the photoacid generator can be produced by an efficient and simple method using an epoxy compound that is industrially easily available.

摘要翻译： 提供由下式（1）表示的光致酸发生剂，光酸产生剂的制造方法和含有光酸产生剂的抗蚀剂组合物。 其中，在式（1）中，Y，X，R1，R2，n1，n2和A +具有与本发明的详细说明中所定义的相同的含义。 光致酸发生器可以在ArF液浸光刻时保持适当的接触角，可以减少液浸光刻过程中发生的缺陷，并且在抗蚀剂溶剂中具有优异的溶解性和与树脂的相容性优异。 此外，光致酸产生剂可以通过使用工业上容易获得的环氧化合物的有效且简单的方法制备。

公开(公告)号：US08865919B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US13341102

申请日：2011-12-30

申请人： Hyun Sang Joo ,  Dong Chul Seo ,  Dae Kyung Yoon ,  Dae Hyeon Shin

发明人： Hyun Sang Joo ,  Dong Chul Seo ,  Dae Kyung Yoon ,  Dae Hyeon Shin

IPC分类号： C07D333/48 ,  G03F7/004 ,  C07C309/06 ,  C07C309/12 ,  C07D333/46 ,  C07D307/64 ,  C07C381/12 ,  G03F7/039

CPC分类号： C07D307/64 ,  C07C309/06 ,  C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  C07C2603/74 ,  C07D333/46 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397

摘要： A sulfonium compound represented by formula (1), a photo-acid generator, and a method for producing a sulfonium compound are provided: wherein X represents an electron-donating group; R1 and R2 each represent an alkyl group, a cycloalkyl group, or the like; R3 and R4 each represent an arylene group or a heteroarylene group; R5 and R6 each represent an alkyl group, a cycloalkyl group, or the like; and A− and B− are anions that are different from each other. The sulfonium compound, when used as a photo-acid generator, can produce a uniform and excellent resist pattern.

摘要翻译： 提供由式（1）表示的锍化合物，光酸产生剂和锍化合物的制备方法：其中X表示给电子基团; R1和R2各自表示烷基，环烷基等; R 3和R 4各自表示亚芳基或亚杂芳基; R5和R6各自表示烷基，环烷基等; 而A-和B-是彼此不同的阴离子。 当锍化合物用作光酸产生剂时，可以产生均匀且优异的抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US20120172606A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US13341102

申请日：2011-12-30

申请人： Hyun Sang JOO ,  Dong Chul Seo ,  Dae Kyung Yoon ,  Dae Hyeon Shin

发明人： Hyun Sang JOO ,  Dong Chul Seo ,  Dae Kyung Yoon ,  Dae Hyeon Shin

IPC分类号： C07C309/06 ,  C07D407/12 ,  C07D333/48 ,  C07C309/19

CPC分类号： C07D307/64 ,  C07C309/06 ,  C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  C07C2603/74 ,  C07D333/46 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397

摘要： A sulfonium compound represented by formula (1), a photo-acid generator, and a method for producing a sulfonium compound are provided: wherein X represents an electron-donating group; R1 and R2 each represent an alkyl group, a cycloalkyl group, or the like; R3 and R4 each represent an arylene group or a heteroarylene group; R5 and R6 each represent an alkyl group, a cycloalkyl group, or the like; and A− and B− are anions that are different from each other. The sulfonium compound, when used as a photo-acid generator, can produce a uniform and excellent resist pattern.

摘要翻译： 提供由式（1）表示的锍化合物，光酸产生剂和锍化合物的制备方法：其中X表示给电子基团; R1和R2各自表示烷基，环烷基等; R 3和R 4各自表示亚芳基或亚杂芳基; R5和R6各自表示烷基，环烷基等; 而A-和B-是彼此不同的阴离子。 当锍化合物用作光酸产生剂时，可以产生均匀且优异的抗蚀剂图案。