公开(公告)号：US08865919B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US13341102

申请日：2011-12-30

申请人： Hyun Sang Joo ,  Dong Chul Seo ,  Dae Kyung Yoon ,  Dae Hyeon Shin

发明人： Hyun Sang Joo ,  Dong Chul Seo ,  Dae Kyung Yoon ,  Dae Hyeon Shin

IPC分类号： C07D333/48 ,  G03F7/004 ,  C07C309/06 ,  C07C309/12 ,  C07D333/46 ,  C07D307/64 ,  C07C381/12 ,  G03F7/039

CPC分类号： C07D307/64 ,  C07C309/06 ,  C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  C07C2603/74 ,  C07D333/46 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397

摘要： A sulfonium compound represented by formula (1), a photo-acid generator, and a method for producing a sulfonium compound are provided: wherein X represents an electron-donating group; R1 and R2 each represent an alkyl group, a cycloalkyl group, or the like; R3 and R4 each represent an arylene group or a heteroarylene group; R5 and R6 each represent an alkyl group, a cycloalkyl group, or the like; and A− and B− are anions that are different from each other. The sulfonium compound, when used as a photo-acid generator, can produce a uniform and excellent resist pattern.

摘要翻译： 提供由式（1）表示的锍化合物，光酸产生剂和锍化合物的制备方法：其中X表示给电子基团; R1和R2各自表示烷基，环烷基等; R 3和R 4各自表示亚芳基或亚杂芳基; R5和R6各自表示烷基，环烷基等; 而A-和B-是彼此不同的阴离子。 当锍化合物用作光酸产生剂时，可以产生均匀且优异的抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US20120172606A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US13341102

申请日：2011-12-30

申请人： Hyun Sang JOO ,  Dong Chul Seo ,  Dae Kyung Yoon ,  Dae Hyeon Shin

发明人： Hyun Sang JOO ,  Dong Chul Seo ,  Dae Kyung Yoon ,  Dae Hyeon Shin

IPC分类号： C07C309/06 ,  C07D407/12 ,  C07D333/48 ,  C07C309/19

CPC分类号： C07D307/64 ,  C07C309/06 ,  C07C309/12 ,  C07C381/12 ,  C07C2603/74 ,  C07D333/46 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397

摘要： A sulfonium compound represented by formula (1), a photo-acid generator, and a method for producing a sulfonium compound are provided: wherein X represents an electron-donating group; R1 and R2 each represent an alkyl group, a cycloalkyl group, or the like; R3 and R4 each represent an arylene group or a heteroarylene group; R5 and R6 each represent an alkyl group, a cycloalkyl group, or the like; and A− and B− are anions that are different from each other. The sulfonium compound, when used as a photo-acid generator, can produce a uniform and excellent resist pattern.

摘要翻译： 提供由式（1）表示的锍化合物，光酸产生剂和锍化合物的制备方法：其中X表示给电子基团; R1和R2各自表示烷基，环烷基等; R 3和R 4各自表示亚芳基或亚杂芳基; R5和R6各自表示烷基，环烷基等; 而A-和B-是彼此不同的阴离子。 当锍化合物用作光酸产生剂时，可以产生均匀且优异的抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US08617789B2

公开(公告)日：2013-12-31

申请号：US13367896

申请日：2012-02-07

申请人： Jung Hoon Oh ,  Jin Bong Shin ,  Tae Gon Kim ,  Dong Chul Seo

发明人： Jung Hoon Oh ,  Jin Bong Shin ,  Tae Gon Kim ,  Dong Chul Seo

IPC分类号： C07C69/76 ,  G03F7/004

CPC分类号： C07C309/10 ,  C07C381/12 ,  C07C2601/14 ,  C07C2602/42 ,  C07C2603/74 ,  C07D307/33 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

摘要： A photoacid generator represented by the following formula (1), a method for producing the photoacid generator, and a resist composition containing the photoacid generator are provided. wherein in the formula (1), Y1, Y2, X, R1, R2, n1, n2 and A+ have the same meanings as defined in the detailed description of the invention. The photoacid generator can maintain an appropriate contact angle at the time of ArF liquid immersion lithography, can reduce defects occurring during liquid immersion lithography, and has excellent solubility in resist solvents and excellent compatibility with resins. Furthermore, the photoacid generator can be produced by an efficient and simple method using an epoxy compound that is industrially easily available.

摘要翻译： 提供由下式（1）表示的光致酸发生剂，光酸产生剂的制造方法和含有光酸产生剂的抗蚀剂组合物。 其中，在式（1）中，Y1，Y2，X，R1，R2，n1，n2和A +具有与本发明的详细说明中所定义的相同的含义。 光致酸发生器可以在ArF液浸光刻时保持适当的接触角，可以减少液浸光刻过程中发生的缺陷，并且在抗蚀剂溶剂中具有优异的溶解性和与树脂的相容性优异。 此外，光致酸产生剂可以通过使用工业上容易获得的环氧化合物的有效且简单的方法制备。

公开(公告)号：US20120203024A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：US13367896

申请日：2012-02-07

申请人： Jung Hoon OH ,  Jin Bong Shin ,  Tae Gon Kim ,  Dong Chul Seo

发明人： Jung Hoon OH ,  Jin Bong Shin ,  Tae Gon Kim ,  Dong Chul Seo

IPC分类号： C07C69/753 ,  C07C69/78 ,  C07C69/76 ,  C07C67/14

CPC分类号： C07C309/10 ,  C07C381/12 ,  C07C2601/14 ,  C07C2602/42 ,  C07C2603/74 ,  C07D307/33 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/2041

摘要： A photoacid generator represented by the following formula (1), a method for producing the photoacid generator, and a resist composition containing the photoacid generator are provided. wherein in the formula (1), Y1, Y2, X, R1, R2, n1, n2 and A+ have the same meanings as defined in the detailed description of the invention. The photoacid generator can maintain an appropriate contact angle at the time of ArF liquid immersion lithography, can reduce defects occurring during liquid immersion lithography, and has excellent solubility in resist solvents and excellent compatibility with resins. Furthermore, the photoacid generator can be produced by an efficient and simple method using an epoxy compound that is industrially easily available.

摘要翻译： 提供由下式（1）表示的光致酸发生剂，光酸产生剂的制造方法和含有光酸产生剂的抗蚀剂组合物。 其中，在式（1）中，Y1，Y2，X，R1，R2，n1，n2和A +具有与本发明的详细说明中所定义的相同的含义。 光致酸发生器可以在ArF液浸光刻时保持适当的接触角，可以减少液浸光刻过程中发生的缺陷，并且在抗蚀剂溶剂中具有优异的溶解性和与树脂的相容性优异。 此外，光致酸产生剂可以通过使用工业上容易获得的环氧化合物的有效且简单的方法制备。

公开(公告)号：US06358666B1

公开(公告)日：2002-03-19

申请号：US09616859

申请日：2000-07-14

申请人： Dong Chul Seo ,  Sun Yi Park ,  Joo Hyeon Park ,  Seong Ju Kim

发明人： Dong Chul Seo ,  Sun Yi Park ,  Joo Hyeon Park ,  Seong Ju Kim

IPC分类号： G03F7004

CPC分类号： G03F7/004 ,  C08F232/08 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/039 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/122

摘要： This invention relates to a chemically amplified positive photoresist composition comprising a multi copolymer copolymer whose repeating units is represented by the following formula I, a low molecular additive represented by the following formula 2 or 3, an acid generator and a solvent wherein the repeating units comprising X and Y are independent monomers, respectively, selected from the group consisting of the following formulae (II), (III) and (IV):

摘要翻译： 本发明涉及一种化学放大型正性光致抗蚀剂组合物，其包含多重共聚物共聚物，其重复单元由下式I表示，低分子量添加剂由下式2或3表示，酸产生剂和溶剂，其中重复单元包含X 和Y分别为选自下式（II），（III）和（IV）的独立单体：