公开(公告)号：US20120072811A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13035194

申请日：2011-02-25

申请人： Kazuhiro FUKUTOMI ,  Hiroshi Yao ,  Shinichi Kanno ,  Shigehiro Asano ,  Toshikatsu Hida ,  Yasuhiro Kimura

发明人： Kazuhiro FUKUTOMI ,  Hiroshi Yao ,  Shinichi Kanno ,  Shigehiro Asano ,  Toshikatsu Hida ,  Yasuhiro Kimura

IPC分类号： H03M13/09 ,  G06F11/10

CPC分类号： G06F11/108 ,  G06F2211/1059 ,  G06F2211/1073 ,  G06F2211/1092

摘要： According to one embodiment, a controller controls writing into and reading from a storage apparatus that includes a first data-storage unit and a second data-storage unit. The second data-storage unit stores user data and parity data of the user data. The first data-storage unit stores the parity data. The controller includes a parity updating unit and a parity writing unit. When parity data is updated, the parity updating unit writes the updated parity data into the first data-storage unit. When a certain requirement is satisfied, the parity writing unit reads the parity data written in the first data-storage unit, and writes the parity data thus read into the second data-storage unit.

摘要翻译： 根据一个实施例，控制器控制对包括第一数据存储单元和第二数据存储单元的存储装置的写入和读取。 第二数据存储单元存储用户数据和用户数据的奇偶校验数据。 第一数据存储单元存储奇偶校验数据。 控制器包括奇偶校验更新单元和奇偶校验写入单元。 当更新奇偶校验数据时，奇偶校验更新单元将更新的奇偶校验数据写入第一数据存储单元。 当满足特定要求时，奇偶写入单元读取写入第一数据存储单元中的奇偶校验数据，并将读出的奇偶校验数据写入第二数据存储单元。

公开(公告)号：US08549388B2

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：US13035194

申请日：2011-02-25

申请人： Kazuhiro Fukutomi ,  Hiroshi Yao ,  Shinichi Kanno ,  Shigehiro Asano ,  Toshikatsu Hida ,  Yasuhiro Kimura

发明人： Kazuhiro Fukutomi ,  Hiroshi Yao ,  Shinichi Kanno ,  Shigehiro Asano ,  Toshikatsu Hida ,  Yasuhiro Kimura

IPC分类号： H03M13/00

CPC分类号： G06F11/108 ,  G06F2211/1059 ,  G06F2211/1073 ,  G06F2211/1092

摘要： According to one embodiment, a controller controls writing into and reading from a storage apparatus that includes a first data-storage unit and a second data-storage unit. The second data-storage unit stores user data and parity data of the user data. The first data-storage unit stores the parity data. The controller includes a parity updating unit and a parity writing unit. When parity data is updated, the parity updating unit writes the updated parity data into the first data-storage unit. When a certain requirement is satisfied, the parity writing unit reads the parity data written in the first data-storage unit, and writes the parity data thus read into the second data-storage unit.

摘要翻译： 根据一个实施例，控制器控制对包括第一数据存储单元和第二数据存储单元的存储装置的写入和读取。 第二数据存储单元存储用户数据和用户数据的奇偶校验数据。 第一数据存储单元存储奇偶校验数据。 控制器包括奇偶校验更新单元和奇偶校验写入单元。 当更新奇偶校验数据时，奇偶校验更新单元将更新的奇偶校验数据写入第一数据存储单元。 当满足特定要求时，奇偶写入单元读取写入第一数据存储单元中的奇偶校验数据，并将读出的奇偶校验数据写入第二数据存储单元。

公开(公告)号：US20120030528A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13270788

申请日：2011-10-11

申请人： Toshikatsu HIDA ,  Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano ,  Junji Yano

发明人： Toshikatsu HIDA ,  Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano ,  Junji Yano

IPC分类号： G06F12/16 ,  G06F11/36

CPC分类号： G06F11/1412 ,  G06F11/1068 ,  G06F11/1402 ,  G06F12/02 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3431

摘要： As a semiconductor storage device that can efficiently perform a refresh operation, provided is a semiconductor storage device comprising a non-volatile semiconductor memory storing data in blocks, the block being a unit of data erasing, and a controlling unit monitoring an error count of data stored in a monitored block selected from the blocks and refreshing data in the monitored block in which the error count is equal to or larger than a threshold value.

摘要翻译： 作为可以有效地执行刷新操作的半导体存储装置，提供了一种半导体存储装置，其包括以块为单位存储数据的非易失性半导体存储器，该块是数据擦除单元，以及监视数据的错误计数的控制单元 存储在从所述块中选择的监视块和所述监视块中的刷新数据中，其中所述错误计数等于或大于阈值。

公开(公告)号：US20100313084A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12529282

申请日：2008-09-22

申请人： Toshikatsu Hida ,  Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano ,  Junji Yano

发明人： Toshikatsu Hida ,  Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano ,  Junji Yano

IPC分类号： G06F11/07 ,  G06F11/00

CPC分类号： G06F11/1412 ,  G06F11/1068 ,  G06F11/1402 ,  G06F12/02 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3431

摘要： As a semiconductor storage device that can efficiently perform a refresh operation, provided is a semiconductor storage device comprising a non-volatile semiconductor memory storing data in blocks, the block being a unit of data erasing, and a controlling unit monitoring an error count of data stored in a monitored block selected from the blocks and refreshing data in the monitored block in which the error count is equal to or larger than a threshold value.

摘要翻译： 作为可以有效地执行刷新操作的半导体存储装置，提供了一种半导体存储装置，其包括以块为单位存储数据的非易失性半导体存储器，该块是数据擦除单元，以及监视数据的错误计数的控制单元 存储在从所述块中选择的监视块和所述监视块中的刷新数据中，其中所述错误计数等于或大于阈值。

公开(公告)号：US20100037012A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12552461

申请日：2009-09-02

申请人： Hirokuni Yano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

发明人： Hirokuni Yano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： G06F3/0604 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0685 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0804 ,  G06F12/0866 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7209 ,  G11C11/5628

摘要： A semiconductor storage device includes a first memory area configured in a volatile semiconductor memory, second, third and fourth memory areas configured in a nonvolatile semiconductor memory, and a controller which executes following processing. The controller executes a first processing for storing a plurality of data by the first unit in the first memory area, a second processing for storing data by a first management unit in the fourth memory area, a third processing for storing data by a second management unit in the third memory area, a fourth processing for moving an area of the third unit from the fourth memory area to the second memory area, a fifth processing for copying data to an area of the third unit and allocating the area to the second memory area, and a sixth processing for copying data to an empty area of the third unit in the second memory area.

摘要翻译： 半导体存储装置包括配置在非易失性半导体存储器中的易失性半导体存储器，第二，第三和第四存储区域中的第一存储区域和执行以下处理的控制器。 控制器执行第一处理，用于将第一单元存储在第一存储区域中的多个数据，第二处理，用于由第一管理单元存储在第四存储区域中的数据;第三处理，用于由第二管理单元存储数据 在第三存储区域中，用于将第三单元的区域从第四存储区域移动到第二存储区域的第四处理，用于将数据复制到第三单元的区域并将区域分配给第二存储区域的第五处理 以及用于将数据复制到第二存储区域中的第三单元的空白区域的第六处理。

公开(公告)号：US08065470B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12552330

申请日：2009-09-02

申请人： Hirokuni Yano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

发明人： Hirokuni Yano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F3/0604 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0685 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0804 ,  G06F12/0866 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7209 ,  G11C11/5628

摘要： A semiconductor storage device includes a first memory area configured in a volatile semiconductor memory, second and third memory areas configured in a nonvolatile semiconductor memory, and a controller which executes following processing. The controller executes a first processing for storing a plurality of data by the first unit in the first memory area, a second processing for storing data outputted from the first memory area by a first management unit in the second memory area, and a third processing for storing data outputted from the first memory area by a second management unit in the third memory area.

摘要翻译： 半导体存储装置包括配置在易失性半导体存储器中的第一存储区域，配置在非易失性半导体存储器中的第二和第三存储区域，以及执行以下处理的控制器。 控制器执行第一处理，用于通过第一存储区中的第一单元存储多个数据;第二处理，用于存储由第二存储区中的第一管理单元从第一存储区输出的数据;以及第三处理， 通过第二管理单元将从第一存储区域输出的数据存储在第三存储区域中。

公开(公告)号：US20110185107A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：US12529227

申请日：2009-02-10

申请人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda ,  Shigehiro Asano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida

发明人： Junji Yano ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kosuke Hatsuda ,  Shigehiro Asano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F11/1451 ,  G06F11/1471 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/06 ,  G06F2212/7207 ,  G11C7/20 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/105

摘要： A memory system includes a volatile first storing unit, a nonvolatile second storing unit, and a controller. The controller performs data transfer, stores management information including a storage position of the data stored in the second storing unit into the first storing unit, and performs data management while updating the management information. The second storing unit has a management information storage area for storing management information storage information including management information in a latest state and a storage position of the management information. The storage position information is read by the controller during a startup operation of the memory system and includes a second pointer indicating a storage position of management information in a latest state in the management information storage area and a first pointer indicating a storage position of the second pointer. The first pointer is stored in a fixed area in the second storing unit and the second pointer is stored in an area excluding the fixed area in the second storing unit.

摘要翻译： 存储系统包括易失性第一存储单元，非易失性第二存储单元和控制器。 控制器执行数据传送，将存储在第二存储单元中的数据的存储位置的管理信息存储到第一存储单元中，并且在更新管理信息的同时执行数据管理。 第二存储单元具有用于存储管理信息存储信息的管理信息存储区域，该管理信息存储信息包括最新状态的管理信息和管理信息的存储位置。 存储位置信息在存储器系统的启动操作期间由控制器读取，并且包括指示管理信息存储区域中处于最新状态的管理信息的存储位置的第二指针和指示第二存储器的存储位置的第一指针 指针。 第一指针存储在第二存储单元中的固定区域中，并且第二指针存储在除了第二存储单元中的固定区域之外的区域中。

公开(公告)号：US08583972B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US13486718

申请日：2012-06-01

申请人： Toshikatsu Hida ,  Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano ,  Junji Yano

发明人： Toshikatsu Hida ,  Shinichi Kanno ,  Hirokuni Yano ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano ,  Junji Yano

IPC分类号： G11C29/00

CPC分类号： G06F11/1412 ,  G06F11/1068 ,  G06F11/1402 ,  G06F12/02 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3431

摘要： A method of controlling a nonvolatile semiconductor memory including a plurality of blocks, each one of the plurality of blocks being a unit of data erasing, includes determining a monitored block as a candidate for refresh operation from among the plurality of blocks based on a predetermined condition. The method includes monitoring an error count of data stored in the monitored block and not monitoring an error count of data stored in blocks excluding the monitored block among the plurality of blocks. The method also includes performing the refresh operation on data stored in the monitored block in which the error count is larger than a first threshold value.

摘要翻译： 一种控制包括多个块的非易失性半导体存储器的方法，所述多个块中的每一个是数据擦除单元，包括：基于预定条件，将所监视的块作为所述多个块中的刷新操作的候补确定 。 该方法包括监视存储在所监视的块中的数据的错误计数，并且不监视存储在多个块中的被监视块之外的块中存储的数据的错误计数。 该方法还包括对存储在监视块中的数据执行刷新操作，其中错误计数大于第一阈值。

公开(公告)号：US20120311245A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13571034

申请日：2012-08-09

申请人： Hirokuni YANO ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

发明人： Hirokuni YANO ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

IPC分类号： G06F12/02

CPC分类号： G06F3/0604 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0685 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0804 ,  G06F12/0866 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7209 ,  G11C11/5628

摘要： A semiconductor storage device includes a first memory area configured in a volatile semiconductor memory, second and third memory areas configured in a nonvolatile semiconductor memory, and a controller which executes following processing. The controller executes a first processing for storing a plurality of data by the first unit in the first memory area, a second processing for storing data outputted from the first memory area by a first management unit in the second memory area, and a third processing for storing data outputted from the first memory area by a second management unit in the third memory area.

摘要翻译： 半导体存储装置包括配置在易失性半导体存储器中的第一存储区域，配置在非易失性半导体存储器中的第二和第三存储区域，以及执行以下处理的控制器。 控制器执行第一处理，用于通过第一存储区中的第一单元存储多个数据;第二处理，用于存储由第二存储区中的第一管理单元从第一存储区输出的数据;以及第三处理， 通过第二管理单元将从第一存储区域输出的数据存储在第三存储区域中。

公开(公告)号：US07953920B2

公开(公告)日：2011-05-31

申请号：US12552461

申请日：2009-09-02

申请人： Hirokuni Yano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

发明人： Hirokuni Yano ,  Shinichi Kanno ,  Toshikatsu Hida ,  Hidenori Matsuzaki ,  Kazuya Kitsunai ,  Shigehiro Asano

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G06F3/0604 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/0631 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0679 ,  G06F3/0685 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0804 ,  G06F12/0866 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7202 ,  G06F2212/7203 ,  G06F2212/7209 ,  G11C11/5628

摘要： A semiconductor storage device includes a first memory area configured in a volatile semiconductor memory, second, third and fourth memory areas configured in a nonvolatile semiconductor memory, and a controller which executes following processing. The controller executes a first processing for storing a plurality of data by the first unit in the first memory area, a second processing for storing data by a first management unit in the fourth memory area, a third processing for storing data by a second management unit in the third memory area, a fourth processing for moving an area of the third unit from the fourth memory area to the second memory area, a fifth processing for copying data to an area of the third unit and allocating the area to the second memory area, and a sixth processing for copying data to an empty area of the third unit in the second memory area.

摘要翻译： 半导体存储装置包括配置在非易失性半导体存储器中的易失性半导体存储器，第二，第三和第四存储区域中的第一存储区域和执行以下处理的控制器。 控制器执行第一处理，用于将第一单元存储在第一存储区域中的多个数据，第二处理，用于由第一管理单元存储在第四存储区域中的数据;第三处理，用于由第二管理单元存储数据 在第三存储区域中，用于将第三单元的区域从第四存储区域移动到第二存储区域的第四处理，用于将数据复制到第三单元的区域并将区域分配给第二存储区域的第五处理 以及用于将数据复制到第二存储区域中的第三单元的空白区域的第六处理。