公开(公告)号：US08664136B2

公开(公告)日：2014-03-04

申请号：US13139563

申请日：2009-06-01

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Futoshi Utsuno ,  Hirokazu Kawashima ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Masashi Kasami ,  Kota Terai

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Futoshi Utsuno ,  Hirokazu Kawashima ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Masashi Kasami ,  Kota Terai

IPC分类号： C04B35/00

CPC分类号： C04B35/01 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3414 ,  H01L29/7869

摘要： A sintered body includes an indium oxide crystal, and an oxide solid-dissolved in the indium oxide crystal, the oxide being oxide of one or more metals selected from the group consisting of aluminum and scandium, the sintered body having an atomic ratio “(total of the one or more metals)/(total of the one or more metals and indium)×100)” of 0.001% or more and less than 45%.

摘要翻译： 烧结体包括氧化铟晶体和固体溶解在氧化铟晶体中的氧化物，氧化物是选自铝和钪中的一种或多种金属的氧化物，烧结体的原子比“（总计） 的一种或多种金属）/（一种或多种金属和铟的总和）×100）“为0.001％以上且小于45％。

公开(公告)号：US20110243835A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US13139563

申请日：2009-06-01

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Futoshi Utsuno ,  Hirokazu Kawashima ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Masashi Kasami ,  Kota Terai

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Futoshi Utsuno ,  Hirokazu Kawashima ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Masashi Kasami ,  Kota Terai

IPC分类号： C01B13/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C09K3/00 ,  C04B35/01 ,  B22F3/10

CPC分类号： C04B35/01 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/3414 ,  H01L29/7869

摘要： A sintered body includes an indium oxide crystal, and an oxide solid-dissolved in the indium oxide crystal, the oxide being oxide of one or more metals selected from the group consisting of aluminum and scandium, the sintered body having an atomic ratio “(total of the one or more metals)/(total of the one or more metals and indium)×100)” of 0.001% or more and less than 45%.

摘要翻译： 烧结体包括氧化铟晶体和固体溶解在氧化铟晶体中的氧化物，氧化物是选自铝和钪中的一种或多种金属的氧化物，烧结体的原子比“（总计） 的一种或多种金属）/（一种或多种金属和铟的总和）×100）“为0.001％以上且小于45％。

公开(公告)号：US20110006297A1

公开(公告)日：2011-01-13

申请号：US12747033

申请日：2008-11-14

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Futoshi Utsuno ,  Masashi Kasami ,  Shigekazu Tomai ,  Hirokazu Kawashima

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Futoshi Utsuno ,  Masashi Kasami ,  Shigekazu Tomai ,  Hirokazu Kawashima

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/16

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/02689 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618

摘要： A patterned crystalline semiconductor thin film which is obtained by a method including: forming an amorphous thin film comprising indium oxide as a main component, crystallizing part of the amorphous thin film to allow the part to be semiconductive, and removing an amorphous part of the partially crystallized thin film by etching.

摘要翻译： 一种图案化的结晶半导体薄膜，其通过以下方法获得：包括：形成包含氧化铟作为主要成分的非晶薄膜，使所述非晶薄膜的结晶部分成半导体，并且去除所述部分的非晶部分 通过蚀刻结晶的薄膜。

公开(公告)号：US09269573B2

公开(公告)日：2016-02-23

申请号：US12212688

申请日：2008-09-18

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Futoshi Utsuno ,  Masashi Kasami ,  Kenji Goto ,  Hirokazu Kawashima

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Futoshi Utsuno ,  Masashi Kasami ,  Kenji Goto ,  Hirokazu Kawashima

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/02565 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

摘要： To provide a thin film transistor having an indium oxide-based semiconductor film which allows only a thin metal film on the semiconductor film to be selectively etched. A thin film transistor having a crystalline indium oxide semiconductor film which is composed mainly of indium oxide and contains a positive trivalent metal oxide.

摘要翻译： 为了提供一种薄膜晶体管，其具有仅允许选择性地蚀刻半导体膜上的薄金属膜的氧化铟基半导体膜。 一种薄膜晶体管，其具有主要由氧化铟组成并含有正三价金属氧化物的结晶铟氧化物半导体膜。

公开(公告)号：US08445903B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US13125577

申请日：2009-10-19

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Masashi Kasami ,  Hirokazu Kawashima ,  Futoshi Utsuno

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Masashi Kasami ,  Hirokazu Kawashima ,  Futoshi Utsuno

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66742

摘要： A thin film transistor including a gate electrode, a gate-insulating film, an oxide semiconductor film in contact with the gate-insulating film, and source and drain electrodes which connect to the oxide semiconductor film and are separated with a channel part therebetween, wherein the oxide semiconductor film comprises a crystalline indium oxide which includes hydrogen element, and the content of the hydrogen element contained in the oxide semiconductor film is 0.1 at % to 5 at % relative to all elements which form the oxide semiconductor film.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管，包括栅电极，栅极绝缘膜，与栅极绝缘膜接触的氧化物半导体膜，以及连接到氧化物半导体膜并与其间的沟道部分分离的源极和漏极，其中 氧化物半导体膜包括包含氢元素的结晶铟氧化物，并且氧化物半导体膜中包含的氢元素的含量相对于形成氧化物半导体膜的所有元素为0.1at％至5at％。

公开(公告)号：US20110198586A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：US13125577

申请日：2009-10-19

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Masashi Kasami ,  Hirokazu Kawashima ,  Futoshi Utsuno

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Masashi Kasami ,  Hirokazu Kawashima ,  Futoshi Utsuno

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/66742

摘要： A thin film transistor including a gate electrode, a gate-insulating film, an oxide semiconductor film in contact with the gate-insulating film, and source and drain electrodes which connect to the oxide semiconductor film and are separated with a channel part therebetween, wherein the oxide semiconductor film comprises a crystalline indium oxide which includes hydrogen element, and the content of the hydrogen element contained in the oxide semiconductor film is 0.1 at % to 5 at % relative to all elements which form the oxide semiconductor film.

摘要翻译： 一种薄膜晶体管，包括栅电极，栅极绝缘膜，与栅极绝缘膜接触的氧化物半导体膜，以及连接到氧化物半导体膜并与其间的沟道部分分离的源极和漏极，其中 氧化物半导体膜包括包含氢元素的结晶铟氧化物，并且氧化物半导体膜中包含的氢元素的含量相对于形成氧化物半导体膜的所有元素为0.1at％至5at％。

公开(公告)号：US20100065835A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：US12212688

申请日：2008-09-18

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Futoshi Utsuno ,  Masashi Kasami ,  Kenji Goto ,  Hirokazu Kawashima

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Shigekazu Tomai ,  Futoshi Utsuno ,  Masashi Kasami ,  Kenji Goto ,  Hirokazu Kawashima

IPC分类号： H01L29/22 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L21/02565 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

摘要： To provide a thin film transistor having an indium oxide-based semiconductor film which allows only a thin metal film on the semiconductor film to be selectively etched. A thin film transistor having a crystalline indium oxide semiconductor film which is composed mainly of indium oxide and contains a positive trivalent metal oxide.

摘要翻译： 为了提供一种薄膜晶体管，其具有仅允许选择性地蚀刻半导体膜上的薄金属膜的氧化铟基半导体膜。 一种薄膜晶体管，其具有主要由氧化铟组成并含有正三价金属氧化物的结晶铟氧化物半导体膜。

公开(公告)号：US08647537B2

公开(公告)日：2014-02-11

申请号：US13119838

申请日：2009-09-14

申请人： Futoshi Utsuno ,  Kazuyoshi Inoue ,  Hirokazu Kawashima ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano ,  Kota Terai

发明人： Futoshi Utsuno ,  Kazuyoshi Inoue ,  Hirokazu Kawashima ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano ,  Kota Terai

IPC分类号： H01B1/02

CPC分类号： H01L29/242 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/7869

摘要： An oxide sintered body includes indium oxide and gallium solid-solved therein, the oxide sintered body having an atomic ratio “Ga/(Ga+In)” of 0.001 to 0.12, containing indium and gallium in an amount of 80 atom % or more based on total metal atoms, and having an In2O3 bixbyite structure.

摘要翻译： 氧化物烧结体包括固溶于其中的氧化铟和镓，所述氧化物烧结体的原子比“Ga /（Ga + In）”为0.001〜0.12，含有基于80原子％以上的量的铟和镓 总金属原子，并具有In2O3二氧化硅结构。

公开(公告)号：US20110180763A1

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：US13119838

申请日：2009-09-14

申请人： Futoshi Utsuno ,  Kazuyoshi Inoue ,  Hirokazu Kawashima ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano ,  Kota Terai

发明人： Futoshi Utsuno ,  Kazuyoshi Inoue ,  Hirokazu Kawashima ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano ,  Kota Terai

IPC分类号： H01B1/02 ,  C04B35/64 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01L29/242 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/7869

摘要： An oxide sintered body includes indium oxide and gallium solid-solved therein, the oxide sintered body having an atomic ratio “Ga/(Ga+In)” of 0.001 to 0.12, containing indium and gallium in an amount of 80 atom % or more based on total metal atoms, and having an In2O3 bixbyite structure.

摘要翻译： 氧化物烧结体包括固溶于其中的氧化铟和镓，所述氧化物烧结体的原子比“Ga /（Ga + In）”为0.001〜0.12，含有基于80原子％以上的量的铟和镓 总金属原子，并具有In2O3二氧化硅结构。

公开(公告)号：US08461583B2

公开(公告)日：2013-06-11

申请号：US12810189

申请日：2008-12-19

申请人： Koki Yano ,  Hirokazu Kawashima ,  Kazuyoshi Inoue ,  Shigekazu Tomai ,  Masashi Kasami

发明人： Koki Yano ,  Hirokazu Kawashima ,  Kazuyoshi Inoue ,  Shigekazu Tomai ,  Masashi Kasami

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/221

CPC分类号： H01L29/263 ,  C23C14/086 ,  H01L29/7869

摘要： A field effect transistor including a semiconductor layer including a composite oxide which contains In, Zn, and one or more elements X selected from the group consisting of Zr, Hf, Ge, Si, Ti, Mn, W, Mo, V, Cu, Ni, Co, Fe, Cr, Nb, Al, B, Sc, Y and lanthanoids in the following atomic ratios (1) to (3): In/(In+Zn)=0.2 to 0.8  (1) In/(In+X)=0.29 to 0.99  (2) Zn/(X+Zn)=0.29 to 0.99  (3).

摘要翻译： 一种场效应晶体管，包括：包含复合氧化物的半导体层，所述复合氧化物含有选自Zr，Hf，Ge，Si，Ti，Mn，W，Mo，V，Cu中的In，Zn和一种或多种元素X， （1）〜（3）中的In /（In + Zn）= 0.2〜0.8（1）In /（In） + X）= 0.29〜0.99（2）Zn /（X + Zn）= 0.29〜0.99（3）。