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    Apparatus for generating low temperature plasma at atmospheric pressure
    1.
    发明授权
    Apparatus for generating low temperature plasma at atmospheric pressure 失效
    用于在大气压下产生低温等离子体的装置

    公开(公告)号：US06441554B1

    公开(公告)日：2002-08-27

    申请号：US09854655

    申请日：2001-05-14

    申请人： Kee-Seok Nam ,  Sang-Ro Lee ,  Jong-Ju Rha ,  Koo-Hyun Lee ,  Jong-Kuk Kim

    发明人： Kee-Seok Nam ,  Sang-Ro Lee ,  Jong-Ju Rha ,  Koo-Hyun Lee ,  Jong-Kuk Kim

    IPC分类号： H01J724

    CPC分类号： A61L9/22 ,  C01B13/11 ,  C01B2201/14 ,  C01B2201/22 ,  C01B2201/24 ,  C01B2201/32 ,  C02F1/72 ,  C02F2201/48 ,  C02F2201/782 ,  C02F2305/023 ,  H01J37/32009

    摘要： Disclosed is an apparatus for generating low-temp plasma at atmospheric pressure, comprising: a couple of electrodes facing each other at a distance, one of them being connected to a power supply, the other being grounded; a couple of dielectrics with a thickness of 25 &mgr;m-10 mm, positioned on the facing surfaces of the electrodes in such a way as to face each other, one of them having at least one discharge gap therein; and a conductor electrode having at least one tip positioned within the discharge gap, in which an electric field is applied at an intensity of 1-100 KV/cm through the power supply across the electrodes by use of a pulse direct current or an alternating current in a frequency bandwidth of 50 Hz-10 GHz while a reaction gas is fed between the electrodes, so as to induce a hollow cathode discharge, a capillary discharge or the high accumulation of charges from the discharge gap.

    摘要翻译： 公开了一种用于在大气压下产生低温等离子体的装置，包括：一对彼此面对的电极，其中一个电极连接到电源，另一个电极接地; 一对厚度为25mum-10mm的电介质，以彼此面对的方式定位在电极的相对表面上，其中一个在其中具有至少一个放电间隙; 以及导体电极，其具有位于放电间隙内的至少一个尖端，其中以1-100KV / cm的强度施加电场，通过使用脉冲直流或交流电流通过电极通过电源施加电场 在50Hz-10GHz的频率带宽中，同时在电极之间供给反应气体，从而引起中空阴极放电，毛细管放电或来自放电间隙的高电荷累积。

    Method for forming metal contact in semiconductor device
    4.
    发明申请
    Method for forming metal contact in semiconductor device 失效
    在半导体器件中形成金属接触的方法

    公开(公告)号：US20070148858A1

    公开(公告)日：2007-06-28

    申请号：US11479287

    申请日：2006-06-29

    申请人： Jae Yu ,  Jong-Kuk Kim

    发明人： Jae Yu ,  Jong-Kuk Kim

    IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/76829 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91

    摘要： A method for forming a metal contact in a semiconductor device includes forming bit lines over a substrate defined into a cell region and a peripheral region, forming a first inter-layer dielectric (ILD) layer over the bit lines, forming a first etch stop layer over the first ILD layer, forming a capacitor in the cell region, forming a second etch stop layer over the substrate after the capacitor is formed, forming a second ILD layer over the second etch stop layer, performing a first etching process to etch portions of the second ILD layer and the second etch stop layer to thereby form first metal contact holes exposing the first etch stop layer, and performing a second etching process to etch portions of the first etch stop layer and the first ILD layer to thereby form second metal contact holes exposing the bit lines.

    摘要翻译： 一种用于在半导体器件中形成金属接触的方法包括在限定在单元区域和周边区域中的衬底上形成位线，在位线之上形成第一层间电介质（ILD）层，形成第一蚀刻停止层 在第一ILD层上，在单元区域中形成电容器，在形成电容器之后在衬底上形成第二蚀刻停止层，在第二蚀刻停止层上形成第二ILD层，执行第一蚀刻工艺以蚀刻部分 第二ILD层和第二蚀刻停止层，从而形成暴露第一蚀刻停止层的第一金属接触孔，以及执行第二蚀刻工艺以蚀刻第一蚀刻停止层和第一ILD层的部分，从而形成第二金属接触 孔露出位线。

    Method for forming metal contact in semiconductor device
    5.
    发明授权
    Method for forming metal contact in semiconductor device 失效
    在半导体器件中形成金属接触的方法

    公开(公告)号：US07482257B2

    公开(公告)日：2009-01-27

    申请号：US11479287

    申请日：2006-06-29

    申请人： Jae-Seon Yu ,  Jong-Kuk Kim

    发明人： Jae-Seon Yu ,  Jong-Kuk Kim

    IPC分类号： H01L21/8242 ,  H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/76802 ,  H01L21/76829 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91

    摘要： A method for forming a metal contact in a semiconductor device includes forming bit lines over a substrate defined into a cell region and a peripheral region, forming a first inter-layer dielectric (ILD) layer over the bit lines, forming a first etch stop layer over the first ILD layer, forming a capacitor in the cell region, forming a second etch stop layer over the substrate after the capacitor is formed, forming a second ILD layer over the second etch stop layer, performing a first etching process to etch portions of the second ILD layer and the second etch stop layer to thereby form first metal contact holes exposing the first etch stop layer, and performing a second etching process to etch portions of the first etch stop layer and the first ILD layer to thereby form second metal contact holes exposing the bit lines.

    摘要翻译： 一种用于在半导体器件中形成金属接触的方法包括在限定在单元区域和周边区域中的衬底上形成位线，在位线之上形成第一层间电介质（ILD）层，形成第一蚀刻停止层 在第一ILD层上，在单元区域中形成电容器，在形成电容器之后在衬底上形成第二蚀刻停止层，在第二蚀刻停止层上形成第二ILD层，执行第一蚀刻工艺以蚀刻部分 第二ILD层和第二蚀刻停止层，从而形成暴露第一蚀刻停止层的第一金属接触孔，以及执行第二蚀刻工艺以蚀刻第一蚀刻停止层和第一ILD层的部分，从而形成第二金属接触 孔露出位线。