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    PHOTOVOLTAIC DEVICE BARRIER LAYER
    2.
    发明申请
    PHOTOVOLTAIC DEVICE BARRIER LAYER 审中-公开
    光伏器件屏障层

    公开(公告)号：US20120060923A1

    公开(公告)日：2012-03-15

    申请号：US13075998

    申请日：2011-03-30

    申请人： Zhibo Zhao ,  Yu Yang ,  Benyamin Buller ,  Keith J. Burrows ,  Annette Krisko

    发明人： Zhibo Zhao ,  Yu Yang ,  Benyamin Buller ,  Keith J. Burrows ,  Annette Krisko

    IPC分类号： H01L31/0264 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/022466 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

    摘要： A structure including a barrier layer adjacent to a substrate, a transparent conductive oxide layer adjacent to the barrier layer, and a buffer layer adjacent to the transparent conductive oxide layer. In the structure, the barrier layer includes a silicon aluminum oxide, the transparent conductive oxide layer includes cadmium and tin and the buffer layer comprises tin oxide. A photovoltaic device that includes the described structure along with a semiconductor window layer adjacent to the buffer layer and a semiconductor absorber layer adjacent to the semiconductor window layer. Methods of manufacturing a photovoltaic structure are also disclosed, as well as a sputter target for use in the manufacture of a photovoltaic device and methods of manufacturing the same.

    摘要翻译： 包括与衬底相邻的阻挡层，与阻挡层相邻的透明导电氧化物层以及与透明导电氧化物层相邻的缓冲层的结构。 在该结构中，阻挡层包括硅氧化铝，透明导电氧化物层包括镉和锡，缓冲层包含氧化锡。 包括所述结构以及与缓冲层相邻的半导体窗口层以及与半导体窗口层相邻的半导体吸收体层的光电器件。 还公开了制造光伏结构的方法，以及用于制造光伏器件的溅射靶及其制造方法。