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    In-situ backside cleaning of semiconductor substrate
    3.
    发明授权
    In-situ backside cleaning of semiconductor substrate 有权
    半导体衬底的原位背面清洗

    公开(公告)号：US08657963B2

    公开(公告)日：2014-02-25

    申请号：US13240583

    申请日：2011-09-22

    申请人： Ming-Hsi Yeh ,  Kuo-Sheng Chuang ,  Ying-Hsueh Chang Chien ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Ming-Hsi Yeh ,  Kuo-Sheng Chuang ,  Ying-Hsueh Chang Chien ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： B08B1/00

    CPC分类号： H01L21/67046 ,  H01L21/67051

    摘要： The present disclosure provides a method and apparatus for cleaning a semiconductor wafer. In an embodiment of the method, a single wafer cleaning apparatus is provided and a wafer is positioned in the apparatus. A first chemical spray is dispensed onto a front surface of the wafer. A back surface of the wafer is cleaned while dispensing the first chemical spray. The cleaning of the back surface may include a brush and spray of cleaning fluids. An apparatus operable to clean the front surface and the back surface of a single semiconductor wafer is also described.

    摘要翻译： 本公开提供了一种用于清洁半导体晶片的方法和装置。 在该方法的一个实施例中，提供单个晶片清洁装置，并且将晶片定位在装置中。 将第一化学喷雾分配到晶片的前表面上。 在分配第一化学喷雾的同时清洁晶片的背面。 后表面的清洁可以包括刷子和喷射清洁流体。 还描述了可操作以清洁单个半导体晶片的前表面和后表面的装置。

    IN-SITU BACKSIDE CLEANING OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
    4.
    发明申请
    IN-SITU BACKSIDE CLEANING OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 有权
    半导体基板的背面清洁

    公开(公告)号：US20130074872A1

    公开(公告)日：2013-03-28

    申请号：US13240583

    申请日：2011-09-22

    申请人： Ming-Hsi Yeh ,  Kuo-Sheng Chuang ,  Ying-Hsueh Chang Chien ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Ming-Hsi Yeh ,  Kuo-Sheng Chuang ,  Ying-Hsueh Chang Chien ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： B08B3/08 ,  B08B1/00 ,  B08B7/04 ,  B08B3/02

    CPC分类号： H01L21/67046 ,  H01L21/67051

    摘要： The present disclosure provides a method and apparatus for cleaning a semiconductor wafer. In an embodiment of the method, a single wafer cleaning apparatus is provided and a wafer is positioned in the apparatus. A first chemical spray is dispensed onto a front surface of the wafer. A back surface of the wafer is cleaned while dispensing the first chemical spray. The cleaning of the back surface may include a brush and spray of cleaning fluids. An apparatus operable to clean the front surface and the back surface of a single semiconductor wafer is also described.

    摘要翻译： 本公开提供了一种用于清洁半导体晶片的方法和装置。 在该方法的一个实施例中，提供单个晶片清洁装置，并将晶片定位在装置中。 将第一化学喷雾分配到晶片的前表面上。 在分配第一化学喷雾的同时清洁晶片的背面。 后表面的清洁可以包括刷子和喷射清洁流体。 还描述了可操作以清洁单个半导体晶片的前表面和后表面的装置。

    Method and structure for advanced semiconductor channel substrate materials
    5.
    发明授权
    Method and structure for advanced semiconductor channel substrate materials 有权
    先进的半导体通道衬底材料的方法和结构

    公开(公告)号：US09165835B2

    公开(公告)日：2015-10-20

    申请号：US13221214

    申请日：2011-08-30

    申请人： Ming-Hsi Yeh ,  Chun-Yi Lee ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Ming-Hsi Yeh ,  Chun-Yi Lee ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： H01L21/425 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51

    CPC分类号： H01L21/823431 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

    摘要： Provided is a method and structure for utilizing advance channel substrate materials in semiconductor manufacturing. Advanced channel substrate materials such as germanium and Group III-V channel substrate materials, are advantageously utilized. One or more capping films including at least a nitride layer are formed over the channel substrate prior to patterning, ion implantation and the subsequent stripping and wet cleaning operations. With the capping layers intact during these operations, attack of the channel substrate material is prevented and the protective films are easily removed subsequently. The films are dimensioned in conjunction with the ion implantation operation to enable the desired dopant profile and concentration to be formed in the channel substrate material.

    摘要翻译： 提供了一种在半导体制造中利用前置沟道衬底材料的方法和结构。 可以有利地利用诸如锗和III-V族通道衬底材料的高级通道衬底材料。 在图案化，离子注入和随后的剥离和湿式清洗操作之前，在沟道基底上方形成至少包含至少氮化物层的一个或多个封盖膜。 在这些操作期间，封盖层完好无损，防止了通道衬底材料的侵蚀，随后保护膜很容易被去除。 这些膜的尺寸与离子注入操作相结合，使得能够在通道衬底材料中形成所需的掺杂剂分布和浓度。

    SEMICONDUCTOR DEVICE CLEANING METHOD
    6.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE CLEANING METHOD 审中-公开
    半导体器件清洗方法

    公开(公告)号：US20130068248A1

    公开(公告)日：2013-03-21

    申请号：US13233568

    申请日：2011-09-15

    申请人： Ming-Hsi Yeh ,  Kuo-Sheng Chuang ,  Ying-Hsueh Chang Chien ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Ming-Hsi Yeh ,  Kuo-Sheng Chuang ,  Ying-Hsueh Chang Chien ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： H01L21/00 ,  C23G1/02 ,  B08B5/02 ,  B08B3/08

    CPC分类号： H01L21/02057 ,  H01L21/67051

    摘要： The present disclosure provides a method including providing a chamber having a first inlet and a second inlet. A solution of a de-ionized (DI) water and an acid (e.g., a dilute acid) is provided to the chamber via the first inlet. A carrier gas (e.g., N2) is provided to the chamber via the second inlet. The solution and the carrier gas are in the chamber and then from the chamber onto a single semiconductor wafer. In an embodiment, the solution includes a dilute HCl and DI water.

    摘要翻译： 本公开提供了一种方法，包括提供具有第一入口和第二入口的室。 通过第一入口向腔室提供去离子（DI）水和酸（例如稀酸）的溶液。 载气（例如，N2）经由第二入口提供给腔室。 溶液和载气在室中，然后从室到单个半导体晶片。 在一个实施方案中，溶液包括稀HCl和去离子水。

    Thermal Leveling for Semiconductor Devices
    7.
    发明申请
    Thermal Leveling for Semiconductor Devices 审中-公开
    半导体器件的热平衡

    公开(公告)号：US20120015459A1

    公开(公告)日：2012-01-19

    申请号：US12837114

    申请日：2010-07-15

    申请人： Chun Hsiung Tsai ,  Han-Pin Chung ,  Ming-Hsi Yeh ,  De-Wei Yu ,  Kuan-Yu Chen

    发明人： Chun Hsiung Tsai ,  Han-Pin Chung ,  Ming-Hsi Yeh ,  De-Wei Yu ,  Kuan-Yu Chen

    IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/30 ,  H01L21/26

    CPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248

    摘要： A semiconductor device and a method of manufacturing are provided. In some embodiments, a backside annealing process such that a first heat source is placed along a backside of the substrate. In other embodiments, the first heat source is used in combination with an anti-reflection dielectric (ARD) layer is deposited over the substrate. In yet other embodiments, a second heat source is placed along a front side of the substrate in addition to the first heat source placed on the backside of the substrate. In yet other embodiments, a heat shield may be placed between the substrate and the second heat source on the front side of the substrate. In yet further embodiments, a single heat source may be used on the front side of the substrate in combination with the ARD layer. A reflectivity scan may be performed to determine which anneal stage (RTA or MSA or both) to place thermal leveling solution.

    摘要翻译： 提供半导体器件和制造方法。 在一些实施例中，背面退火工艺使得第一热源沿着衬底的背面放置。 在其他实施例中，第一热源与抗反射电介质（ARD）层结合使用沉积在衬底上。 在其他实施例中，除了放置在基板的背面上的第一热源之外，沿着基板的前侧放置第二热源。 在其他实施例中，可以在衬底和衬底的前侧上的第二热源之间放置隔热罩。 在另外的实施例中，单个热源可以与ARD层组合在基板的正面上使用。 可以进行反射率扫描以确定哪个退火阶段（RTA或MSA或两者）放置热均衡溶液。

    Method of fabricating an integrated circuit device
    8.
    发明授权
    Method of fabricating an integrated circuit device 有权
    制造集成电路器件的方法

    公开(公告)号：US08921177B2

    公开(公告)日：2014-12-30

    申请号：US13189108

    申请日：2011-07-22

    申请人： Ming-Hsi Yeh ,  Hsien-Hsin Lin ,  Ying-Hsueh Chang Chien ,  Yi-Fang Pai ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Ming-Hsi Yeh ,  Hsien-Hsin Lin ,  Ying-Hsueh Chang Chien ,  Yi-Fang Pai ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L29/665 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  Y10S438/976

    摘要： A method for fabricating an integrated device is disclosed. A protective layer is formed over a gate structure when forming epitaxial (epi) features adjacent to another gate structure uncovered by the protective layer. The protective layer is thereafter removed after forming the epitaxial (epi) features. The disclosed method provides an improved method for removing the protective layer without substantial defects resulting. In an embodiment, the improved formation method is achieved by providing a protector over an oxide-base material, and then removing the protective layer using a chemical comprising hydrofluoric acid.

    摘要翻译： 公开了一种用于制造集成器件的方法。 当形成与由保护层未覆盖的另一个栅极结构相邻的外延（epi）特征时，在栅极结构上形成保护层。 此后，在形成外延（epi）特征之后，去除保护层。 所公开的方法提供了用于去除保护层而没有实质缺陷的改进方法。 在一个实施方案中，改进的形成方法通过在氧化物基材料上提供保护剂，然后使用包含氢氟酸的化学品除去保护层来实现。

    Method of semiconductor integrated circuit fabrication
    9.
    发明授权
    Method of semiconductor integrated circuit fabrication 有权
    半导体集成电路制造方法

    公开(公告)号：US08735252B2

    公开(公告)日：2014-05-27

    申请号：US13490635

    申请日：2012-06-07

    申请人： Weibo Yu ,  Ming-Hsi Yeh ,  Chih-Tang Peng ,  Hao-Ming Lien ,  Chao-Cheng Chen ,  Syun-Ming Jang

    发明人： Weibo Yu ,  Ming-Hsi Yeh ,  Chih-Tang Peng ,  Hao-Ming Lien ,  Chao-Cheng Chen ,  Syun-Ming Jang

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L29/66795

    摘要： A method of fabricating a semiconductor IC is disclosed. The method includes receiving a device. The device includes a semiconductor substrate, a plurality of fins and trenches between fins in the semiconductor substrate. The method also includes filling the trenches with a dielectric material to form shallow trench isolations (STI), applying a low-thermal-budget annealing to the dielectric material, and applying a wet-treatment to the dielectric material.

    摘要翻译： 公开了制造半导体IC的方法。 该方法包括接收设备。 该器件包括半导体衬底，半导体衬底中的翅片之间的多个散热片和沟槽。 该方法还包括用介电材料填充沟槽以形成浅沟槽隔离（STI），对介电材料施加低热预算退火，以及对电介质材料进行湿法处理。