利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

272 条记录 (耗时 0.034 秒)

    CLEANING PROCESS FOR SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION
    2.
    发明申请
    CLEANING PROCESS FOR SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION 有权
    用于半导体器件制造的清洁工艺

    公开(公告)号：US20120202156A1

    公开(公告)日：2012-08-09

    申请号：US13022931

    申请日：2011-02-08

    申请人： Ming-Hsi Yeh ,  Yu-Fu Lin ,  Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Ming-Hsi Yeh ,  Yu-Fu Lin ,  Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823828

    摘要： A method of making an integrated circuit is provided. The method includes providing a substrate having a photosensitive layer. The photosensitive layer is exposed to a radiation beam. The exposed photosensitive layer is developed in a first chamber. In the first chamber, a cleaning process is performed on the developed photosensitive layer. The cleaning process includes using a rinse solution including at least one of ozone, hydrogen peroxide, and oxalic acid.

    摘要翻译： 提供一种制造集成电路的方法。 该方法包括提供具有感光层的基底。 感光层暴露于辐射束。 曝光的感光层在第一室中显影。 在第一室中，对显影的感光层进行清洁处理。 清洁方法包括使用包括臭氧，过氧化氢和草酸中的至少一种的冲洗溶液。

    Apparatus and Methods for Movable Megasonic Wafer Probe
    3.
    发明申请
    Apparatus and Methods for Movable Megasonic Wafer Probe 有权
    移动式超声波晶圆探头的装置和方法

    公开(公告)号：US20130056031A1

    公开(公告)日：2013-03-07

    申请号：US13226216

    申请日：2011-09-06

    申请人： Ying-Hsueh Chang Chien ,  Shao-Yen Ku ,  Ming-Hsi Yeh ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Ying-Hsueh Chang Chien ,  Shao-Yen Ku ,  Ming-Hsi Yeh ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： B08B7/04

    CPC分类号： B08B3/12 ,  B08B3/02 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/6704

    摘要： Methods and apparatus for a movable megasonic wafer probe. A method is disclosed including positioning a movable probe on a wafer surface, the movable probe having an open bottom portion that exposes a portion of the wafer surface; applying a liquid onto the wafer surface through a bottom portion of the movable probe; and moving the movable probe at a predetermined scan speed to traverse the wafer surface, applying the liquid to the wafer surface while moving over the wafer surface. In additional embodiments the method includes providing a transducer for applying megasonic energy to the wafer surface. Apparatus embodiments are disclosed including the movable megasonic wafer probe.

    摘要翻译： 移动式超声波晶片探针的方法和装置。 公开了一种方法，包括将可移动探针定位在晶片表面上，所述可移动探针具有暴露晶片表面的一部分的开放底部; 通过可移动探针的底部将液体施加到晶片表面上; 并且以预定的扫描速度移动可移动探针以穿过晶片表面，同时在晶片表面上移动时将液体施加到晶片表面。 在另外的实施例中，该方法包括提供用于将兆声波能量施加到晶片表面的换能器。 公开了包括可移动兆声晶片探针的装置实施例。

    Apparatus and methods for movable megasonic wafer probe
    4.
    发明授权
    Apparatus and methods for movable megasonic wafer probe 有权
    移动式超声波晶片探头的装置和方法

    公开(公告)号：US08926762B2

    公开(公告)日：2015-01-06

    申请号：US13226216

    申请日：2011-09-06

    申请人： Ying-Hsueh Chang Chien ,  Shao-Yen Ku ,  Ming-Hsi Yeh ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Ying-Hsueh Chang Chien ,  Shao-Yen Ku ,  Ming-Hsi Yeh ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： B08B3/04 ,  B08B3/12

    CPC分类号： B08B3/12 ,  B08B3/02 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/6704

    摘要： Methods and apparatus for a movable megasonic wafer probe. A method is disclosed including positioning a movable probe on a wafer surface, the movable probe having an open bottom portion that exposes a portion of the wafer surface; applying a liquid onto the wafer surface through a bottom portion of the movable probe; and moving the movable probe at a predetermined scan speed to traverse the wafer surface, applying the liquid to the wafer surface while moving over the wafer surface. In additional embodiments the method includes providing a transducer for applying megasonic energy to the wafer surface. Apparatus embodiments are disclosed including the movable megasonic wafer probe.

    摘要翻译： 移动式超声波晶片探针的方法和装置。 公开了一种方法，包括将可移动探针定位在晶片表面上，所述可移动探针具有暴露晶片表面的一部分的开放底部; 通过可移动探针的底部将液体施加到晶片表面上; 并且以预定的扫描速度移动可移动探针以穿过晶片表面，同时在晶片表面上移动时将液体施加到晶片表面。 在另外的实施例中，该方法包括提供用于将兆声波能量施加到晶片表面的换能器。 公开了包括可移动兆声晶片探针的装置实施例。

    Method of fabricating high-k metal gate devices
    7.
    发明授权
    Method of fabricating high-k metal gate devices 有权
    制造高k金属栅极器件的方法

    公开(公告)号：US07776757B2

    公开(公告)日：2010-08-17

    申请号：US12354394

    申请日：2009-01-15

    申请人： Simon Su-Horng Lin ,  Yu-Ming Lee ,  Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Simon Su-Horng Lin ,  Yu-Ming Lee ,  Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/517

    摘要： The present disclosure provides a method for fabricating a semiconductor device. The method includes providing a semiconductor substrate having a first region and a second region, forming a high-k dielectric layer over the semiconductor substrate, forming a first metal layer and a first silicon layer by an in-situ deposition process, patterning the first silicon layer to remove a portion overlying the second region, patterning the first metal layer using the patterned first silicon layer as a mask, and removing the patterned first silicon layer including applying a solution. The solution includes a first component having an [F-] concentration greater than 0.01M, a second component configured to adjust a pH of the solution from about 4.3 to about 6.7, and a third component configured to adjust a potential of the solution to be greater than −1.4 volts.

    摘要翻译： 本公开提供了一种用于制造半导体器件的方法。 该方法包括提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，在半导体衬底上形成高k电介质层，通过原位沉积工艺形成第一金属层和第一硅层，图案化第一硅 以去除覆盖在第二区域上的部分，使用图案化的第一硅层作为掩模来图案化第一金属层，以及去除图案化的第一硅层，包括施加溶液。 该溶液包括具有大于0.01M的[F-]浓度的第一组分，构成为将溶液的pH调节至约4.3至约6.7的第二组分，以及构成为将溶液的电位调节为 大于-1.4伏。

    METHOD OF FABRICATING HIGH-K METAL GATE DEVICES
    8.
    发明申请
    METHOD OF FABRICATING HIGH-K METAL GATE DEVICES 有权
    制造高K金属栅极器件的方法

    公开(公告)号：US20100178772A1

    公开(公告)日：2010-07-15

    申请号：US12354394

    申请日：2009-01-15

    申请人： Simon Su-Horng Lin ,  Yu-Ming Lee ,  Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Simon Su-Horng Lin ,  Yu-Ming Lee ,  Shao-Yen Ku ,  Chi-Ming Yang ,  Chyi-Shyuan Chern ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： H01L21/306

    CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/517

    摘要： The present disclosure provides a method for fabricating a semiconductor device. The method includes providing a semiconductor substrate having a first region and a second region, forming a high-k dielectric layer over the semiconductor substrate, forming a first metal layer and a first silicon layer by an in-situ deposition process, patterning the first silicon layer to remove a portion overlying the second region, patterning the first metal layer using the patterned first silicon layer as a mask, and removing the patterned first silicon layer including applying a solution. The solution includes a first component having an [F—] concentration greater than 0.01 M, a second component configured to adjust a pH of the solution from about 4.3 to about 6.7, and a third component configured to adjust a potential of the solution to be greater than −1.4 volts.

    摘要翻译： 本公开提供了一种用于制造半导体器件的方法。 该方法包括提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，在半导体衬底上形成高k电介质层，通过原位沉积工艺形成第一金属层和第一硅层，图案化第一硅 以去除覆盖在第二区域上的部分，使用图案化的第一硅层作为掩模来图案化第一金属层，以及去除图案化的第一硅层，包括施加溶液。 该溶液包括具有大于0.01M的[F-]浓度的第一组分，被配置为将溶液的pH调节至约4.3至约6.7的第二组分，以及将溶液的电位调节为 大于-1.4伏。

    Method and structure for advanced semiconductor channel substrate materials
    9.
    发明授权
    Method and structure for advanced semiconductor channel substrate materials 有权
    先进的半导体通道衬底材料的方法和结构

    公开(公告)号：US09165835B2

    公开(公告)日：2015-10-20

    申请号：US13221214

    申请日：2011-08-30

    申请人： Ming-Hsi Yeh ,  Chun-Yi Lee ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Ming-Hsi Yeh ,  Chun-Yi Lee ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： H01L21/425 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51

    CPC分类号： H01L21/823431 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

    摘要： Provided is a method and structure for utilizing advance channel substrate materials in semiconductor manufacturing. Advanced channel substrate materials such as germanium and Group III-V channel substrate materials, are advantageously utilized. One or more capping films including at least a nitride layer are formed over the channel substrate prior to patterning, ion implantation and the subsequent stripping and wet cleaning operations. With the capping layers intact during these operations, attack of the channel substrate material is prevented and the protective films are easily removed subsequently. The films are dimensioned in conjunction with the ion implantation operation to enable the desired dopant profile and concentration to be formed in the channel substrate material.

    摘要翻译： 提供了一种在半导体制造中利用前置沟道衬底材料的方法和结构。 可以有利地利用诸如锗和III-V族通道衬底材料的高级通道衬底材料。 在图案化，离子注入和随后的剥离和湿式清洗操作之前，在沟道基底上方形成至少包含至少氮化物层的一个或多个封盖膜。 在这些操作期间，封盖层完好无损，防止了通道衬底材料的侵蚀，随后保护膜很容易被去除。 这些膜的尺寸与离子注入操作相结合，使得能够在通道衬底材料中形成所需的掺杂剂分布和浓度。

    SEMICONDUCTOR DEVICE CLEANING METHOD
    10.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE CLEANING METHOD 审中-公开
    半导体器件清洗方法

    公开(公告)号：US20130068248A1

    公开(公告)日：2013-03-21

    申请号：US13233568

    申请日：2011-09-15

    申请人： Ming-Hsi Yeh ,  Kuo-Sheng Chuang ,  Ying-Hsueh Chang Chien ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Ming-Hsi Yeh ,  Kuo-Sheng Chuang ,  Ying-Hsueh Chang Chien ,  Chi-Ming Yang ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： H01L21/00 ,  C23G1/02 ,  B08B5/02 ,  B08B3/08

    CPC分类号： H01L21/02057 ,  H01L21/67051

    摘要： The present disclosure provides a method including providing a chamber having a first inlet and a second inlet. A solution of a de-ionized (DI) water and an acid (e.g., a dilute acid) is provided to the chamber via the first inlet. A carrier gas (e.g., N2) is provided to the chamber via the second inlet. The solution and the carrier gas are in the chamber and then from the chamber onto a single semiconductor wafer. In an embodiment, the solution includes a dilute HCl and DI water.

    摘要翻译： 本公开提供了一种方法，包括提供具有第一入口和第二入口的室。 通过第一入口向腔室提供去离子（DI）水和酸（例如稀酸）的溶液。 载气（例如，N2）经由第二入口提供给腔室。 溶液和载气在室中，然后从室到单个半导体晶片。 在一个实施方案中，溶液包括稀HCl和去离子水。