公开(公告)号：US20050127499A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US10827680

申请日：2004-04-19

申请人： Kieran Harney ,  Lawrence Felton ,  Thomas Kieran Nunan ,  Susan Alie ,  Bruce Wachtmann

发明人： Kieran Harney ,  Lawrence Felton ,  Thomas Kieran Nunan ,  Susan Alie ,  Bruce Wachtmann

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  H01L23/12

CPC分类号： B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2203/019 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/1461

摘要： A MEMS device has at least one conductive path extending from the top facing side of its substrate (having MEMS structure) to the bottom side of the noted substrate. The at least one conductive path extends through the substrate as noted to electrically connect the bottom facing side with the MEMS structure.

摘要翻译： MEMS器件具有从其衬底（具有MEMS结构）的顶面侧延伸到所述衬底的底侧的至少一个导电路径。 所述至少一个导电路径延伸穿过衬底，如将所述底面朝向侧面与MEMS结构电连接。

公开(公告)号：US20050170609A1

公开(公告)日：2005-08-04

申请号：US11050469

申请日：2005-02-03

申请人： Susan Alie ,  Bruce Wachtmann ,  Lawrence Felton ,  Changhan Yun

发明人： Susan Alie ,  Bruce Wachtmann ,  Lawrence Felton ,  Changhan Yun

IPC分类号： B81B7/00 ,  H01L21/30 ,  H01L21/46 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： B81C1/00301 ,  B81B7/0006 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2207/093 ,  B81B2207/095 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/81 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/8182 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014

摘要： A conductive bond for through-wafer interconnect is produced by forming an electrode through a first wafer from a component on a front side of the first wafer to a back side of the first wafer, forming a first electrically conductive interface in contact with an exposed portion of the electrode on the back side of the first wafer, and conductively bonding the first electrically conductive interface with a second electrically conductive interface on a second wafer under pressure at a temperature below the thermal budget of the stacked wafer device. The process temperature is generally well below the melting points of the electrically conductive interfaces. In some embodiments, the conductive bonding may be facilitated or enabled by performing the conductive bonding in a vacuum.

摘要翻译： 通过从第一晶片的前侧的部件到第一晶片的后侧形成电极通过第一晶片形成电极，形成用于晶片间互连的导电接合，形成与暴露部分接触的第一导电界面 并且在低于所述堆叠晶片装置的热量预算的温度的压力下，在第二晶片上将所述第一导电界面与第二导电界面导电地接合。 工艺温度通常远低于导电界面的熔点。 在一些实施例中，可以通过在真空中执行导电接合来促进或实现导电接合。

公开(公告)号：US06936918B2

公开(公告)日：2005-08-30

申请号：US10827680

申请日：2004-04-19

申请人： Kieran P. Harney ,  Lawrence E. Felton ,  Thomas Kieran Nunan ,  Susan A. Alie ,  Bruce Wachtmann

发明人： Kieran P. Harney ,  Lawrence E. Felton ,  Thomas Kieran Nunan ,  Susan A. Alie ,  Bruce Wachtmann

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  H01L23/12

CPC分类号： B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81C2203/019 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/1461

摘要： A MEMS device has at least one conductive path extending from the top facing side of its substrate (having MEMS structure) to the bottom side of the noted substrate. The at least one conductive path extends through the substrate as noted to electrically connect the bottom facing side with the MEMS structure.

摘要翻译： MEMS器件具有从其衬底（具有MEMS结构）的顶面侧延伸到所述衬底的底侧的至少一个导电路径。 所述至少一个导电路径延伸穿过衬底，如将所述底面朝向侧面与MEMS结构电连接。

公开(公告)号：US20060118946A1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：US11248006

申请日：2005-10-11

申请人： Susan Alie ,  Bruce Wachtmann ,  Michael Judy ,  David Kneedler

发明人： Susan Alie ,  Bruce Wachtmann ,  Michael Judy ,  David Kneedler

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： B81B7/007 ,  B81C2203/019 ,  H01L2224/16225 ,  Y10S257/924

摘要： An apparatus has first and second wafers, and a conductive rim between the first and second wafers. The conductive rim electrically and mechanically connects the first and second wafers. In addition, the conductive rim and second wafer at least in part seal an area on the surface of the first wafer.

摘要翻译： 一种装置具有第一和第二晶片，以及在第一和第二晶片之间的导电边缘。 导电边缘电和机械地连接第一和第二晶片。 此外，导电边缘和第二晶片至少部分地密封第一晶片的表面上的区域。

公开(公告)号：US20050127525A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US10737231

申请日：2003-12-15

申请人： Susan Alie ,  Bruce Wachtmann ,  Michael Judy ,  David Kneedler

发明人： Susan Alie ,  Bruce Wachtmann ,  Michael Judy ,  David Kneedler

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  H01L23/12

CPC分类号： B81B7/007 ,  B81C2203/019 ,  H01L2224/16225 ,  Y10S257/924

摘要： An apparatus has first and second wafers, and a conductive rim between the first and second wafers. The conductive rim electrically and mechanically connects the first and second wafers. In addition, the conductive rim and second wafer at least in part seal an area on the surface of the first wafer.

摘要翻译： 一种装置具有第一和第二晶片，以及在第一和第二晶片之间的导电边缘。 导电边缘电和机械地连接第一和第二晶片。 此外，导电边缘和第二晶片至少部分地密封第一晶片的表面上的区域。