利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

107 条记录 (耗时 0.028 秒)

    Laser spike annealing for gate dielectric materials
    1.
    发明申请
    Laser spike annealing for gate dielectric materials 审中-公开
    栅极电介质材料的激光尖峰退火

    公开(公告)号：US20060270166A1

    公开(公告)日：2006-11-30

    申请号：US11140766

    申请日：2005-05-31

    申请人： Liang-Gi Yao ,  Ming-Ho Yang ,  Shih-Chang Chen ,  Mong Liang

    发明人： Liang-Gi Yao ,  Ming-Ho Yang ,  Shih-Chang Chen ,  Mong Liang

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/268 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659

    摘要： A method of forming a semiconductor device using laser spike annealing is provided. The method includes providing a semiconductor substrate having a surface, forming a gate dielectric layer on the surface of the semiconductor substrate, laser spike annealing the gate dielectric layer, and patterning the gate dielectric layer and thus forming at least a gate dielectric. Source and drain regions are then formed to form a transistor. A capacitor is formed by connecting the source and drain regions.

    摘要翻译： 提供了使用激光尖峰退火形成半导体器件的方法。 该方法包括提供具有表面的半导体衬底，在半导体衬底的表面上形成栅极电介质层，对栅介质层进行激光尖峰退火，以及图案化栅介质层，从而形成至少栅极电介质。 然后形成源区和漏区以形成晶体管。 通过连接源极和漏极区域形成电容器。

    Semiconductor device and method for fabricating the same
    2.
    发明申请
    Semiconductor device and method for fabricating the same 审中-公开
    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号：US20060154425A1

    公开(公告)日：2006-07-13

    申请号：US11032439

    申请日：2005-01-10

    申请人： Ming-Ho Yang ,  Karen Mai ,  Liang-Gi Yao ,  Shih-Chang Chen

    发明人： Ming-Ho Yang ,  Karen Mai ,  Liang-Gi Yao ,  Shih-Chang Chen

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

    摘要： A semiconductor device and method for fabricating the same. The semiconductor device comprises a substrate with a gate stack thereon, wherein the gate stack comprises a high-k dielectric layer and a conductive layer sequentially overlying a portion of the substrate. An oxidation-proof layer overlies sidewalls of the gate stack. A pair of insulating spacers oppositely overlies sidewalls of the gate stack and the oxidation-proof layers thereon and a pair of source/drain regions is oppositely formed in the substrate adjacent to the gate stack, wherein the oxidation-proof layer suppresses oxidation encroachment between the gate stack and the substrate.

    摘要翻译： 一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括其上具有栅极堆叠的衬底，其中栅极堆叠包括高k电介质层和顺序地覆盖衬底的一部分的导电层。 防氧化层覆盖在栅叠层的侧壁上。 一对绝缘隔片相对地覆盖在栅堆叠的侧壁和其上的防氧化层上，并且一对源极/漏极区域相邻地形成在与栅极叠层相邻的衬底中，其中防氧化层抑制了栅极叠层之间的氧化侵蚀 栅极堆叠和衬底。

    Laminated silicon gate electrode
    4.
    发明授权
    Laminated silicon gate electrode 有权
    层压硅栅电极

    公开(公告)号：US08115263B2

    公开(公告)日：2012-02-14

    申请号：US11041178

    申请日：2005-01-24

    申请人： Chia-Lin Chen ,  Liang-Gi Yao ,  Shih-Chang Chen

    发明人： Chia-Lin Chen ,  Liang-Gi Yao ,  Shih-Chang Chen

    IPC分类号： H01L29/78

    CPC分类号： H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/3003 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/78

    摘要： Within a method for forming a silicon layer, there is employed at least one sub-layer formed of a higher crystalline silicon material and at least one sub-layer formed of a lower crystalline silicon material. The lower crystalline silicon material is formed employing a hydrogen treatment of the higher crystalline silicon material. The method is particularly useful for forming polysilicon based gate electrodes with enhanced dimensional control and enhanced performance.

    摘要翻译： 在形成硅层的方法中，使用由较高结晶硅材料形成的至少一个子层和由下部结晶硅材料形成的至少一个子层。 使用较高结晶硅材料的氢处理形成下部结晶硅材料。 该方法对于形成具有增强尺寸控制和增强性能的多晶硅基栅电极特别有用。

    Method of making FUSI gate and resulting structure
    6.
    发明授权
    Method of making FUSI gate and resulting structure 有权
    制作FUSI门和结构的方法

    公开(公告)号：US07410854B2

    公开(公告)日：2008-08-12

    申请号：US11543410

    申请日：2006-10-05

    申请人： Liang-Gi Yao ,  Hun-Jan Tao ,  Shih-Chang Chen ,  Mong-Song Liang

    发明人： Liang-Gi Yao ,  Hun-Jan Tao ,  Shih-Chang Chen ,  Mong-Song Liang

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/8234

    CPC分类号： H01L21/823835 ,  H01L21/28097 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656

    摘要： Generally disclosed is a method of a device comprising forming a polysilicon stack including a first and a second polysilicon layer with an intervening etch stop layer, wherein the first polysilicon layer height is at least one third a height of the polysilicon stack height, removing the second polysilicon layer and the etch stop layer, and reacting the first polysilicon layer with a metal to fully silicide the first polysilicon layer. Fully silicided (FUSI) gates can hence be formed with uniform gate height. The thin first polysilicon layer allows for siliciding with a lower thermal budge and with better uniformity of the silicide concentration throughout the layer.

    摘要翻译： 通常公开的是一种器件的方法，包括用中间蚀刻停止层形成包括第一和第二多晶硅层的多晶硅堆叠，其中第一多晶硅层高度为多晶硅叠层高度的至少三分之一高度， 多晶硅层和蚀刻停止层，并使第一多晶硅层与金属反应以使第一多晶硅层完全硅化。 因此，可以形成具有均匀栅极高度的全硅化（FUSI）栅极。 薄的第一多晶硅层允许以更低的热辐射进行硅化，并且在整个层中具有更好的硅化物浓度的均匀性。

    Noble high-k device
    10.
    发明授权
    Noble high-k device 有权
    高贵的高k设备

    公开(公告)号：US07351994B2

    公开(公告)日：2008-04-01

    申请号：US10762164

    申请日：2004-01-21

    申请人： Liang-Gi Yao ,  Tien-Chih Chang ,  Ming-Fang Wang ,  Shih-Chang Chen ,  Mong-Song Liang

    发明人： Liang-Gi Yao ,  Tien-Chih Chang ,  Ming-Fang Wang ,  Shih-Chang Chen ,  Mong-Song Liang

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/1054

    摘要： At least one high-k device, and a method for forming the at least one high-k device, comprising the following. A structure having a strained substrate formed thereover. The strained substrate comprising at least an uppermost strained-Si epi layer. At least one dielectric gate oxide portion over the strained substrate. The at least one dielectric gate oxide portion having a dielectric constant of greater than about 4.0. A device over each of the at least one dielectric gate oxide portion to complete the least one high-k device. A method of forming the at least one high-k device.

    摘要翻译： 至少一个高k装置和用于形成至少一个高k装置的方法包括以下。 具有在其上形成的应变衬底的结构。 应变衬底包括至少最上层的应变Si外延层。 在应变衬底上的至少一个电介质栅极氧化物部分。 所述至少一个电介质栅极氧化物部分具有大于约4.0的介电常数。 在所述至少一个电介质栅极氧化物部分中的每一个上方的器件，以完成所述至少一个高k器件。 一种形成所述至少一个高k装置的方法。