公开(公告)号：US20060270166A1

公开(公告)日：2006-11-30

申请号：US11140766

申请日：2005-05-31

申请人： Liang-Gi Yao ,  Ming-Ho Yang ,  Shih-Chang Chen ,  Mong Liang

发明人： Liang-Gi Yao ,  Ming-Ho Yang ,  Shih-Chang Chen ,  Mong Liang

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/268 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659

摘要： A method of forming a semiconductor device using laser spike annealing is provided. The method includes providing a semiconductor substrate having a surface, forming a gate dielectric layer on the surface of the semiconductor substrate, laser spike annealing the gate dielectric layer, and patterning the gate dielectric layer and thus forming at least a gate dielectric. Source and drain regions are then formed to form a transistor. A capacitor is formed by connecting the source and drain regions.

摘要翻译： 提供了使用激光尖峰退火形成半导体器件的方法。 该方法包括提供具有表面的半导体衬底，在半导体衬底的表面上形成栅极电介质层，对栅介质层进行激光尖峰退火，以及图案化栅介质层，从而形成至少栅极电介质。 然后形成源区和漏区以形成晶体管。 通过连接源极和漏极区域形成电容器。

公开(公告)号：US20060154425A1

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：US11032439

申请日：2005-01-10

申请人： Ming-Ho Yang ,  Karen Mai ,  Liang-Gi Yao ,  Shih-Chang Chen

发明人： Ming-Ho Yang ,  Karen Mai ,  Liang-Gi Yao ,  Shih-Chang Chen

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A semiconductor device and method for fabricating the same. The semiconductor device comprises a substrate with a gate stack thereon, wherein the gate stack comprises a high-k dielectric layer and a conductive layer sequentially overlying a portion of the substrate. An oxidation-proof layer overlies sidewalls of the gate stack. A pair of insulating spacers oppositely overlies sidewalls of the gate stack and the oxidation-proof layers thereon and a pair of source/drain regions is oppositely formed in the substrate adjacent to the gate stack, wherein the oxidation-proof layer suppresses oxidation encroachment between the gate stack and the substrate.

摘要翻译： 一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括其上具有栅极堆叠的衬底，其中栅极堆叠包括高k电介质层和顺序地覆盖衬底的一部分的导电层。 防氧化层覆盖在栅叠层的侧壁上。 一对绝缘隔片相对地覆盖在栅堆叠的侧壁和其上的防氧化层上，并且一对源极/漏极区域相邻地形成在与栅极叠层相邻的衬底中，其中防氧化层抑制了栅极叠层之间的氧化侵蚀 栅极堆叠和衬底。

公开(公告)号：US20060094192A1

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：US11048487

申请日：2005-01-31

申请人： Ming-Ho Yang ,  Liang-Gei Yao ,  Shih-Chang Chen

发明人： Ming-Ho Yang ,  Liang-Gei Yao ,  Shih-Chang Chen

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/02307 ,  C23C16/0227 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7833

摘要： A method for forming a high-K material layer in a semiconductor device fabrication process including providing a silicon semiconductor substrate or thermally growing interfacial oxide layer comprising silicon dioxide over the silicon substrate; treating with an aqueous base solution or nitridation and depositing a high-K material layer.

摘要翻译： 一种在半导体器件制造工艺中形成高K材料层的方法，包括在硅衬底上提供包含二氧化硅的硅半导体衬底或热生长界面氧化物层; 用碱水溶液处理或氮化处理，沉积高K材料层。

公开(公告)号：US20060035477A1

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：US10916495

申请日：2004-08-12

申请人： Karen Mai ,  Ming-Ho Yang ,  Tze Lee ,  Shih-Chang Chen ,  Chun-Feng Nieh

发明人： Karen Mai ,  Ming-Ho Yang ,  Tze Lee ,  Shih-Chang Chen ,  Chun-Feng Nieh

IPC分类号： H01L21/477 ,  F27D11/00

CPC分类号： F27D99/0006 ,  F27B17/0025 ,  F27D5/0037 ,  F27D2099/0026 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248

摘要： Methods for rapid thermal processing of semiconductor substrates are provided. An exemplary method comprises directing radiant heat energy emitted from a heat source toward a backside surface of the semiconductor substrate. Systems for rapid thermal processing also are provided.

摘要翻译： 提供了半导体衬底的快速热处理方法。 一种示例性的方法包括将从热源发射的辐射热能引导到半导体衬底的背面。 还提供用于快速热处理的系统。

公开(公告)号：US07037816B2

公开(公告)日：2006-05-02

申请号：US10763643

申请日：2004-01-23

申请人： Yu Min Lin ,  Ming-Fang Wang ,  Kun-Chih Lee ,  Ming-Ho Yang ,  Liang-Gi Yo ,  Shih-Chang Chen ,  Karen L. Mai

发明人： Yu Min Lin ,  Ming-Fang Wang ,  Kun-Chih Lee ,  Ming-Ho Yang ,  Liang-Gi Yo ,  Shih-Chang Chen ,  Karen L. Mai

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L29/66833 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A method for fabricating a portion of an integrated circuit on a semiconductor substrate. The method includes cleaning the surface of the substrate, and forming a thin insulate over the substrate. The method also includes depositing a high dielectric constant (high-k) material over the thin insulate, and then performing a hydrogen-based anneal on the high-k material. The method further includes performing an oxygen-based anneal on the high-k material, wherein the hydrogen-based and oxygen-based anneals occur sequentially.

摘要翻译： 一种在半导体衬底上制造集成电路的一部分的方法。 该方法包括清洗基底的表面，并在基底上形成薄的绝缘体。 该方法还包括在薄绝缘体上沉积高介电常数（高k）材料，然后在高k材料上进行氢基退火。 所述方法还包括对所述高k材料进行氧基退火，其中所述氢基和氧基退火依次发生。

公开(公告)号：US20050164445A1

公开(公告)日：2005-07-28

申请号：US10763643

申请日：2004-01-23

申请人： Yu Lin ,  Ming-Fang Wang ,  Kun-Chih Lee ,  Ming-Ho Yang ,  Liang-Gi Yo ,  Shih-Chang Chen ,  Karen Mai

发明人： Yu Lin ,  Ming-Fang Wang ,  Kun-Chih Lee ,  Ming-Ho Yang ,  Liang-Gi Yo ,  Shih-Chang Chen ,  Karen Mai

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66833 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L27/10873 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： A method for fabricating a portion of an integrated circuit on a semiconductor substrate. The method includes cleaning the surface of the substrate, and forming a thin insulate over the substrate. The method also includes depositing a high dielectric constant (high-k) material over the thin insulate, and then performing a hydrogen-based anneal on the high-k material. The method further includes performing an oxygen-based anneal on the high-k material, wherein the hydrogen-based and oxygen-based anneals occur sequentially.

摘要翻译： 一种在半导体衬底上制造集成电路的一部分的方法。 该方法包括清洗基底的表面，并在基底上形成薄的绝缘体。 该方法还包括在薄绝缘体上沉积高介电常数（高k）材料，然后在高k材料上进行氢基退火。 所述方法还包括对所述高k材料进行氧基退火，其中所述氢基和氧基退火依次发生。

公开(公告)号：US20080261410A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：US12145621

申请日：2008-06-25

申请人： Ming-Ho Yang ,  Liang-Gei Yao ,  Shih-Chang Chen

发明人： Ming-Ho Yang ,  Liang-Gei Yao ,  Shih-Chang Chen

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01L21/02307 ,  C23C16/0227 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7833

摘要： A method for forming a high-K material layer in a semiconductor device fabrication process including providing a silicon semiconductor substrate or thermally growing interfacial oxide layer comprising silicon dioxide over the silicon substrate; treating with an aqueous base solution or nitridation and depositing a high-K material layer.

摘要翻译： 一种在半导体器件制造工艺中形成高K材料层的方法，包括在硅衬底上提供包含二氧化硅的硅半导体衬底或热生长界面氧化物层; 用碱水溶液处理或氮化处理，沉积高K材料层。

公开(公告)号：US07384486B2

公开(公告)日：2008-06-10

申请号：US10810106

申请日：2004-03-26

申请人： Ming-Ho Yang ,  Liang-Gei Yao ,  Shih-Chang Chen

发明人： Ming-Ho Yang ,  Liang-Gei Yao ,  Shih-Chang Chen

IPC分类号： B08B3/12

CPC分类号： B08B7/0035 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405

摘要： A method for cleaning a process chamber in such a manner that chamber-cleaning chemicals or agents are incapable of remaining in the chamber after cleaning and chemically interfering with semiconductor fabrication or other processes subsequently carried out in the chamber. The method includes providing a repellant coating layer having a hydrophobic or hydrophilic polarity on the interior surfaces of a process chamber and using a cleaning agent having a polarity opposite that of the repellant coating layer to clean the chamber. Accordingly, the cleaning agent removes post-processing chemical residues from the interior chamber walls and other surfaces and is incapable of adhering to the surfaces and remaining in the chamber upon commencement of a subsequent process carried out in the chamber.

摘要翻译： 一种用于清洁处理室的方法，使得室清洁化学品或试剂在清洁之后不能残留在室中并化学干扰半导体制造或随后在室中执行的其它过程。 该方法包括在处理室的内表面上提供具有疏水或亲水极性的驱避剂涂层，并使用具有与驱除剂涂层的极性相反的极性的清洁剂来清洁室。 因此，清洁剂从内部室壁和其它表面除去后处理化学残留物，并且在室中进行的后续处理开始时不能粘附到表面并保留在室中。

公开(公告)号：US20050214454A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US10810106

申请日：2004-03-26

申请人： Ming-Ho Yang ,  Liang-Gei Yao ,  Shih-Chang Chen

发明人： Ming-Ho Yang ,  Liang-Gei Yao ,  Shih-Chang Chen

IPC分类号： B08B7/00 ,  C23C16/00 ,  C23C16/44

CPC分类号： B08B7/0035 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4405

摘要： A method for cleaning a process chamber in such a manner that chamber-cleaning chemicals or agents are incapable of remaining in the chamber after cleaning and chemically interfering with semiconductor fabrication or other processes subsequently carried out in the chamber. The method includes providing a repellant coating layer having a hydrophobic or hydrophilic polarity on the interior surfaces of a process chamber and using a cleaning agent having a polarity opposite that of the repellant coating layer to clean the chamber. Accordingly, the cleaning agent removes post-processing chemical residues from the interior chamber walls and other surfaces and is incapable of adhering to the surfaces and remaining in the chamber upon commencement of a subsequent process carried out in the chamber.

摘要翻译： 一种用于清洁处理室的方法，使得室清洁化学品或试剂在清洁之后不能残留在室中并化学干扰半导体制造或随后在室中执行的其它过程。 该方法包括在处理室的内表面上提供具有疏水或亲水极性的驱避剂涂层，并使用具有与驱除剂涂层的极性相反的极性的清洁剂来清洁室。 因此，清洁剂从内部室壁和其它表面除去后处理化学残留物，并且在室中进行的后续处理开始时不能粘附到表面并保留在室中。