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    Apparatus for producing single crystal and quasi-single crystal, and associated method
    1.
    发明申请
    Apparatus for producing single crystal and quasi-single crystal, and associated method 有权
    用于生产单晶和准单晶的装置及其相关方法

    公开(公告)号：US20060048699A1

    公开(公告)日：2006-03-09

    申请号：US11249896

    申请日：2005-10-13

    申请人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Victor Lou ,  Thomas McNulty ,  Huicong Hong

    发明人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Victor Lou ,  Thomas McNulty ,  Huicong Hong

    IPC分类号： C30B28/06 ,  C30B21/02 ,  C30B7/00

    CPC分类号： C30B29/403 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B7/00 ,  C30B9/00 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/1096

    摘要： An apparatus including a crucible, an energy source, and a controller is provided. The crucible may be sealed to a nitrogen-containing gas, and may be chemically inert to at least ammonia at a temperature in a range of about 400 degrees Celsius to about 2500 degrees Celsius. The energy source may supply thermal energy to the crucible. The controller may control the energy source to selectively direct sufficient thermal energy to a predefined first volume within the crucible to attain and maintain a temperature in the first volume to be in a range of from about 400 degrees Celsius to about 2500 degrees Celsius. The thermal energy may be sufficient to initiate, sustain, or both initiate and sustain growth of a crystal in the first volume. The first temperature in the first volume may be controllable separately from a second temperature in another volume within the crucible. The first temperature and the second temperature differ from each other. Associated methods are provided.

    摘要翻译： 提供一种包括坩埚，能量源和控制器的装置。 该坩埚可以密封到含氮气体，并且在约400摄氏度至约2500摄氏度的温度范围内，至少可以在至少氨的化学惰性。 能量源可以向坩埚提供热能。 控制器可以控制能量源以选择性地将足够的热能引导到坩埚内的预定义的第一体积，以获得并将第一体积中的温度维持在从约400摄氏度到约2500摄氏度的范围内。 热能可能足以启动，维持或同时启动和维持晶体在第一体积中的生长。 第一体积中的第一温度可以与坩埚内的另一体积中的第二温度分开控制。 第一温度和第二温度彼此不同。 提供相关方法。

    Single crystal and quasi-single crystal, composition, apparatus, and associated method
    2.
    发明申请
    Single crystal and quasi-single crystal, composition, apparatus, and associated method 审中-公开
    单晶和准单晶，组成，装置和相关方法

    公开(公告)号：US20060037529A1

    公开(公告)日：2006-02-23

    申请号：US11249872

    申请日：2005-10-13

    申请人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Victor Lou ,  Thomas McNulty

    发明人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Victor Lou ,  Thomas McNulty

    IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B30/04 ,  C30B28/10 ,  C30B27/02 ,  C30B21/06

    CPC分类号： C30B29/403 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B7/00 ,  C30B9/00 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/1096

    摘要： A single crystal or quasi-single crystal including one or more Group III material and an impurity. The impurity includes one or more elements from Group IA, Group IIA, Groups IIIB to VIIB, Group VIII, Group IB, Group IIB, or Group VIIA elements of the periodic table of elements. A composition for forming a crystal is also provided. The composition includes a source material comprising a Group III element, and a flux comprising one or more of P, Rb, Cs, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Y, Zr, Nb, Mo, Pd, Ag, Hf, Ta, W, Pt, Au, Hg, Ge, or Sb; or the flux may comprise a rare earth metal.

    摘要翻译： 包括一种或多种III族材料和杂质的单晶或准单晶。 杂质包括元素周期表第IA族，第IIA族，第IIIB至VIIB族，VIII族，IB族，IIB族或IIA族元素的一种或多种元素。 还提供了一种用于形成晶体的组合物。 该组合物包括含有III族元素的源材料和包含P，Rb，Cs，Mg，Ca，Sr，Ba，Sc，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co，Ni中的一种或多种的助熔剂， Cu，Zn，Y，Zr，Nb，Mo，Pd，Ag，Hf，Ta，W，Pt，Au，Hg，Ge或Sb; 或者焊剂可以包括稀土金属。

    Apparatus for making crystalline composition
    8.
    发明申请
    Apparatus for making crystalline composition 有权
    用于制造结晶组合物的装置

    公开(公告)号：US20070151509A1

    公开(公告)日：2007-07-05

    申请号：US11313442

    申请日：2005-12-20

    申请人： Dong-Sil Park ,  Mark D'Evelyn ,  Myles Peterson ,  John Leman ,  Joell Hibshman ,  Fred Sharifi

    发明人： Dong-Sil Park ,  Mark D'Evelyn ,  Myles Peterson ,  John Leman ,  Joell Hibshman ,  Fred Sharifi

    IPC分类号： C30B11/00

    CPC分类号： C01B21/0632 ,  C01B21/0602 ,  C01B21/0722 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/80 ,  Y10T117/10

    摘要： A composition including a polycrystalline metal nitride having a number of grains is provided. These grains have a columnar structure with one or more properties such as, an average grain size, a tilt angle, an impurity content, a porosity, a density, and an atomic fraction of the metal in the metal nitride. An apparatus for preparing a metal nitride is provided. The apparatus may include a housing having an interior surface that defines a chamber and an energy source to supply energy to the chamber. A first inlet may be provided to flow a nitrogen-containing gas into the chamber. Raw materials may be introduced into the chamber through a raw material inlet. A second inlet may be provided to flow in a halide-containing gas in the chamber. The apparatus may further include a controller, which communicates with the various components of the apparatus such as, sensors, valves, and energy source, and may optimize and control the reaction.

    摘要翻译： 提供了包含多个晶粒的多晶金属氮化物的组合物。 这些晶粒具有在金属氮化物中具有金属的平均晶粒尺寸，倾斜角，杂质含量，孔隙率，密度和原子分数等一个或多个特性的柱状结构。 提供了一种用于制备金属氮化物的设备。 该装置可以包括具有限定腔室的内表面和用于向腔室供应能量的能量源的壳体。 可以提供第一入口以将含氮气体流入室中。 可以通过原料入口将原料引入室中。 可以提供第二入口以在室中的含卤化物气体中流动。 该装置还可以包括控制器，其与设备的各种部件（例如传感器，阀门和能量源）进行通信，并且可以优化和控制反应。