公开(公告)号：US5254419A

公开(公告)日：1993-10-19

申请号：US817438

申请日：1992-01-06

申请人： Meguru Kashida ,  Satoshi Watanabe ,  Toshinobu Ishihara ,  Yoshihiro Kubota ,  Ikuo Fukui

发明人： Meguru Kashida ,  Satoshi Watanabe ,  Toshinobu Ishihara ,  Yoshihiro Kubota ,  Ikuo Fukui

IPC分类号： C08F16/06 ,  C08F16/14 ,  G03F1/62 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  G03F9/00

CPC分类号： G03F1/62

摘要： Disclosed is a method for dust-proofing of a photomask in the photolithographic processing of electronic devices, e.g., LSIs and liquid-crystal display panels, in which the photomask is covered with a pellicle having a frame-supported light-transmitting membrane made from a polyvinyl alcohol modified by silylating the hydroxy groups of the polyvinyl alcohol with triorganosilyl groups of the formula R.sub.3 Si--, in which R is a monovalent hydrocarbon group, e.g., alkyl, in a degree of substitution of at least 40%. The membrane of the pellicle is highly transparent to light of short wavelength in the ultraviolet region and excellently durable under prolonged irradiation with ultraviolet light not to cause yellowing or mechanical breaking.

摘要翻译： 公开了一种在电子器件（例如LSI和液晶显示面板）的光刻处理中的光掩模的防尘方法，其中光掩模被具有框架支撑的透光膜的防护薄膜组件覆盖，所述框架支撑的透光膜由 通过使式R3Sii-的三有机甲硅烷基甲硅烷基化聚乙烯醇的羟基而改性的聚乙烯醇，其中R是一价烃基，例如烷基，取代度至少为40％。 防护薄膜的膜对于紫外线区域的短波长的光是高度透明的，并且在紫外线的长时间照射下不会导致黄变或机械断裂。

公开(公告)号：US5876900A

公开(公告)日：1999-03-02

申请号：US831300

申请日：1997-04-01

申请人： Satoshi Watanabe ,  Toshinobu Ishihara ,  Shigehiro Nagura ,  Tsuguo Yamaoka

发明人： Satoshi Watanabe ,  Toshinobu Ishihara ,  Shigehiro Nagura ,  Tsuguo Yamaoka

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  G03F7/029 ,  G03F7/033

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106

摘要： A chemically amplified positive resist composition contains (A) an organic solvent, (B) a base resin in the form of a polyhydroxystyrene having phenolic hydroxyl groups some of which are protected with alkoxyalkyl groups and having a weight-average molecular weight of 3,000-300,000 and a dispersity of 1.0 to 1.5, (C) a photoacid generator, and (D) a vinyl ether group-containing compound. The composition is sensitive to actinic radiation, especially KrF excimer laser beam, has high sensitivity and resolution, and forms a resist pattern having improved plasma etching resistance and heat resistance.

摘要翻译： 化学放大型正性抗蚀剂组合物含有（A）有机溶剂，（B）具有酚羟基的聚羟基苯乙烯形式的基础树脂，其中一些被羟基烷基保护，并且其重均分子量为3,000-300,000 分散度为1.0〜1.5，（C）光致酸产生剂，（D）含乙烯基醚基的化合物。 该组合物对光化辐射敏感，特别是KrF准分子激光束，具有高灵敏度和分辨率，并且形成具有改善的等离子体耐蚀刻性和耐热性的抗蚀剂图案。

公开(公告)号：US5691112A

公开(公告)日：1997-11-25

申请号：US762861

申请日：1996-12-10

申请人： Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Toshinobu Ishihara ,  Kazumasa Maruyama ,  Yoshihumi Takeda ,  Junji Shimada ,  Fujio Yagihashi ,  Katsuya Takemura

发明人： Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Toshinobu Ishihara ,  Kazumasa Maruyama ,  Yoshihumi Takeda ,  Junji Shimada ,  Fujio Yagihashi ,  Katsuya Takemura

IPC分类号： C07C317/22 ,  C07C381/12 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C317/22 ,  C07C381/12

摘要： Trifluoromethanesulfonic and p-toluenesulfonic acid bis- or tris(p-tert-butoxyphenyl)sulfonium salts are novel. They are prepared from bis(p-tert-butoxyphenyl)sulfoxide which is also novel. A chemically amplified positive resist composition which contains the sulfonium salt as a photo-acid generator is highly sensitive to deep-UV rays, electron beams and X-rays, can be developed with alkaline aqueous solution to form a pattern, and is thus suitable for use in a fine patterning technique.

摘要翻译： 三氟甲磺酸和对甲苯磺酸双或三（对叔丁氧基苯基）锍盐是新颖的。 它们由双（对叔丁氧基苯基）亚砜制备，也是新的。 含有锍盐作为光酸发生剂的化学增幅正性抗蚀剂组合物对深紫外线，电子束和X射线高度敏感，可以用碱性水溶液显影形成图案，因此适用于 使用精细图案化技术。

公开(公告)号：US5633409A

公开(公告)日：1997-05-27

申请号：US379986

申请日：1995-01-27

申请人： Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Toshinobu Ishihara ,  Kazumasa Maruyama ,  Yoshihumi Takeda ,  Junji Shimada ,  Fujio Yagihashi ,  Katsuya Takemura

发明人： Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Toshinobu Ishihara ,  Kazumasa Maruyama ,  Yoshihumi Takeda ,  Junji Shimada ,  Fujio Yagihashi ,  Katsuya Takemura

IPC分类号： C07C317/22 ,  C07C381/12 ,  G03F7/004 ,  C07C319/00

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C317/22 ,  C07C381/12

摘要： Trifluoromethanesulfonic and p-toluenesulfonic acid bis- or tris(p-tert-butoxyphenyl)sulfonium salts are novel. They are prepared from bis(p-tert-butoxyphenyl)sulfoxide which is also novel. A chemically amplified positive resist composition which contains the sulfonium salt as a photo-acid generator is highly sensitive to deep-UV rays, electron beams and X-rays, can be developed with alkaline aqueous solution to form a pattern, and is thus suitable for use in a fine patterning technique.

摘要翻译： 三氟甲磺酸和对甲苯磺酸双或三（对叔丁氧基苯基）锍盐是新颖的。 它们由双（对叔丁氧基苯基）亚砜制备，也是新的。 含有锍盐作为光酸发生剂的化学增幅正性抗蚀剂组合物对深紫外线，电子束和X射线高度敏感，可以用碱性水溶液显影形成图案，因此适用于 使用精细图案化技术。

公开(公告)号：US20050284502A1

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：US11159095

申请日：2005-06-23

申请人： Satoshi Watanabe ,  Tomohiro Kobayashi ,  Yoshio Kawai ,  Toshinobu Ishihara

发明人： Satoshi Watanabe ,  Tomohiro Kobayashi ,  Yoshio Kawai ,  Toshinobu Ishihara

IPC分类号： C03C23/00 ,  G03F7/32

CPC分类号： G03F7/322 ,  G03F7/32

摘要： A rinse comprising a water-soluble polymer is suited for use in a lithographic process. In the lithographic process for the fabrication of semiconductor integrated circuits involving the exposure of resist to various types of radiation (e.g., UV, deep UV, vacuum UV, electron beams, x-rays, and laser beams), the invention can prevent resist insoluble components from generating on and attaching to the resist film or substrate, and if insoluble components attach, can effectively remove the insoluble components, thus avoiding a lowering of production yield by defects resulting from the insoluble components.

摘要翻译： 包含水溶性聚合物的漂洗剂适用于光刻工艺。 在涉及对各种类型的辐射（例如UV，深UV，真空UV，电子束，X射线和激光束）的抗蚀剂曝光的半导体集成电路的制造的光刻工艺中，本发明可以防止抗蚀剂不溶 在抗蚀剂膜或基材上产生和附着的组分，如果不溶性组分附着，可以有效地除去不溶性成分，从而避免由不溶性成分引起的缺陷导致产率降低。

公开(公告)号：US5814694A

公开(公告)日：1998-09-29

申请号：US833052

申请日：1997-04-03

申请人： Satoshi Watanabe ,  Shigehiro Nagura ,  Toshinobu Ishihara

发明人： Satoshi Watanabe ,  Shigehiro Nagura ,  Toshinobu Ishihara

IPC分类号： C08K5/09

CPC分类号： C08K5/09

摘要： A water-soluble coating composition for forming a layer to be placed on the upper surface of a resist is provided without use of Freons. The material includes an aqueous solution containing a) at least one water-soluble polymer selected from the group consisting of poly(N-vinylpyrrolidone) homopolymers and water-soluble copolymers of N-vinylpyrrolidone and other vinyl monomers, b) at least one fluorine-containing organic acid, and c) at least one amino acid derivative. The film formed through use of the material of the invention serves as both an anti-reflective film and a protective film. The material of the present invention provides a number of advantages in the formation of resist patterns, including excellent film-forming properties, excellent dimensional accuracy and aligning accuracy, simple and easy handling, high productivity, and good reproducibility.

摘要翻译： 在不使用氟利昂的情况下，提供用于形成被放置在抗蚀剂的上表面上的层的水溶性涂料组合物。 该材料包括含有a）至少一种选自聚（N-乙烯基吡咯烷酮）均聚物和N-乙烯基吡咯烷酮和其它乙烯基单体的水溶性共聚物的水溶性聚合物的水溶液，b）至少一种含氟 - 含有机酸，和c）至少一种氨基酸衍生物。 通过使用本发明的材料形成的膜既用作抗反射膜又用作保护膜。 本发明的材料在形成抗蚀剂图形方面提供了许多优点，包括优异的成膜性能，优异的尺寸精度和对准精度，操作简便且易于操作，生产率高，再现性好。

公开(公告)号：US5529888A

公开(公告)日：1996-06-25

申请号：US531328

申请日：1995-09-20

申请人： Satoshi Watanabe ,  Toshinobu Ishihara ,  Yoshihumi Takeda ,  Katsuyuki Oikawa

发明人： Satoshi Watanabe ,  Toshinobu Ishihara ,  Yoshihumi Takeda ,  Katsuyuki Oikawa

IPC分类号： G03F7/11 ,  G03F7/039 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027 ,  G03C5/00

CPC分类号： G03F7/091

摘要： A water-soluble composition comprising a water-soluble N-vinylpyrrolidone copolymer and a fluorinated organic acid in a weight ratio of from 20:80 to 70:30 is useful in forming a water-soluble overlying film on a chemically amplified resist layer. The overlying film functions as both an anti-reflective film and a protective film during resist pattern formation by photolithography.

摘要翻译： 包含重量比为20:80至70:30的水溶性N-乙烯基吡咯烷酮共聚物和氟化有机酸的水溶性组合物可用于在化学放大抗蚀剂层上形成水溶性覆盖膜。 在通过光刻的抗蚀剂图案形成期间，上覆膜既用作抗反射膜，又用作保护膜。

公开(公告)号：US06830866B2

公开(公告)日：2004-12-14

申请号：US10170345

申请日：2002-06-14

申请人： Tomohiro Kobayashi ,  Tsunehiro Nishi ,  Satoshi Watanabe ,  Takeshi Kinsho ,  Shigehiro Nagura ,  Toshinobu Ishihara

发明人： Tomohiro Kobayashi ,  Tsunehiro Nishi ,  Satoshi Watanabe ,  Takeshi Kinsho ,  Shigehiro Nagura ,  Toshinobu Ishihara

IPC分类号： G03F7038

CPC分类号： G03F7/0392 ,  C08G61/06 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397

摘要： A resist composition comprising a hydrogenated product of ring-opening metathesis polymer and a poly(meth)acrylic acid derivative as a base resin is sensitive to high-energy radiation, has excellent sensitivity, resolution, and etch resistance, and lends itself to micropatterning with electron beams or deep-UV.

摘要翻译： 包含开环易位聚合物和聚（甲基）丙烯酸衍生物作为基础树脂的氢化产物的抗蚀剂组合物对高能辐射敏感，具有优异的灵敏度，分辨率和耐蚀刻性，并且适用于微图案化 电子束或深紫外线。

公开(公告)号：US06312869B1

公开(公告)日：2001-11-06

申请号：US09592419

申请日：2000-06-12

申请人： Satoshi Watanabe ,  Osamu Watanabe ,  Tomoyoshi Furihata ,  Yoshihumi Takeda ,  Shigehiro Nagura ,  Toshinobu Ishihara ,  Tsuguo Yamaoka

发明人： Satoshi Watanabe ,  Osamu Watanabe ,  Tomoyoshi Furihata ,  Yoshihumi Takeda ,  Shigehiro Nagura ,  Toshinobu Ishihara ,  Tsuguo Yamaoka

IPC分类号： G03F7039

CPC分类号： G03F7/039 ,  C08F8/00 ,  C08F2810/20 ,  C08F2810/30 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106 ,  C08F112/14

摘要： A chemically amplified positive resist composition contains (A) an organic solvent, (B) a base resin in the form of a polymer having at least one acid labile group and crosslinked within a molecule and/or between molecules with a crosslinking group having a C—O—C linkage, the polymer having a weight average molecular weight of 1,000-500,000, (C) a photoacid generator, (D) a basic compound, and (E) an aromatic compound having a group ≡C—COOH in a molecule. The composition has a high alkali dissolution contrast, high sensitivity and high resolution.

摘要翻译： 化学放大正性抗蚀剂组合物包含（A）有机溶剂，（B）具有至少一个酸不稳定基团的聚合物形式的基础树脂，并且在分子内和/或具有交联基团的分子之间具有COC 连接，重均分子量为1,000〜500,000的聚合物，（C）光酸产生剂，（D）碱性化合物和（E）分子中具有= C-COOH基团的芳族化合物。 该组合物具有高碱溶性对比度，高灵敏度和高分辨率。

公开(公告)号：US6106993A

公开(公告)日：2000-08-22

申请号：US114067

申请日：1998-07-13

申请人： Satoshi Watanabe ,  Osamu Watanabe ,  Shigehiro Nagura ,  Toshinobu Ishihara

发明人： Satoshi Watanabe ,  Osamu Watanabe ,  Shigehiro Nagura ,  Toshinobu Ishihara

IPC分类号： G03F7/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106

摘要： A chemically amplified positive resist composition contains (A) an organic solvent, (B) a base resin, (C) a photoacid generator, and optionally, (D) a dissolution rate regulator. The base resin (B) is a hydroxystyrene copolymer having different acid labile groups and Mw of 3,000-300,000. The resist composition is highly sensitive to actinic radiation such as deep-UV, electron beam and X-ray, can be developed with aqueous base to form a pattern, and is thus suitable for use in a fine patterning technique.

摘要翻译： 化学放大正性抗蚀剂组合物包含（A）有机溶剂，（B）基础树脂，（C）光致酸产生剂，和任选的（D）溶出速率调节剂。 基础树脂（B）是具有不同酸不稳定基团和Mw为3,000-300,000的羟基苯乙烯共聚物。 抗蚀剂组合物对光化辐射如深UV，电子束和X射线高度敏感，可以用碱水溶液显影以形成图案，因此适用于精细图案化技术。