公开(公告)号：US20140256098A1

公开(公告)日：2014-09-11

申请号：US14283291

申请日：2014-05-21

申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： Sanh D. Tang ,  John Zahurak ,  Siddartha Kondoju ,  Haitao Liu ,  Nishant Sinha

IPC分类号： H01L27/112 ,  H01L27/115

CPC分类号： H01L27/11293 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/101 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11563 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： Memories and their formation are disclosed. One such memory has a first array of first memory cells extending in a first direction from a first surface of a semiconductor. A second array of second memory cells extends in a second direction, opposite to the first direction, from a second surface of the semiconductor. Both arrays may be non-volatile memory arrays. For example, one of the memory arrays may be a NAND flash memory array, while the other may be a one-time-programmable memory array.

摘要翻译： 记忆及其形成被披露。 一个这样的存储器具有从半导体的第一表面沿第一方向延伸的第一存储单元阵列。 第二阵列的第二存储单元从与半导体的第二表面在第二方向相反的第二方向延伸。 两个阵列可以是非易失性存储器阵列。 例如，存储器阵列之一可以是NAND快闪存储器阵列，而另一个可以是一次可编程存储器阵列。

公开(公告)号：US20140162455A1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：US13712635

申请日：2012-12-12

申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： Andrew Dennis Watson Carswell ,  Wayne Hai-Wei Huang ,  Siddartha Kondoju ,  Jin Lu ,  Suresh Ramakrishnan ,  Kozaburo Sakai ,  Sony Varghese ,  Andrey V. Zagrebelny

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/32125

摘要： A method of forming a planar surface for a semiconductor device structure. The method comprises forming a particle film comprising a plurality of discrete particles on a non-planar surface of a semiconductor device structure. The semiconductor device structure is subjected to at least one chemical-mechanical polishing process after forming the particle film on the non-planar surface of the semiconductor device structure. Methods of forming a semiconductor device structure are also described.

摘要翻译： 一种形成半导体器件结构的平面的方法。 该方法包括在半导体器件结构的非平面表面上形成包含多个离散粒子的粒子膜。 半导体器件结构在半导体器件结构的非平面表面上形成颗粒膜之后经历至少一个化学机械抛光工艺。 还描述了形成半导体器件结构的方法。

公开(公告)号：US09312266B2

公开(公告)日：2016-04-12

申请号：US14283291

申请日：2014-05-21

申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： Sanh D. Tang ,  John Zahurak ,  Siddartha Kondoju ,  Haitao Liu ,  Nishant Sinha

IPC分类号： H01L27/112 ,  H01L27/06 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/66 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/11293 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/101 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11206 ,  H01L27/11517 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11563 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

摘要： Memories and their formation are disclosed. One such memory has a first array of first memory cells extending in a first direction from a first surface of a semiconductor. A second array of second memory cells extends in a second direction, opposite to the first direction, from a second surface of the semiconductor. Both arrays may be non-volatile memory arrays. For example, one of the memory arrays may be a NAND flash memory array, while the other may be a one-time-programmable memory array.

摘要翻译： 记忆及其形成被披露。 一个这样的存储器具有从半导体的第一表面沿第一方向延伸的第一存储单元阵列。 第二阵列的第二存储单元从与半导体的第二表面在第二方向相反的第二方向延伸。 两个阵列可以是非易失性存储器阵列。 例如，存储器阵列之一可以是NAND快闪存储器阵列，而另一个可以是一次可编程存储器阵列。

公开(公告)号：US09153451B2

公开(公告)日：2015-10-06

申请号：US13712635

申请日：2012-12-12

申请人： Micron Technology, Inc.

发明人： Andrew Dennis Watson Carswell ,  Wayne Hai-Wei Huang ,  Siddartha Kondoju ,  Jin Lu ,  Suresh Ramakrishnan ,  Kozaburo Sakai ,  Sony Varghese ,  Andrey V. Zagrebelny

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/321

CPC分类号： H01L21/30625 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/32125

摘要： A method of forming a planar surface for a semiconductor device structure. The method comprises forming a particle film comprising a plurality of discrete particles on a non-planar surface of a semiconductor device structure. The semiconductor device structure is subjected to at least one chemical-mechanical polishing process after forming the particle film on the non-planar surface of the semiconductor device structure. Methods of forming a semiconductor device structure are also described.

摘要翻译： 一种形成半导体器件结构的平面的方法。 该方法包括在半导体器件结构的非平面表面上形成包含多个离散粒子的粒子膜。 半导体器件结构在半导体器件结构的非平面表面上形成颗粒膜之后经历至少一个化学机械抛光工艺。 还描述了形成半导体器件结构的方法。